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公开(公告)号：KR1020090124693A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080051047
申请日：2008-05-30
Applicant: 홍익대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원 , 한국화학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/28185 , H01L29/66825
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing nano floating gate memory is provided to increase the charge trap or the interface trap by using additional electronic beam. CONSTITUTION: The semiconductor substrate(110) is introduced inside the atomic layer deposition reactor. The aluminum atom and oxygen atom are supplied on the semiconductor substrate and the tunneling layer(120) is formed. The nickel source person and oxygen atom are supplied on the tunneling layer and the charge storage layer(130) is formed. The electronic beam is researched in the surface of the charge storage layer. The aluminum atom and oxygen atom are supplied on the charge storage layer and the control layer(140) is formed. The electronic beam is irradiated in the surface of the control layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米浮动栅极存储器的方法，通过使用附加的电子束来增加电荷陷阱或接口陷阱。 构成：将半导体衬底（110）引入原子层沉积反应器内部。 在半导体衬底上提供铝原子和氧原子，形成隧道层（120）。 镍源人和氧原子被提供在隧道层上，形成电荷存储层（130）。 在电荷存储层的表面研究电子束。 在电荷存储层上供给铝原子和氧原子，形成控制层（140）。 电子束照射在控制层的表面。
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公开(公告)号：KR1020090100583A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR1020080025858
申请日：2008-03-20
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F7/2204
Abstract: PURPOSE: A novel tin amino-alkoxide compound is provided to ensure high volatility and thermal stability and use as a precursor which produces a tin nano particle. CONSTITUTION: A tin amino-alkoxide compound is denoted by the chemical formula 1, Sn[O-A-NR1R2]2. In the chemical formula 1, A is linear or branched (C2-C10) alkylene which is substituted or non-substituted with a halogen. R1 and R2 are independently linear or branched (C1-C7) alkyl group which is substituted or non-substituted with halogen.
Abstract translation: 目的：提供新的锡氨基 - 醇盐化合物，以确保高挥发性和热稳定性，并用作产生锡纳米颗粒的前体。 构成：锡氨基 - 醇盐化合物由化学式1表示，Sn [O-A-NR1R2] 2表示。 在化学式1中，A是被卤素取代或未取代的直链或支链（C 2 -C 10）亚烷基。 R1和R2独立地为被卤素取代或未被取代的直链或支链（C1-C7）烷基。
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公开(公告)号：KR100860140B1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070042805
申请日：2007-05-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/30
CPC classification number: C07F7/30 , C01G17/00 , C01P2004/64 , C23C16/18 , C23C16/407
Abstract: A germanium compound is provided to show high volatility and thermo-stability, thereby being usefully used as a precursor material for preparing germanium nano-particles, germanium oxides, germanium chalcogenides and other material including germanium. A germanium amino-alkoxide compound is represented by a formula(1) and is prepared by reacting a germanium compound represented by a formula(2) of GeX2(dioxane) and an amino alkoxide alkali metal salt compound represented by a formula(3) of MOCR^1R^2(CH2)_mR^3R^4. In the formulae, each R1 and R2 is independently C1-7 linear or branched alkyl which may be substituted or unsubstituted with F; each R3 and R4 is independently H or C1-7 linear or branched alkyl which may be substituted or unsubstituted with F; X is Cl, Br or I; M is Li, Na or K; and m is an integer from 1 to 4.
Abstract translation: 提供锗化合物以显示高挥发性和热稳定性，从而有效地用作制备锗纳米颗粒，氧化锗，锗硫族化合物和包括锗的其它材料的前体材料。 锗烷氧基化合物由式（1）表示，通过GeX 2（二恶烷）的式（2）表示的锗化合物和式（3）表示的氨基醇盐碱金属盐化合物与式 MOCR ^ 1R ^ 2（CH 2）_mR ^ 3R ^ 4。 在该式中，R 1和R 2各自独立地为可以被F取代或未被取代的C 1-7直链或支链烷基; 每个R 3和R 4独立地是H或可以被F取代或未取代的C 1-7直链或支链烷基; X是Cl，Br或I; M为Li，Na或K; m为1〜4的整数。
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公开(公告)号：KR100824294B1
公开(公告)日：2008-04-22
申请号：KR1020060072741
申请日：2006-08-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 철 산화물 박막을 화학 증착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 기억 소자 중 하나인 ReRAM(Resistance Random Access Memory)용 철 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 제조된 철 산화물 박막이 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보여, 이를 ReRAM 소자에 적용할 경우 우수한 소자 특성을 나타낼 것으로 기대된다.
