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公开(公告)号：KR102226767B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190017882A
申请日：2019-02-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명은 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM의 제조 방법을 공개한다. 이 방법은 기판 상에 증착된 하부 전극층의 상부에 가변 저항막이 증착되는 단계; 및 상기 가변 저항막 상부에 상부 전극층이 증착되는 단계; 를 포함하고, 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어, 고 저항 상태를 수반하지 않고 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환됨에 따라 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 종래의 반복적인 증분 단계 펄스 프로그래밍 / 오류 검사 및 교정 알고리즘이 멀티비트 저항 스위칭 동작 동안 시간 소모적인 문제점을 극복하고, 높은 신뢰성과 에너지 고 효율적인 저항 스위칭 동작을 달성할 수 있는 에너지 고 효율적인 멀티비트 저항 스위칭 동작이 가능하게 된다.
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公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114A
申请日：2019-01-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 본 발명은 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리를 공개한다. 이 장치는 하부 전극층, 가변 저항막 및 상부 전극층의 적층을 포함하는 저항 스위칭 메모리에 있어서, 멀티 비트 동작 구간 동안 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어 저항 스위칭 메모리 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 상부 전극층이 부분적으로 산화되어, 저항 스위칭 메모리에서 요구되는 저항 스위칭 성능을 수행하기 위하여 필요한 양호한 산소 저장소 및 적절한 부하 저항 기능을 할 수 있게 된다.
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3.发明授权니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘박막의 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 제조 방법. 有权氧化镍薄膜的制备方法及使用其的非晶硅薄膜的结晶方法及使用该薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR100753997B1
公开(公告)日：2007-09-03
申请号：KR1020060012989
申请日：2006-02-10
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막 형성 방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것으로 특히, 옹스트롱 단위의 평균 두께를 갖는 니켈 산화물 박막을 낮은 온도에서 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성하여 비정질 실리콘 박막의 결정화 과정에서 비정질 실리콘 박막의 결정성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 니켈 산화물 박막을 이용하여 박막 트랜지스터의 비정질 실리콘 박막에 대한 결정화를 진행하며 드레인 영역과 비정질 실리콘 박막의 상면에 잔류하는 니켈 성분을 최소화하여 공정을 단축하고 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
니켈산화물 박막, 원자층 증착법, 비정질 실리콘 결정화, 박막트랜지스터-
4.发明公开니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘박막의 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 제조 방법. 有权镍氧化物薄膜的制备方法和使用其制造非晶硅薄膜的方法和使用该薄膜的薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020070081218A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：KR1020060012989
申请日：2006-02-10
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: A method for crystallizing an amorphous silicon thin film using a method for forming a nickel oxide thin film is provided to form a uniform thin film while adjusting the average thickness of a nickel oxide thin film to a scope of several to several tens of angstroms by using a nickel amino-alkoxide compound as a nickel supply source and by forming a nickel oxide thin film by an ALD method. A nickel supply source is supplied to the upper surface of an amorphous silicon thin film formed on a glass substrate to form a nickel deposition layer. An unreacted nickel supply source and reaction byproducts are removed from the amorphous silicon thin film. An oxygen supply source is supplied to the nickel deposition layer to form a nickel oxide thin film on the amorphous silicon thin film through an oxide reaction(S120). An unreacted oxygen supply source and reaction byproducts are eliminated from the nickel oxide thin film. Each one of the abovementioned processes can be performed in a cycle of 1~50.
Abstract translation: 提供一种使用氧化镍薄膜形成方法使非晶硅薄膜结晶的方法，以形成均匀的薄膜，同时通过使用将氧化镍薄膜的平均厚度调节至几到几十埃的范围 镍氨基醇盐化合物作为镍供应源，并通过ALD法形成氧化镍薄膜。 将镍供给源供给到形成在玻璃基板上的非晶硅薄膜的上表面，形成镍沉积层。 从非晶硅薄膜中除去未反应的镍源和反应副产物。 向镍沉积层供给氧供给源，通过氧化物反应在非晶硅薄膜上形成氧化镍薄膜（S120）。 从氧化镍薄膜中除去未反应的氧供应源和反应副产物。 上述处理中的每一个可以以1〜50的周期进行。
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公开(公告)号：WO2019225976A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/KR2019/006180
申请日：2019-05-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/455 , C09C3/06 , C09C1/44 , C09D11/037 , A61K8/19 , A61K8/26 , A61Q19/00
Abstract: 절연성, 분산성 및 저항성이 향상된 안료 입자, 이의 제조방법, 안료 입자를 포함하는 유기 잉크, 컬러 필터, 화장품 조성물, 블랙 매트릭스 등에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에서 제공되는 안료 입자는 알루미늄 산화물로 형성되는 코팅층이 존재함으로써 절연성이 우수할 뿐만 아니라, 상기 코팅층 위가 유기 아연화합물, 상기 화학식 1, 또는 화학식 2로 표시되는 화합물로 개질 됨에 따라 분산성과 저항성까지 우수한 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014178684A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003957
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F15/0046 , C23C16/18 , C23C16/40
Abstract: 본 발명은 화학식 1로 표시되는 루테늄 전구체에 관한 것으로, 상기 루테늄 전구체는 열적 안정성과 휘발성이 향상되고, 박막 증착 시 산소를 사용하지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 루테늄 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌前体，钌前体具有改善的热稳定性和挥发性，并且在沉积薄膜时不必使用氧，因此能够形成高分子量 优质钌薄膜。
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7.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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公开(公告)号：WO2012157894A3
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/KR2012/003687
申请日：2012-05-10
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023068629A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/KR2022/015345
申请日：2022-10-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C07F5/00
Abstract: 본 발명은 신규한 3족 금속 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용하는 박막의 제조방법 및 이를 채용하여 제조되는 박막에 관한 것으로, 상기 3족 금속 전구체는 고유전상수 및 열역학적 안정성을 가지고 우수한 증기압을 나타내어, 우수한 순도의 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023013949A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/KR2022/010925
申请日：2022-07-26
IPC: C07F15/00 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 루테늄 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 화학기상증착 또는 용액공정을 통하여 박막을 제조함에 있어, 열적 안정성과 휘발성이 개선되고, 낮은 온도에서 쉽게 양질의 루테늄 박막 또는 루테늄 산화물 박막을 제조할 수 있는 루테늄 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
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