플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 탄소불순물 생성진단방법 및 진단장치
    51.
    发明授权
    플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 탄소불순물 생성진단방법 및 진단장치 有权
    用于等离子体增强有机金属化学气相沉积工艺的碳杂质形成诊断方法及其诊断装置

    公开(公告)号:KR100542243B1

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:KR1020030055645

    申请日:2003-08-12

    Abstract: 본 발명은 플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 탄소불순물 생성 진단방법 및 진단장치에 관한 것으로, 플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 해당 유기금속 전구체의 탄소불순물의 기준 분광 데이터를 컴퓨터에 저장하는 단계(S1000), 반응로 내에 형성된 플라즈마로 기화된 유기금속 전구체를 주입하여 분해하는 단계(S2000), 상기 플라즈마 및 해리된 상기 유기금속 전구체의 당해 분자들의 분광 데이터를 검출하고 상기 컴퓨터에 전송하는 단계(S3000), 상기 검출된 당해 분광 데이터를 상기 기준 분광 데이터와 비교하여 상기 탄소불순물의 생성 여부를 판단하는 단계(S4000) 및 상기 탄소불순물의 생성 판단에 따라 알람음향을 방출하는 단계(S4000);를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 때 상기 기준 분광 데이터는, 상기 탄소불순물이 증착된 박막으로 함입될 수 있는 탄소불순물의 크기, 상기 박막과의 화학반응 및 불완전한 분자구조를 기초로 설정되는 것이 바람직하다. 또한 분광 데이터의 검출을 위해 반응로에 광학 방출 분광기가 연결되는 진단장치 구조가 바람직하다.
    탄소불순물, 전구체, 함입억제, 박막, 웨이퍼, 유기금속화학증착, 플라즈마

    플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치
    52.
    发明授权
    플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치 有权
    等离子体电子密度测量和监测装置

    公开(公告)号:KR100473794B1

    公开(公告)日:2005-03-14

    申请号:KR1020030050408

    申请日:2003-07-23

    CPC classification number: H01J37/32935 H05H1/0062

    Abstract: 본 발명은 플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치에 관한 것으로, 전자밀도의 변화가 있는 플라즈마가 내포된 챔버와, 상기 챔버 내에 일측이 실장되어 전자파를 방사 및 수신하기 위한 안테나 구조로서 각 도파관 및 송/수신안테나가 구비되는 주파수 탐침기와, 상기 주파수 탐침기의 각 도파관에 전기적으로 연결되어 방사할 전자파를 송출하는 전자파 발생기 및 수신된 전자파의 주파수를 스캔하여 진폭과 대비시켜 분석하는 주파수 분석기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 때 상기 주파수 탐침기가 챔버 내에서 이송되며 전자밀도의 공간분포를 검지할 수 있도록 주파수 탐침기의 후방에는 유압실린더 구조의 이송부가 결합됨이 바람직하다.

    플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 탄소불순물 생성진단방법 및 진단장치
    53.
    发明公开
    플라즈마 유기금속화학증착 공정을 위한 탄소불순물 생성진단방법 및 진단장치 有权
    用于诊断等离子体金属有机化学气相沉积过程碳生成的方法和装置,以最小化碳掺杂的替代

    公开(公告)号:KR1020050017988A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:KR1020030055645

    申请日:2003-08-12

    Abstract: PURPOSE: A method for diagnosing generation of a carbon impurity for a plasma metal organic chemical vapor deposition process is provided to minimize subsidence of a carbon impurity by controlling the carbon impurity subsided to a thin film such that the carbon impurity is generated by an excessive analysis of a precursor. CONSTITUTION: The reference spectrum data of a carbon impurity of a corresponding metal organic precursor for a plasma metal organic chemical vapor deposition process is stored in a computer(S1000). A vaporized metal organic precursor is injected to the plasma formed in a reaction furnace so as to be analyzed(S2000). The spectrum data of corresponding molecules of the plasma and the dissociated metal organic precursor is detected and transferred to the computer(S3000). The detected spectrum data is compared with the reference spectrum data to determine whether the carbon impurity is generated(S4000). An alarm sound is outputted according to the determination of the generation of the carbon impurity(S5000).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于诊断等离子体金属有机化学气相沉积工艺中碳杂质生成的方法,以通过控制碳杂质减少到薄膜来减少碳杂质的沉降,从而通过过度分析产生碳杂质 的前兆。 构成:用于等离子体金属有机化学气相沉积工艺的相应金属有机前体的碳杂质的参考光谱数据存储在计算机中(S1000)。 将蒸发的金属有机前体注入到在反应炉中形成的等离子体中以进行分析(S2000)。 检测等离子体和解离的金属有机前体的相应分子的光谱数据并传送到计算机(S3000)。 将检测到的光谱数据与参考光谱数据进行比较,以确定是否产生碳杂质(S4000)。 根据碳杂质的产生判定,输出报警声(S5000)。

