Abstract:
본 발명은 이동통신 및 위성통신용 고주파 수동소자의 한 종류로서, 고온초전도 에피박막을 이용하여 개발한 고주파용(-10㎓) 고온초전도 3극 대역통과 여파기(YBa 2 Cu 3 O 7-x /LaAlO 3 /Au구조)에 관한 것으로, 소자의 회로패턴을 제작하기에 앞서 시뮬레이터(模擬實驗)으로 최적회로패턴을 설계하며, 고온 초전도 박막의 습식식각에 의한 초전도성의 열화를 최소화하기 위해, 펄스레이저증착(pulsed laser deposition 또는 laser ablation)법을 응용한 금속마스크 형상화공정(laser ablation aided mask-patterning process)으로 유전체 단결정 LaAlO 3 기판(8) 위에 최적설계된 여파기 회로패턴을 직접형상화한후, 자체제작한 고주파 하우징(microwave housing 또는 jig)를 이용하여 이 소자의 고주파 특성을 측정함으로써 고온초전도체의 고주파 응용가능성을 타진하고 기존의 금속제(금,구리 ) 고주파수소자보다 성능이 우수한가를 살펴보았는바, 실제로 고온초전도체의 임계온도 이하에서는 금속박막형 소자보다 훨씬 우수한 고주파 특성을 보여 주었다.
Abstract:
고감도이며 고밀도의 자기바이오센서로 사용할 수 있는 다양한 형태의 구조를 갖는 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 제시한다. 제시된 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자는 인가전류방향에 수직으로 교차되는 수직방향의 출력전압을 측정할 수 있으므로, 기존의 인가전류방향에 평행한 방향의 출력전압을 측정하는 자기비드 감지소자에 비하여 고감도의 자기장변화를 측정할 수 있다. 그로 인해, 신호잡음비가 높은 자기비드 자기장 감지소자가 가능하다. 또한, 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자는 수직방향의 전압을 측정하기 때문에 자기장을 외부에서 인가함이 없이 인가전류에 의해 발생하는 인가전류 유도자기장에 의하여 자기비드를 자화시킬 수 있다. 이 자화필드는 수직전압에 민감하게 영향을 주기 때문에 외부인가 자기장이 불필요한 간편한 자기바이오센서를 구현할 수 있게 된다. 그에 따라, 본 발명의 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 이용하여 고밀도 및 고감도의 자기바이오센서의 제조가 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for early diagnosing Alzheimer's disease using a phototransistor is provided to enable early diagnosis of the disease and to quantitate cells or beta-amyloid proteins. CONSTITUTION: A method for early diagnosing Alzheimer's disease using a phototransistor comprises: a step of placing the phototransistor for sensing photocurrent difference according to the amount of incident light and a step of sensing photocurrent different according to cells fixed on the surface of a channel layer. The phototransistor comprises the channel layer. The cells have a protein biomarker causing Alzheimer's disease. The protein biomarker is labeled with magnetic particles(200) which are conjugated with multi-proteins. The protein biomarker is beta-amyloid protein(240).
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a thin film type absorbing layer, a method for manufacturing a thin film solar battery using the same, and a thin film solar battery are provided to form a light absorbing layer by a heat evaporation deposition method, thereby forming a CIGS(Cu-In-Ga-Se) thin film type light absorbing layer with high quality. CONSTITUTION: An evaporation source of a chamber is charged by CIGS crystalline powder(S10). The CIGS crystalline powder has the diameter of 10 nano meters ~ 2 micro meters. The CIGS crystalline powder is simultaneously evaporated(S20). The evaporated CIGS crystalline powder is evaporate on the substrate to form a thin CIGS film(S30). A selenization process is performed to enhance the features of the thin CIGS film(S40).
Abstract:
고감도이며 고밀도의 자기바이오센서로 사용할 수 있는 다양한 형태의 구조를 갖는 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 제조하는 방법을 제시한다. 제시된 방법은 인가전류방향에 수직으로 교차되는 수직방향의 출력전압을 측정하는 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 제작할 수 있게 된다. 이와 같이 제작된 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자는 기존의 인가전류방향에 평행한 방향의 출력전압을 측정하는 자기비드 감지소자에 비하여 고감도의 자기장변화를 측정할 수 있기 때문에, 신호잡음비가 높은 자기비드 자기장 감지소자가 가능하다. 또한, 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자는 수직방향의 전압을 측정하기 때문에 자기장을 외부에서 인가함이 없이 인가전류에 의해 발생하는 인가전류 유도자기장에 의하여 자기비드를 자화시킬 수 있다. 이 자화필드는 수직전압에 민감하게 영향을 주기 때문에 외부인가 자기장이 불필요한 간편한 자기바이오센서를 구현할 수 있게 된다. 그에 따라, 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 이용하여 고밀도 및 고감도의 자기바이오센서의 제조가 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic bead sensing array device of cross form which is able to measure vertical output voltage is provided. CONSTITUTION: A method for manufacturing a magnetic bead sensing array comprises: a step of preparing a substrate(1); a forming plural magnetic resistance devices by depositing and etching thin film; a forming an electrode pad(26a, 26b,26c) connected to the plural resistance devices on the upper surface of the substrate; a step of forming a protection layer(30) which covers the plural magnetic resistance devices and electrode pad; a forming a bio molecule fixing layer(33) for fixing biomolecule on the upper surface of the protection layer; and a step of forming a magnetic bead container layer for locking electrode bead analyzing solution.
