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公开(公告)号：KR1019970053295A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050521
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 웨이퍼 측면파지를 위한 구동기구에 관한 것으로 종래의 웨이퍼 이송장치는 장비내에서 웨이퍼를 공정모듈에 이송할 때, 삼발이, 공압구동기 및 벨로우즈 등의 복잡한 부설장치가 공정모듈에 필요하게 되어, 진공배기 속도, 공정안정도 및 공정균일도가 나빠지게 되며 또한 웨이퍼 측면파지형 집게의 구조는 위와 같은 문제점을 개선하기는 하지만, 집게손가락이 웨이퍼를 잡을 때 각 집게손가락에 개별적으로 작동되는 인장스프링에 의한 탄성력에만 의존하여 개별적으로 작용하므로, 집게의 좌우방향에 대한 각도의 균형 및 강성이 작다는 문제점이 있어 웨이퍼의 파지가 실패할 우려가 있었으나 본 발명은 집게를 구동하는 두 회전축의 풀리(pulley) 주위에 인장강성이 높은 연동용 스틸 벨트(steel belt)를 8자 형태로 감아 개의 집게손가락의 회전운동이 연동되도록 하여 웨이퍼를 보다 안정하게 파지할 수 있고, 또한 집게의 측면방향에 대한 강성을 부여함으로써 웨이퍼의 이송속도를 증가시킬 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송용 집게(end effector)의 구동기구에 관한 것임.
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公开(公告)号：KR1019970023838A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950038771
申请日：1995-10-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 자연산화막 제거를 수반한 저유전율 SiOxFy박막형성 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 저유전율 SiOxFy박막형성장치는 마이크로 웨이브 공급부, 플라즈마 발생부, 반응부, 웨이퍼 이송부, 및 제어부를 포함하며, 본 발명의 저유전율 SiOxFy박막형성방법은 전기한 SiOxFy박막형성장치를 사용하여, SiF
4 /O
2 /Ar의 혼합가스의 플라즈마를 실리콘 웨이퍼 상에 반응시켜 실리콘 웨이퍼에 형성된 40내지 50Å의 자연산화막 중 30내지 40Å의 준산화막영역을 식각하는 공정; 및, 전기한 식각공정에서 사용된 혼합가스와 동일한 SiF
4 /O
2 /Ar혼합가스의 플라즈마를 전기 공정에서 식각이 이루어진 실리콘 웨이퍼 상에 반응시켜 실리콘 계면에서 6 내지 10Å 이내의 단층에 위치한 Si
+1 와 Si
+2 활성종과 기상 F원자 및 O원자의 반응에 의해 SiOxFy박막을 증착시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 박막형성공정 및 박막형성장치틀 사용할 경우 자연산화막의 식각공정과 SiOxFy박막의 증착공정을 동일한 반응실 내에서 순차적으로 수행하여 단시간에 경제적으로 고품질의 저유전율 SiOxFy 박막을 형성할 수 있다는 것이 확인되었다.-
公开(公告)号：KR1019960026526A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940032936
申请日：1994-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼 운송장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 연직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019950011166B1
公开(公告)日：1995-09-28
申请号：KR1019920020982
申请日：1992-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 장원익
IPC: G03F7/20
Abstract: The device improves the trapezoidal, magnification, and rotational error by the position control of X,Y,Z direction, and minimizes the error between exposure circuit pattern(7) and ideal circuit pattern(6). The device includes the X,Y direction drivers(8,9) which are driven by X,Y directional motors(18,19), the X,Y,Z direction drivers(10) which are driven by the piezo electronic device(23), the X,Y direction air bearings(12,15) placed in the X,Y direction drivers(8,9), and the reduces the error of magnification, trapezoidal, rotation error by position control.