    플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치
    54.
    发明公开
    플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치 有权
    用于测量和监测具有改善等离子体蚀刻操作的可靠性的等离子体电子密度的装置

    公开(公告)号:KR1020050011358A

    公开(公告)日:2005-01-29

    申请号:KR1020030050408

    申请日:2003-07-23

    CPC classification number: H01J37/32935 H05H1/0062

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring and monitoring plasma electron density is provided to improve reliability of a plasma etching operation by measuring plasma electron densities using characteristic frequencies for each of the electron densities. CONSTITUTION: An apparatus for measuring and monitoring plasma electron density includes a chamber(100), an electromagnetic wave transceiver, an electromagnetic wave generator(300), a frequency analyzer(400), and a computer(600). The chamber contains plasma(2000) having varying electron density. The electromagnetic wave transceiver is implemented on one side of the chamber to correlate the density of the plasma to the frequency of the emitted electromagnetic wave. The electromagnetic wave generator is electrically coupled with the electromagnetic wave transceiver to repeatedly emit electromagnetic waves having a predetermined bandwidth. The frequency analyzer scans the electromagnetic wave received at the electromagnetic wave transceiver. The computer calculates the correlation between the frequency of the emitted electromagnetic wave and the electron density.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于测量和监测等离子体电子密度的装置,以通过使用每个电子密度的特征频率来测量等离子体电子密度来提高等离子体蚀刻操作的可靠性。 构成:用于测量和监测等离子体电子密度的装置包括室(100),电磁波收发器,电磁波发生器(300),频率分析器(400)和计算机(600)。 该室包含具有不同电子密度的等离子体(2000)。 电磁波收发器在室的一侧上实现,以将等离子体的密度与发射的电磁波的频率相关联。 电磁波发生器与电磁波收发器电耦合以重复地发射具有预定带宽的电磁波。 频率分析仪扫描电磁波收发器接收到的电磁波。 计算机计算发射的电磁波的频率与电子密度之间的相关性。

    박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치
    55.
    发明公开
    박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치 无效
    用于生产薄膜厚度可变比率的装置和监测处理条件

    公开(公告)号:KR1020020077753A

    公开(公告)日:2002-10-14

    申请号:KR1020010017534

    申请日:2001-04-03

    Inventor: 김정형

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for producing a variable ratio of thickness of a thin film and monitoring a processing condition is provided to calculate the variable ratio of the thickness of the thin film and monitoring the processing condition in a deposition process and an etch process of a thin film by using interference of light. CONSTITUTION: A light receiving portion(100) is formed with a capillary(110) and an optical fiber(120). The capillary(110) is installed on an outer wall of an optical window(11) of a chamber(10). The optical fiber(120) is connected with the capillary(110). At this time, one capillary(110) receives light reflected from one point of a substrate(30) or a thin film(40). An analysis portion(200) is formed with a spectral apparatus(210) such as a monochrometer or a filter, a photoelectric conversion portion(220) such as a photo diode or a photo tube, and an operating apparatus(230) such as a personal computer. The spectral apparatus(210) is connected with one end portion of the optical fiber(120) of the light receiving portion(100). The photoelectric conversion portion(220) is connected with the spectral apparatus(210). The operating apparatus(230) is used for calculating a variable ratio of thickness of the thin film(40).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造薄膜厚度可变比率并监测处理条件的装置,以计算薄膜厚度的可变比率并监测沉积工艺中的处理条件和薄膜的蚀刻工艺 电影通过光线的干扰。 构成:光接收部分(100)由毛细管(110)和光纤(120)形成。 毛细管(110)安装在腔室(10)的光学窗口(11)的外壁上。 光纤(120)与毛细管(110)连接。 此时,一个毛细管(110)接收从基板(30)或薄膜(40)的一个点反射的光。 分析部分(200)由诸如单色仪或滤光器的光谱设备(210),诸如光电二极管或光电管的光电转换部分(220)和诸如 个人电脑。 光谱装置(210)与光接收部分(100)的光纤(120)的一个端部连接。 光电转换部(220)与光谱装置(210)连接。 操作装置(230)用于计算薄膜(40)的厚度的可变比率。

