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公开(公告)号：KR101889818B1
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：KR1020120117228
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은열전도도측정장치및 그측정방법에관한것이다. 본발명에의한열전도도측정장치는시료의일단과연결되고, 열원으로부터열을제공받는제 1 구조체, 상기시료의타단과연결되는제 2 구조체, 상기제 1 구조체와연결되어상기제 1 구조체를지지하는제 1 스테이지, 상기제 2 구조체와연결되어상기제 2 구조체를지지하는제 2 스테이지, 상기제 1 및제 2 스테이지사이에연결되는연결부및 상기제 1 및제 2 구조체와상기제 1 및제 2 스테이지의온도를측정하는측정부를포함하고, 상기측정부는상기측정된제 1 및제 2 구조체와상기제 1 및제 2 스테이지의온도및 상기열원으로부터제공된열의양을이용하여상기시료의열전도도를계산한다. 본발명의열전도도측정장치및 그측정방법은측정환경을고려하여스테이지에서방출되는열흐름에의한스테이지의온도변화를보정하므로, 측정의신뢰성이향상된다.
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公开(公告)号：KR1020170045116A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020160127850
申请日：2016-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은광소자및 그제조방법을제공한다. 광소자의제조방법은기판구조체를제공하는것, 및상기기판구조체상에곡면체들을포함하는어레이를증착하는것을포함할수 있다. 상기곡면체들은결정질의유기화합물을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种灯元件及其制造方法。 制造光学器件的方法可以包括提供衬底结构，以及在衬底结构上沉积包括弯曲主体的阵列。 弯曲的主体可以包括结晶有机化合物。
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公开(公告)号：KR101352362B1
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020100088107
申请日：2010-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L35/02 , H01L27/146
Abstract: 열전 소자 및 그 형성방법, 이를 이용한 온도 감지 센서 및 열원 이미지 센서가 제공된다. 열전 소자는 기판 상의 서로 이격되어 배치된 제 1 나노 와이어 및 제 2 나노 와이어, 제 1 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 1 실리콘 박막, 제 2 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 2 실리콘 박막 및 제 1 나노 와이어의 타단 및 제 2 나노 와이어의 타단에 연결되는 제 3 실리콘 박막을 포함하되, 제 1 나노 와이어 및 제 2 나노 와이어는 기판의 상부면에 대하여 수평한 방향으로 연장된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101302747B1
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020100016905
申请日：2010-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 열전소자는 열 흡수막 상부에 형성된 반사방지막에 의해 복사광이 외부로 반사되지 않고 상기 열 흡수막으로 최대한 흡수되어 복사열 흡수 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 열전소자는 열 방출막 상부에 형성된 절연막과 상기 절연막 상부에 형성된 제1 반사막에 의해 외부 복사열이 상기 열 방출막으로 흡수되는 것을 방지할 수 있고, 상기 열 방출막에 열적으로 연결된 제2 반사막에 의해 상기 열 방출막에 전달된 복사열을 최대한 외부로 방출할 수 있으므로 복사열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130072694A
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020110140232
申请日：2011-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element and a manufacturing method thereof are provided to maintain the constant temperature difference between a heat adsorption part and a heat radiation part, and to improve thermoelectric effect. CONSTITUTION: A heat adsorption part (230) is formed on a substrate. A leg (240) and a heat radiation part (250) are formed on the substrate. A thermal release material emits the heat transferred from the heat radiation part. One end of the leg is connected to the heat adsorption part. The other end of the leg is connected to the heat radiation part.
Abstract translation: 目的：提供一种热电元件及其制造方法，以保持热吸收部和散热部之间的恒温差，并提高热电效应。 构成：在基板上形成热吸附部（230）。 在基板上形成有支脚（240）和散热部（250）。 热释放材料发射从热辐射部分传递的热量。 腿的一端连接到热吸收部分。 腿的另一端连接到散热部分。
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公开(公告)号：KR101182423B1
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020080128624
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03K19/17784 , H03K19/17728 , H03K19/17792
Abstract: 본 발명의 필드프로그래머블 게이트 어레이의 프로그래머블 논리 블록은 전원에 연결된 풀업용 액세스 트랜지스터를 포함한다. 풀업용 트랜지스터에는 업 상변화 메모리 소자가 연결된다. 업 상변화 메모리 소자에 연결된 다운 상변화 메모리 소자가 연결된다. 업 상변화 메모리 소자 및 다운 상변화 메모리 소자 사이에는 출력 단자가 위치한다. 다운 상변화 메모리 소자에는 풀다운용 액세스 트랜지스터가 연결된다. 업 상변화 메모리 소자 및 다운 상변화 메모리 소자의 저항값을 개별적으로 프로그래밍할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120071254A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100132921
申请日：2010-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device and a manufacturing method thereof are provided to improve a seebeck coefficient by partially forming a material having different work functions on each of an N-type leg and a P-type leg. CONSTITUTION: An insulation layer(120) prevents heat generated in a structure from being transmitted to a substrate(110). A high temperature portion(140) is commonly connected to one ends of a first nanowire(130b) and a second nanowire(130a). A low temperature portion(150) is connected to the other ends of the first nanowire and the second nanowire. An insulating layer(160) is formed through the first nanowire and the second nanowire. A first metal layer(170a) is formed on the top of the insulating layer at the first nanowire. A second metal layer(170b) is formed on the top of the insulating layer at the second nanowire.
Abstract translation: 目的：提供一种热电装置及其制造方法，以通过在N型腿和P型腿中的每一个上部分地形成具有不同功函数的材料来提高跷跷板系数。 构成：绝缘层（120）防止在结构中产生的热量被传送到衬底（110）。 高温部分（140）通常连接到第一纳米线（130b）和第二纳米线（130a）的一端。 低温部分（150）连接到第一纳米线和第二纳米线的另一端。 通过第一纳米线和第二纳米线形成绝缘层（160）。 第一金属层（170a）形成在第一纳米线的绝缘层的顶部。 第二金属层（170b）形成在绝缘层的第二纳米线的顶部。
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公开(公告)号：KR1020110091921A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：KR1020100011284
申请日：2010-02-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/30
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric array is provided to reduce manufacturing costs by integrating a thermoelectric device with a heat absorbing unit, a leg, and a heat discharge unit using a semiconductor process. CONSTITUTION: A plurality of thermoelectric devices(300) is electrically connected and has m x n structure. Each thermoelectric device includes a heat absorbing unit, an n type leg(331), a p type leg(333), a first heat discharge unit(350a), and a second heat discharge unit(350b). The leg includes a first conductive leg and a second conductive leg.
Abstract translation: 目的：提供一种热电阵列，以通过使用半导体工艺将热电装置与吸热单元，腿部和放热单元集成来降低制造成本。 构成：多个热电装置（300）电连接并具有m×n结构。 每个热电装置包括吸热单元，n型腿（331），p型腿（333），第一放热单元（350a）和第二放热单元（350b）。 腿包括第一导电腿和第二导电腿。
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