Abstract translation: 该装置通过X，Y，Z方向的位置控制来改善梯形，放大率和旋转误差，并将曝光电路图案（7）和理想电路图案（6）之间的误差最小化。 该装置包括由X，Y定向马达（18,19）驱动的X，Y方向驱动器（8,9），由压电电子装置（23）驱动的X，Y，Z方向驱动器 ），X，Y方向空气轴承（12,15）放置在X，Y方向驱动器（8,9）中，并通过位置控制减小了放大误差，梯形，旋转误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920008039B1
公开(公告)日：1992-09-21
申请号：KR1019900007233
申请日：1990-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: Rapid thermal processing (RTP) apparatus for safely exhausting the product generated from the manufacturing process and maintaining the vacuum state to clean the substrate include: a vacuum pump (15) for maintaining the low pressure state and for exchanging the environment gas of reaction furnace (1); a vacuum valve (11); a main vacuum tube (13); a throtle valve (8); a vacuum exhaust system having an exhaust pipe (14) and a main exhaust pipe (30) in the case of power stoppaging; a pressure control system having the vacuum system I, II (6,17) and pressure indicator A,B (7,18) and throtle valve controler (9). The RTP is useful for semiconductor manufacturing process.
Abstract translation: 用于安全地排出由制造过程产生的产品并保持真空状态以清洁基板的快速热处理（RTP）装置包括：用于维持低压状态和更换反应炉的环境气体的真空泵（15） 1）; 真空阀（11）; 主真空管（13）; 阀门（8）; 在动力停止的情况下具有排气管（14）和主排气管（30）的真空排气系统; 具有真空系统I，II（6,17）和压力指示器A，B（7,18）和阀门控制器（9）的压力控制系统。 RTP可用于半导体制造过程。
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公开(公告)号：KR1019900006260B1
公开(公告)日：1990-08-27
申请号：KR1019870015004
申请日：1987-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/223
Abstract: The vacuum system of low pressure CVD apparatus for forming a polysilicon thin film, comprises: a vibration absorber (3) for relaxing a misalignment in piping, and preventing a leakage by thermal expansion; a trap (5) for relaxing an abrupt variation of pressure and filtering a generating dust in the main exhaust pipe; a throttle valve (7) controlling an opening area of the pipe to maintain a predermined processing pressure; a soft-start exhaust pipeline (11) for reducing an effective pumping speed upon initial pumping operation; an oil filtration system (16), an N2 ballast system (14) and an oil demist filter (15); and a power failure pipeline for exhausting a toxic and explosive gas.
Abstract translation: 用于形成多晶硅薄膜的低压CVD装置的真空系统包括：用于放松管道中的未对准的减振器（3），并防止热膨胀的泄漏; 用于放松压力突然变化并过滤主排气管中产生的灰尘的阱（5）; 节流阀（7），其控制管道的开口面积以保持预处理压力; 用于在初始泵送操作时降低有效泵送速度的软启动排气管道（11） 油过滤系统（16），N2镇流器系统（14）和除油过滤器（15）; 以及用于排放有毒和爆炸性气体的断电管道。
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公开(公告)号：KR1019900006259B1
公开(公告)日：1990-08-27
申请号：KR1019870014926
申请日：1987-12-24
Abstract: The vacuum system of photo CVD apparatus for forming a silicon insulating thin film, comprises: a vibration absorber (18) for relaxing a misalignment in piping, and absorbing a vibration generated by a vacuum pump (1); an U type pipe (19) for enlarging an effective pumping speed to reduce the pumping speed; a trap (21) for relaxing an abrupt variation of pressure and filtering a generating dust in the main exhaust pipe; an oil filter (17) for preventing a sub-generating and unreacting gas and oil from being dispersed; an oil filtration system (8) for preventing the oil from being contaminated; and a pressure controlling means for opening and shutting a throttle valve.
Abstract translation: 用于形成硅绝缘薄膜的光CVD装置的真空系统包括：用于放松管道中的未对准并吸收由真空泵（1）产生的振动的减振器（18）。 用于增加有效泵送速度以降低泵送速度的U型管道（19）; 用于放松压力的突然变化并过滤主排气管中的产生灰尘的阱（21）; 用于防止副产物和不起反应的气体和油分散的油过滤器（17）; 油过滤系统（8），用于防止油被污染; 以及用于打开和关闭节流阀的压力控制装置。
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