    기체의 유속분포 측정기
    56.
    发明公开
    기체의 유속분포 측정기 有权
    气体流量分布测量仪

    公开(公告)号:KR1020020075475A

    公开(公告)日:2002-10-05

    申请号:KR1020010015394

    申请日:2001-03-24

    CPC classification number: G01F1/698 G01F1/684

    Abstract: PURPOSE: A gas flow rate distribution anemometer is provided, which obtains a flow rate distribution at a scanned plane as scanning vertically to a direction of the flow rate by extending a sensor arrangement and visualizes it. CONSTITUTION: According to an apparatus for measuring a flow rate distribution of a gas, metal lines(11) are arranged serially, and a current line(12a,12b) is connected to both ends of the above metal line and flows a current to the metal lines. And lead lines(13) are connected to the above metal lines with a constant gap. The anemometer measures a spatial flow rate distribution by detecting a voltage difference between adjacent lead lines as flowing a constant current to the metal line through the above current line.

    Abstract translation: 目的:提供一种气体流量分布风速计,其通过延伸传感器装置并使其可视化而获得扫描平面上的流量分布,垂直扫描流量方向。 构成:根据用于测量气体的流量分布的装置,金属线(11)被串联布置,并且电流线(12a,12b)连接到上述金属线的两端,并将电流流向 金属线。 并且导线(13)以一定间隙连接到上述金属线。 风速计通过检测相邻引线之间的电压差来测量空间流量分布,使得通过上述电流线将恒定电流流向金属线。

    금속 기체 투과도 측정장치
    59.
    发明授权
    금속 기체 투과도 측정장치 有权
    用于金属的气体渗透性测量系统

    公开(公告)号:KR101567845B1

    公开(公告)日:2015-11-10

    申请号:KR1020140105022

    申请日:2014-08-13

    CPC classification number: G01N1/44 G01N15/08 G01N25/00

    Abstract: 본발명은기체투과도측정장치및 기체투과도측정방법을제공한다. 이기체투과도측정장치는중간에오리피스를가지는측정챔버; 상기측정챔버에연결되고판형의측정하고자하는금속시료를금속가스켓양면접속피팅으로결합한시료챔버; 상기금속시료의주위를감싸도록배치되고유전체로형성된보조챔버; 및상기보조챔버를감싸도록배치된유도가열코일을포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种透气性测定装置和透气性测定方法。 气体渗透性测量装置包括:测量室,其中部具有孔口; 与测量室连接并将要测量的板状金属试样与金属垫圈双面连接配件结合的试样室; 辅助室由电介质材料制成并设置成覆盖金属试样的周围; 以及设置成覆盖辅助室的感应加热线圈。

    유도 가열 그래핀 형성 장치 및 그래핀 형성 방법
    60.
    发明授权
    유도 가열 그래핀 형성 장치 및 그래핀 형성 방법 有权
    感应加热石墨烯成型装置和石墨烯成型方法

    公开(公告)号:KR101507383B1

    公开(公告)日:2015-03-31

    申请号:KR1020130117199

    申请日:2013-10-01

    CPC classification number: B01J19/087 B01J19/247 C01B32/184

    Abstract: 본 발명은 유도 가열 그래핀 형성 장치 및 유도 가열 그래핀 형성 방법을 제공한다. 이 유도 가열 그래핀 형성 장치는 유전체 튜브, 상기 유전체 튜브의 주위에 배치된 유도 가열 코일, 상기 유도 가열 코일에 교류 전력을 제공하는 교류 전원, 상기 유도 가열 코일에 의하여 유도 가열되고 상기 유전체 튜브 내에 배치된 가열 블록, 및 상기 유도 가열 코일에 의하여 가열되어 액상으로 유지되고 상기 가열 블록 상에 배치된 금속 촉매를 포함한다. 상기 가열 블록에서 형성된 와류(eddy current)는 폐루프(closed loop)를 형성하고, 상기 유전체 튜브 내에 제공되는 탄소함유가스는 상기 금속 촉매 상에 그래핀(graphene)을 형성한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种用于形成感应加热石墨烯的装置和方法。 用于形成感应加热石墨烯的装置包括介电管; 布置在电介质管周围的感应加热线圈; 向所述感应加热线圈提供交流电力的交流电源; 由感应加热线圈感应加热并布置在电介质管中的加热块; 以及由感应加热线圈加热而保持液相的金属催化剂,并配置在加热块上。 在加热块中形成的涡流形成闭环,并且设置在电介质管中的含碳气体在金属催化剂上形成石墨烯。

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