철 아미노알콕사이드, 철 선구물질, 철 산화물, 박막, MOCVD, ALD, ReRAM-
55.发明授权니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘박막의 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 제조 방법. 有权氧化镍薄膜的制备方法及使用其的非晶硅薄膜的结晶方法及使用该薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR100753997B1
公开(公告)日：2007-09-03
申请号：KR1020060012989
申请日：2006-02-10
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막 형성 방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것으로 특히, 옹스트롱 단위의 평균 두께를 갖는 니켈 산화물 박막을 낮은 온도에서 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성하여 비정질 실리콘 박막의 결정화 과정에서 비정질 실리콘 박막의 결정성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 니켈 산화물 박막을 이용하여 박막 트랜지스터의 비정질 실리콘 박막에 대한 결정화를 진행하며 드레인 영역과 비정질 실리콘 박막의 상면에 잔류하는 니켈 성분을 최소화하여 공정을 단축하고 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
니켈산화물 박막, 원자층 증착법, 비정질 실리콘 결정화, 박막트랜지스터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100704464B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020030012108
申请日：2003-02-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F1/08
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1과 화학식 2로 표시한 신규의 구리 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 구리 선구 물질은 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 반도체 소자의 배선용 구리 도선의 화학 증착에 유용하게 사용할 수 있다.
상기 식에서,
m은 1 내지 3의 정수이고, n은 2 내지 4의 정수이며, R 및 R'은 플루오르를 포함하 거나 포함하지 않는 C
1-4 의 알킬기이다.-
公开(公告)号：KR100695492B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050038683
申请日：2005-05-10
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 유기 용매에 단분산된 나노 크기의 은 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상세하게는 a) 유기용매에 용해된 덮개 리간드에 은염 또는 은염 수용액을 혼합시키는 단계; b) 환원제를 천천히 적가하는 단계; c) 극성유기용매에서 은 나노입자를 침전시키고, 분리하는 단계; d) 제조된 은 나노입자를 비극성 유기용매에서 분산시키는 단계; 를 특징으로 하는 단분산된 나노 은 콜로이드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 제조된 유기 용액에 분산된 은 나노 콜로이드는 넓은 산업범위에서 응용성을 가질 수 있다.
은, 콜로이드-
公开(公告)号：KR100666755B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020060006743
申请日：2006-01-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F15/02 , C07C215/10 , B82B3/00
CPC classification number: C07F15/02 , C01G49/02 , C01P2004/64 , C23C16/406
Abstract: Novel iron(III) amino-alkoxide compounds and a process for preparing thereof are provided to improve thermal stability and increase solubility in organic solvent, so that high quality of iron oxide thin film and nanoparticles are formed. The iron amino-alkoxide compounds represented by the formula(1): Fe[OCR'2(CH2)mNR2]3 are provided, wherein m is 1 to 3; and R and R' are each independently C1-C5 linear or branched alkyl with or without fluorine. The iron amino-alkoxide compounds are prepared by reacting iron(III) halogen compounds represented by the formula(2): FeX3 with amino alkoxide alkali metal salt compounds represented by the formula(3): MOCR'2(CH2)mNR2, wherein M is Li, Na or K. The iron oxide thin film and nanoparticles are formed by using the iron amino-alkoxide compounds as a precursor.
Abstract translation: 提供新的铁（III）氨基 - 醇盐化合物及其制备方法以改善热稳定性并增加在有机溶剂中的溶解度，从而形成高质量的氧化铁薄膜和纳米颗粒。 提供由式（1）表示的铁氨基醇盐化合物：Fe [OCR'2（CH2）mNR2] 3，其中m为1至3; 并且R和R'各自独立地为具有或不具有氟的C1-C5直链或支链烷基。 铁氨基醇盐化合物通过使由式（2）表示的铁（III）卤素化合物：FeX 3与由式（3）表示的氨基醇盐碱金属盐化合物：MOCR'2（CH2）mNR2反应制备，其中M 是Li，Na或K.通过使用铁氨基 - 醇盐化合物作为前体形成氧化铁薄膜和纳米颗粒。
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公开(公告)号：KR100592793B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040063129
申请日：2004-08-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV) [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), Hf(mp)
4 ]를 단일 선구 물질로 사용하여 금속 유기물 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 선구 물질은 기존의 Hf(O
t Bu)
4 (hafnium tetra-
tert -butoxide)와 견줄 때 증기압이 높아 MOCVD 공정에 적합하고 안정성이 더 뛰어나 보관과 사용에 유리하며 산소 원을 따로 공급하지 않고 이를 단독으로 사용하여 질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 제조하는 데에 유용하다.-
公开(公告)号：KR100591492B1
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020050013620
申请日：2005-02-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F15/00
Abstract: 본 발명은 백금 선구 물질인 하기 화학식 1로 표시되는 백금 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
[상기 식에서 m은 1 내지 3이고; R
1 내지 R
4 는 서로 독립적으로 불소를 치환하거나 치환하지 않는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.]
본 발명에 따른 백금 선구 물질은 상온에서 공기와 수분에 안정하며 낮은 온도에서 휘발되는 특징을 나타낸다.
백금 아미노 알콕사이드 화합물Abstract translation: 本发明涉及作为铂前体的下式（1）所示的铂氨基醇盐化合物及其制造方法。
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