Abstract:
고밀도의 자기바이오센서로 사용할 수 있는 다양한 형태의 구조를 갖는 자기장 감지소자를 개시한다. 개시된 본 발명은 자기 비드를 감지하기 위한 박막을 이용한 자기장 감지소자로서, 기판; 기판의 상면에 형성되되, 박막을 이용하여 링 형상으로 형성된 자기저항소자; 기판의 상면에서 자기저항소자와 연결된 전극; 자기저항소자 및 전극의 상부에 배치된 보호층; 및 보호층의 상면에서 전극의 일부 및 자기저항소자의 전체를 둘러싼 자기 비드 제한층을 포함한다.
Abstract:
본 발명은 대물렌즈의 광축 방향으로 액츄에이터를 움직이게 하는 포커싱 코일을 구비하는 포커싱 자기회로부; 디스크의 레디얼 방향으로 액츄에이터를 움직이게 하는 트래킹 코일을 구비하는 트래킹 자기회로부; 상기 포커싱 자기회로부, 트래킹 자기회로부 및 대물렌즈 홀더를 구비하는 보빈; 및 상기 보빈의 일부를 베이스에 지지하기 위한 적어도 하나의 서스펜션을 구비하되, 상기 포커싱 자기회로부와 상기 트래킹 자기회로부는 상기 보빈을 중심으로 좌우로 독립하여 분리된 구조인 광픽업 액츄에이터를 제공한다. 본 발명의 광픽업 액츄에이터는 휴대용 초소형 광 디스크 드라이브의 핵심 부품으로 응용될 수 있다. 휴대용 전자기기에 광 디스크 드라이브가 사용되기 위해서는 적절한 기록 용량을 가지면서 크기가 작고 두께가 얇아야 한다. 광픽업 액츄에이터, 광 디스크, 대물렌즈, 트래킹, 포커싱
Abstract:
PURPOSE: A super high frequency modulation laser beam generator having a double annular resonator structure is provided to widen a range of modulation frequency of laser ray source by changing a polarization and a wavelength of specific modes of laser ray. CONSTITUTION: A first annular optic fiber laser(50) resonator has a length different from a second annular optic fiber laser resonator(60). An optic fiber coupler(70) couples the first annular optic fiber laser resonator with the second annular optic fiber laser resonator to oscillate double laser modes, so that a beat phenomenon between double laser modes is induced. Each of the first and second annular optic fiber laser resonators has a polarization regulator for modulating a frequency of output rays. The first annular optic fiber laser resonator comprises an optic fiber(51) for amplifying rays, a dispersal compensating fiber(52) for a non-linear polarization effect, an optic direction regulator(53) and a polarization regulator(54). The second annular optic fiber laser resonator comprises a dispersal compensating fiber(62) and a polarization regulator(61).
Abstract:
본 발명은 입방정 YBa 2 Cu 3 Ox 박막을 장벽층으로 사용하여 초전도 접합을 형성하였다. 본 발명은 기판상에 제 1 YBCO 초전도 박막, SrTiO 3 절연층 박막을 형성하고 그들의 일측을 경사형으로 식각한 다음, 전면에 비초전도 입방정 YBCO 장벽박막, 제 2 YBCO 초전도 박막, SrTiO 3 보호층 박막을 차례로 적층하고, 이들을 제 1 YBCO 초전도 박막, SrTiO 3 절연층 박막의 식각된 부분의 반대측을 경사식각하고 상기 제 1 YBCO 초전도 박막, 제 2 YBCO 초전도 박막을 노출시키는 개구를 형성한 후, 상기 개구에 금속전극을 형성하여 초전도 접합을 제조하며, 이때 입방정 구조의 YBa 2 Cu 3 Ox 장벽 박막을, 600-650℃의 온도와 6.5-12.2nm/s의 증착속도로 증착하였다.