Abstract:
본 발명은 플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 탄소불순물 생성 진단방법 및 진단장치에 관한 것으로, 플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 해당 유기금속 전구체의 탄소불순물의 기준 분광 데이터를 컴퓨터에 저장하는 단계(S1000), 반응로 내에 형성된 플라즈마로 기화된 유기금속 전구체를 주입하여 분해하는 단계(S2000), 상기 플라즈마 및 해리된 상기 유기금속 전구체의 당해 분자들의 분광 데이터를 검출하고 상기 컴퓨터에 전송하는 단계(S3000), 상기 검출된 당해 분광 데이터를 상기 기준 분광 데이터와 비교하여 상기 탄소불순물의 생성 여부를 판단하는 단계(S4000) 및 상기 탄소불순물의 생성 판단에 따라 알람음향을 방출하는 단계(S4000);를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 때 상기 기준 분광 데이터는, 상기 탄소불순물이 증착된 박막으로 함입될 수 있는 탄소불순물의 크기, 상기 박막과의 화학반응 및 불완전한 분자구조를 기초로 설정되는 것이 바람직하다. 또한 분광 데이터의 검출을 위해 반응로에 광학 방출 분광기가 연결되는 진단장치 구조가 바람직하다. 탄소불순물, 전구체, 함입억제, 박막, 웨이퍼, 유기금속화학증착, 플라즈마
Abstract:
본 발명은 플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치에 관한 것으로, 전자밀도의 변화가 있는 플라즈마가 내포된 챔버와, 상기 챔버 내에 일측이 실장되어 전자파를 방사 및 수신하기 위한 안테나 구조로서 각 도파관 및 송/수신안테나가 구비되는 주파수 탐침기와, 상기 주파수 탐침기의 각 도파관에 전기적으로 연결되어 방사할 전자파를 송출하는 전자파 발생기 및 수신된 전자파의 주파수를 스캔하여 진폭과 대비시켜 분석하는 주파수 분석기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 때 상기 주파수 탐침기가 챔버 내에서 이송되며 전자밀도의 공간분포를 검지할 수 있도록 주파수 탐침기의 후방에는 유압실린더 구조의 이송부가 결합됨이 바람직하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for diagnosing generation of a carbon impurity for a plasma metal organic chemical vapor deposition process is provided to minimize subsidence of a carbon impurity by controlling the carbon impurity subsided to a thin film such that the carbon impurity is generated by an excessive analysis of a precursor. CONSTITUTION: The reference spectrum data of a carbon impurity of a corresponding metal organic precursor for a plasma metal organic chemical vapor deposition process is stored in a computer(S1000). A vaporized metal organic precursor is injected to the plasma formed in a reaction furnace so as to be analyzed(S2000). The spectrum data of corresponding molecules of the plasma and the dissociated metal organic precursor is detected and transferred to the computer(S3000). The detected spectrum data is compared with the reference spectrum data to determine whether the carbon impurity is generated(S4000). An alarm sound is outputted according to the determination of the generation of the carbon impurity(S5000).
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for measuring and monitoring plasma electron density is provided to improve reliability of a plasma etching operation by measuring plasma electron densities using characteristic frequencies for each of the electron densities. CONSTITUTION: An apparatus for measuring and monitoring plasma electron density includes a chamber(100), an electromagnetic wave transceiver, an electromagnetic wave generator(300), a frequency analyzer(400), and a computer(600). The chamber contains plasma(2000) having varying electron density. The electromagnetic wave transceiver is implemented on one side of the chamber to correlate the density of the plasma to the frequency of the emitted electromagnetic wave. The electromagnetic wave generator is electrically coupled with the electromagnetic wave transceiver to repeatedly emit electromagnetic waves having a predetermined bandwidth. The frequency analyzer scans the electromagnetic wave received at the electromagnetic wave transceiver. The computer calculates the correlation between the frequency of the emitted electromagnetic wave and the electron density.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for producing a variable ratio of thickness of a thin film and monitoring a processing condition is provided to calculate the variable ratio of the thickness of the thin film and monitoring the processing condition in a deposition process and an etch process of a thin film by using interference of light. CONSTITUTION: A light receiving portion(100) is formed with a capillary(110) and an optical fiber(120). The capillary(110) is installed on an outer wall of an optical window(11) of a chamber(10). The optical fiber(120) is connected with the capillary(110). At this time, one capillary(110) receives light reflected from one point of a substrate(30) or a thin film(40). An analysis portion(200) is formed with a spectral apparatus(210) such as a monochrometer or a filter, a photoelectric conversion portion(220) such as a photo diode or a photo tube, and an operating apparatus(230) such as a personal computer. The spectral apparatus(210) is connected with one end portion of the optical fiber(120) of the light receiving portion(100). The photoelectric conversion portion(220) is connected with the spectral apparatus(210). The operating apparatus(230) is used for calculating a variable ratio of thickness of the thin film(40).
Abstract:
PURPOSE: A gas flow rate distribution anemometer is provided, which obtains a flow rate distribution at a scanned plane as scanning vertically to a direction of the flow rate by extending a sensor arrangement and visualizes it. CONSTITUTION: According to an apparatus for measuring a flow rate distribution of a gas, metal lines(11) are arranged serially, and a current line(12a,12b) is connected to both ends of the above metal line and flows a current to the metal lines. And lead lines(13) are connected to the above metal lines with a constant gap. The anemometer measures a spatial flow rate distribution by detecting a voltage difference between adjacent lead lines as flowing a constant current to the metal line through the above current line.
Abstract:
본 발명은 유도 가열 그래핀 형성 장치 및 유도 가열 그래핀 형성 방법을 제공한다. 이 유도 가열 그래핀 형성 장치는 유전체 튜브, 상기 유전체 튜브의 주위에 배치된 유도 가열 코일, 상기 유도 가열 코일에 교류 전력을 제공하는 교류 전원, 상기 유도 가열 코일에 의하여 유도 가열되고 상기 유전체 튜브 내에 배치된 가열 블록, 및 상기 유도 가열 코일에 의하여 가열되어 액상으로 유지되고 상기 가열 블록 상에 배치된 금속 촉매를 포함한다. 상기 가열 블록에서 형성된 와류(eddy current)는 폐루프(closed loop)를 형성하고, 상기 유전체 튜브 내에 제공되는 탄소함유가스는 상기 금속 촉매 상에 그래핀(graphene)을 형성한다.