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公开(公告)号：KR100249793B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970070306
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 균일하고 제어성이 좋은 뒷면 비아-홀(via-hole)용 웨이퍼 연마 시료 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 뒷면 연마 시 유리 기판 위에 사파이어 웨이퍼를 저온 왁스를 사용하여 붙이고 그 위에 고온 왁스를 사용하여 공정이 완료된 웨이퍼를 붙인다. 50미크론 에서 100미크론까지 연마를 한 후 저온에서 유리 기판을 떼어내고 뒷면 비아-홀 리소그라피 공정을 진행한다. 리소그라피가 완료된 후 비아-홀을 식각하고 뒷면을 전기도금 방법으로 도금을 하여 비아-홀 공정을 완료하고 고온에서 웨이퍼를 사파이어 투명지지대로부터 떼어낸 후 세정한다. 따라서, 사파이어 투명명 지지대를 이용하여 식각마스크용 마스크 정렬과 건식식각 웨이퍼 받침대로 사용할 수 있도록 하고, 시료의 보호를 위하여 고온 및 저온 왁스를 사용하므로서 사용 후 떼어내기가 편리하도록 제작하는 방법에 의해 비아홀 식각 공정시 기판 온도에 따라 급격하게 변하는 식각율을 안정 시킬 수 있도록 한 것이다. 따라서 이 공정은 웨이퍼 내에서 균일하고 재현성 있는 뒷면 비아-홀을 얻을 수 있는 방법이다.
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公开(公告)号：KR100246604B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970064104
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98㎛ 반도체 레이저는 종래의 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 채널로부터 그 아래 활성층을 관통하는 영역에 걸쳐 광 흡수 효과를 가지는 이온 주입(ion implantation) 공정을 부가함으로써 고차 횡모드의 발진을 억제하는 기능을 가진다. 즉, RWG형 반도체 레이저의 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 채널 하부의 이온 주입된 활성층에서 흡수, 소멸시킴으로써 고차 횡모드 발진에 수반되는 킹크(kink)와 빔 스티어링beam steering)의 발생을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.
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公开(公告)号：KR1020000007257A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980026477
申请日：1998-07-01
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: The laser device achieves high optical coupling efficiency with an optical fiber. CONSTITUTION: The laser device comprises an emission angle control optical wave guide(42) fabricated in a mesa etching process to define an active region(40) without etching and crystal growth to suppress the optical absorption of the emission angle control region after epitaxial crystal growth to form the active region of the semiconductor laser. The laser device comprises the active region for the operation of the laser, the wave guide to control the emission angle, a high reflection(HR) coating(41) to operate the laser in the active region and an anti-reflection(AR) coating to obtain high optical output intensity.
Abstract translation: 目的：激光器件利用光纤实现高耦合效率。 构成：激光装置包括在台面蚀刻工艺中制造的发光角度控制光波导（42），以在没有蚀刻和晶体生长的情况下限定有源区（40），以抑制外延晶体生长后的发射角控制区的光吸收 以形成半导体激光器的有源区。 激光装置包括用于激光的操作的有源区域，用于控制发射角的波导，用于在激活区域中操作激光的高反射（HR）涂层（41）和抗反射（AR）涂层 以获得高的光输出强度。
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公开(公告)号：KR100241357B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970069551
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/00
Abstract: 본 발명은 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것으로, 특히, 특히 무선통신 및 광통신에 사용되는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 주파수 대역폭과 안정도를 향상하면서도 웨이퍼의 소요 면적을 절약하여 신뢰성이 증대되고 제작비용을 절감할 수 있는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기를 제공하는 데에 있다. 본 발명의 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기는 게이트에 국부 발진기의 입력신호가 인가되고 드레인에서 주파수 변조된 중간 주파수를 얻는 제 1FET 및 게이트에 RF 주파수의 입력신호가 인가되는 제 2FET와, 상기 제 1FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 국부 발진기의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓히고 회로의 안정도를 증가시키는 제 1안정수단과, 상기 제 2FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 RF 주파수의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓이고 회로의 안정도를 증가시키는 제 2안정수단을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019990084769A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016753
申请日：1998-05-11
IPC: H01L29/12
