Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 신규의 알콕사이드계 유기 리간드 물질 및 이들을 이용하여 제조된 하기 화학식 3으로 표시한 금속 착화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 금속 착화합물은 열안정성 및 휘발성이 우수하여 양질의 금속 및 금속 산화물 박막 제조시 선구 물질로서 매우 유용하다.
상기 식에서, R은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C 1 -C 4 알킬기 및 알콕시알킬기이고, R'는 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C 1 -C 4 알킬기, Si(CH 3 ) 3 또는 수소이고, R"는 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C 1 -C 4 알킬기이고, m 및 n은 각각 1 내지 3 범위의 수이고, M은 알칼리 토금속, 전이금속 및 란탄족 금속 중에서 선택된 금속원소이고, y는 2 내지 6 범위의 수이고, R 1 은 상기 화학식 1 또는 2에 나타낸 아미노알콜에서 하이드록시기가 배제된 잔기이다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시한, 전자 주개로 기능화한 아미노디올 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화 아미노디올 화합물은 금속과 결합하여 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
상기 식에서, n은 1 내지 4의 정수이고, R은 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬 기이고, R'은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬 기 또는 알킬실릴 기이다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시한, 전자 주개로 기능화한 아미노디올 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화 아미노디올 화합물은 금속과 결합하여 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
상기 식에서, n은 1 내지 4의 정수이고, R은 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬 기이고, R'은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬 기 또는 알킬실릴 기이다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 니켈의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있다.
상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 각각 독립적으로 C 1 -C 4 선형 또는 분지형 알킬기다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노알코올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노알코올 화합물은 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
상기 식에서, R 1 은 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기, 또는 Y(CH 2 ) m CH(R * )-(여기에서, Y는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알콕시기 또는 디(C 1 -C 4 알킬)아민이고, R * 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기이며, m은 1 내지 3의 정수이다) 이고, R 2 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기이며, R'는 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또 는 분지형 C 1 -C 4 알킬기 또는 알킬실릴기이다.
Abstract:
PURPOSE: An aminoalcohol compound, its preparation method, a metal complex prepared by using the compound, its preparation method and a method for growing a metal or metal oxide thin film by using the complex as a precursor are provided, to improve the thermal stability and volatility of a metal complex, thereby enhancing the quality of a thin film obtained by using the complex. CONSTITUTION: The aminoalcohol compound is represented by the formula 1 or 2, wherein Rs are independently an alkyl or alkoxyalkyl group of C1-C4 containing or not containing F; R' is an alkyl group of C1-C4 containing or not containing F, Si(CH3)3 or H; R''s are independently an alkyl group of C1-C4 containing or not containing F; and m and n are a number of 1-3. The metal complex is represented by M(OR)y, wherein M is a metal selected from the group consisting of an alkaline earth metal, a transition metal and a lanthanide metal; R is an alkyl or alkoxyalkyl group of C1-C4 containing or not containing F; and y is a number of 2-6.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노테트라올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노테트라올 화합물은 단일 금속 또는 이종 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 단일 금속 또는 이종 금속이나 단일 금속 산화물 또는 이종 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다. [화학식 1]
상기 식에서, n은 1 내지 4의 정수이고, R은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기 또는 알킬실릴기이다. 아미노테트라올 화합물, 전자주개
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 니켈의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있다.
상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 각각 독립적으로 C 1 -C 4 선형 또는 분지형 알킬기다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노테트라올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노테트라올 화합물은 단일 금속 또는 이종 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 단일 금속 또는 이종 금속이나 단일 금속 산화물 또는 이종 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다. [화학식 1]
상기 식에서, n은 1 내지 4의 정수이고, R은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기 또는 알킬실릴기이다. 아미노테트라올 화합물, 전자주개
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1과 화학식 2로 표시한 신규의 구리 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 구리 선구 물질은 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 반도체 소자의 배선용 구리 도선의 화학 증착에 유용하게 사용할 수 있다.
상기 식에서, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 2 내지 4의 정수이며, R 및 R'은 플루오르를 포함하 거나 포함하지 않는 C 1-4 의 알킬기이다.