Abstract: 본 발명은 게이트의 길이와 수직방향의 높이를 조절할 수 있고, 게이트 누설 전류를 줄일 수 있는 미세 선폭의 T자형 게이트 전극을 제어성 좋게 한 반도체 소자의 미세 T자형 게이트 전극 제작방법에 관한 것이다. 이 방법을 살펴보면, 기판(1)위에 활성층(2)과 캡층(3)을 성장한 후 오믹 금속층(4)을 형성하고, 표면 보호 및 게이트 다리의 높이 조절용 절연막(5)을 증착한다. 그 후 게이트 다리 및 머리용 레지스트(6, 7)를 도포하고 열처리 한다. 게이트 패턴부(8)를 형성하고, 게이트 길이 조절용 절연막(9)을 증착한다. 절연막의 비등방성 식각 공정으로 측면부(10a)를 남기고 바닥부는 제거한다. 다단계 게이트 리세스 공정으로 등방성 식각부(11a), 선택 식각부(11b), 저속 식각부(11c)를 형성한다. 그리고나서, 게이트 금속막(12)의 증착 및 리프트 오프 공정에 의한 T자형 게이트 금속을 완성한다. 이에 따라서, 전자빔 리소그래피를 절연막과 리세스 식각 방법과 결합하여 T자형 게이트 금속을 형성하는 방법으로 게이트 다리의 길이와 높이 및 머리부의 크기를 임의로 조절할 수 있게 하여 게이트 저항을 줄이고, 동시에 머리부와 게이트 접촉면과의 분리거리를 크게 하여 게이트 기생성분을 줄일 수 있게 하며, 다단계 식각 방법으로 게이트 누설 전류를 억제하여 소자의 특성을 향상 시킬 수 있도록 한 것이다. 각 소자의 게이트 금속의 다리 높이는 초기의 절연막과 레지스트의 두께로 조정하고, 전자빔의 노광 에너지와 절연막의 두께로 길이를 조정하며, 머리부는 패턴 설계로 자유롭게 조절할 수 있도록 하므로써 기존의 공정 보다 재현성 있는 T자형 게이트 금속을 얻을 수 있도록 한 것이다. 따라서 이 공정은 웨이퍼 내에서 균일하고 재현성 있는 게이트 전극을 얻을 수 있는 방법이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100232709B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960033174
申请日：1996-08-09
IPC: H01S3/094
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 모듈을 구성하는 케이싱 내부로 연장된 플랜지의 내측 선단에 일정한 파장의 광만을 선택적으로 투과시킬 수 있는 선택적 광 투과필터를 설치한 것을 그 요지로 하며, 본 발명에 따른 광 투과 필터는 유리 표면에 유전체막을 증착함으로서 형성되며, 이 광 투과 필터는 프레임에 고정된 상태에서 플랜지의 홈에 수용된 프레임의 양축이 플랜지의 홈내에서의 자유로운 회전이 이루어짐에 따라 프레임이 양 축을 기준으로 회전되어 광 투과 필터에 대한 광의 입사각을 조절할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100164082B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950040300
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: 본 발명은 도금을 이용하여 저저항금속을 중첩시키는 MESFET 게이트 금속 중첩방법에 관한 것이다.
본 발명은 MESFET에 게이트 금속이 드러나도록 절연박막으로 평탄화시키는 제1공정; 기저금속을 증착하는 제2공정; 포토레지스트로 게이트 영역을 정의하는 제3공정; 기저금속을 식각하고 포토레지스트를 열처리하고 도금하기 위한 영역을 분리하는 제4공정; 저저항금속을 도금하는 제 5공정; 포토레지스트를 제거하는 제6공정; 기저금속을 제거하는 제7공정을 포함한다.
E-beam을 이용하지 않고 T-형의 게이트와 배선금속을 형성하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있으며, 도금에 의해 배선금속이 만들어지기 때문에 리프트-오프에 의한 배선공정에 비해 생산원가를 줄일 수 있는 동시에 게이트의 형상이 대칭으로 형성되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100163746B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950051465
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/338 , H01L29/80
Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체의 기판 상에 채널층을 결정 성장하고 이채널층 상부의 소정 부분에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 채널층과 감광막의 상부에 금속 초격자층과 오믹 접촉전극 구조를 이루는 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 제거함과 동시에 상부에 형성된 오믹 금속층도 제거하고 상기 채널층의 노출된 부분과 오믹 금속층의 상부에 보호층을 형성한 후 상기 오믹 금속층을 저온과 고온에서 연속적으로 2단계 급속 열처리하는 공정과, 상기 보호층을 제거하고 상기 채널층과 오믹 금속층의 상부에 PMMA의 제1 감광막과 P(MMA-MAA)의 제2 감광막을 형성한 후 상기 제1 및 제2 감광막을 노광 및 현상하여 상기 채널층을 노출시키는 T자 형의 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 를 통해 상기 채널층의 노출된 부분과 상기 제1 및 제2 감광막의 상부에 게이트 금속전극을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2 감광막을 리프트-오프 방법에 의해 제거함과 동시에 상부의 게이트 금속전극을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서, 오믹 금속 전극을 열처리시 오믹 금속의 표면이 부풀어지는 것을 방지하므로 오믹 전극의 접촉 저항을 향상시킬 수 있으며, 또한, 오믹 금속 표면을 평탄하게 하여 서브미크론급의 미세한 게이트 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100155513B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950042601
申请日：1995-11-21
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절율이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2클래드층과, 상기 제2광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성된 제2도� ��형의 제2클래드층과 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제1 및 제2도전형 전극을 포함한다.
따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980050945A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069793
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 전계효과형 갈륨비소 소자 제조 기술중 오믹 특성을 개선하기 위해서 오믹층의 재성장에 의한 오믹접촉전극의 제조 방법을 기술하기 위한 것이다. 본 발명의 오믹접촉전극 제조 방법은 고농도로 오믹층을 재성장함으로써 열처리후 접촉저항특성을 개선시킬 수 있고, 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 본 발명은 산화막과 질학막의 이중절연막을 식각마스크로하여 기판의 오믹영역을 건식식각하는 방법과 MOCVD방법으로 식각된 오믹영역을 선택적으로 재셩장하여 n형 InGaAs오믹층을 형성하는 방법 그리고 금속층 증착 및 그 열처리방법으로 구성되어 있다.
본 발명에 의하여 오믹전극을 실시하면 종래의 방법에 비하여 오믹전극을 용이하게 형성할 수 있고, 오믹접촉전극의 접촉저항값을 낮출 수 있어 소자의 전기적 특성을개선할 수 있는 장점을 가진다.
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