신규의 팔라듐 아미노알콕사이드 화합물 및 이를 이용한팔라듐 나노 촉매의 제조
    51.
    发明公开
    신규의 팔라듐 아미노알콕사이드 화합물 및 이를 이용한팔라듐 나노 촉매의 제조 有权
    新型氨基甲酰胺氧化物复合物和使用其的纳米催化剂的制备

    公开(公告)号:KR1020050031706A

    公开(公告)日:2005-04-06

    申请号:KR1020030067950

    申请日:2003-09-30

    CPC classification number: B01J37/088 B01J23/44 B82Y30/00

    Abstract: Provided are a palladium aminoalkoxide compound in a solid state at room temperature and a process for preparation of palladium nano-catalyst using the same without external reduction agent to exhibit extremely high volatility and thermal stability and high catalytic activity in organic synthesis applications. The palladium(II) aminoalkoxide compound or hydrate thereof represented by following formula 1, wherein m is an integer of 1 to 3; R and R' include fluorine or not and are linear or branched alkyl groups having C1-C4. The compound is prepared reacting any one of bis(acetonitril)dihalogenated palladium(II) compound and alkali metal salt of aminoalkoxide, or halogenated palladium(II) compound and alkali metal salt of aminoalkoxide. The process for preparing palladium nano-particles comprises thermally decomposing the palladim(II) aminoalkoxide compound or hydrate thereof at 100 to 300 deg.C under an organic compound containing an electron donor element.

    Abstract translation: 提供在室温下为固态的钯氨基烷氧化物化合物和使用其而没有外部还原剂的钯纳米催化剂的制备方法,在有机合成应用中表现出非常高的挥发性和热稳定性以及高催化活性。 由下式1表示的其中m为1至3的整数的氨基醇化合物(II)或其水合物; R和R'包括不是氟,并且是具有C 1 -C 4的直链或支链烷基。 制备化合物,使二(乙腈)二卤化钯(II)化合物和氨基烷氧化物的碱金属盐或卤化钯(II)化合物和氨基烷氧化物的碱金属盐中的任何一种反应制备。 制备钯纳米颗粒的方法包括在含有电子给体元素的有机化合物下在100至300℃下热分解帕拉米德(II)氨基烷氧基化合物或其水合物。

    기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법
    52.
    发明公开
    기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법 失效
    在底物上形成羟基单体的方法制备仅含羟基放射性的硅氧烷膜

    公开(公告)号:KR1020050006516A

    公开(公告)日:2005-01-17

    申请号:KR1020030046357

    申请日:2003-07-09

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a hydroxyl monolayer on a substrate is provided to make a silicon wafer coated with only a hydroxide radical by making chlorine absorbed to the surface of the silicon wafer in a high vacuum atmosphere and by replacing the chlorine with the hydroxide radical while using water. CONSTITUTION: A halogen element of a gas state is absorbed to the surface of a substrate in a high vacuum atmosphere. Water is supplied to the surface of the substrate to which a halogen element is absorbed in a high vacuum atmosphere so that the halogen element is replaced with the hydroxide radical by reaction of water molecules and the halogen element to form a hydroxyl monolayer.

    Abstract translation: 目的:提供在基板上形成羟基单层的方法,以通过在高真空气氛中将氯吸收到硅晶片的表面并通过用氢氧根自由代替氯来制造仅具有氢氧根的硅晶片 同时使用水。 构成:气体状态的卤素元素在高真空气氛中被吸收到衬底的表面。 在高真空气氛中将水供给到卤素元素被吸收的基板的表面,使得卤素元素被水分子与卤素元素反应形成羟基单层,由氢氧根自由而代替。

    전이금속 칼코게나이드 층의 제조 방법
    56.
    发明授权
    전이금속 칼코게나이드 층의 제조 방법 有权
    生产过渡金属硫属元素化物层的方法

    公开(公告)号:KR101809251B1

    公开(公告)日:2017-12-14

    申请号:KR1020160153524

    申请日:2016-11-17

    Abstract: 본발명은다양한기판에고품질전이금속칼코게나이드층을직접합성할수 있으며, 대면적의전이금속칼코게나이드층을연속적으로대량합성할수 있는전이금속칼코게나이드층의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于高品质的过渡金属硫族化物层的制备和可以直接过渡合成金属硫属化物层,可以连续合成大量具有在各种基材上的大面积的过渡金属硫族化物层的。

    그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체
    58.
    发明授权
    그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체 有权
    石墨层压结构及其使用的石墨层压结构的制造方法

    公开(公告)号:KR101629697B1

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020140138458

    申请日:2014-10-14

    Abstract: 본발명은그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것으로, 보다상세하게는그래핀위에금속촉매를코팅하고, 코팅된금속촉매위에다시그래핀을형성하여, 그래핀의결함을보완하여투과도의감소없이전기전도도가향상된그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것이다.

    그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체
    59.
    发明公开
    그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체 有权
    石墨层压结构的制造方法及其使用的石墨层压结构

    公开(公告)号:KR1020160043797A

    公开(公告)日:2016-04-22

    申请号:KR1020140138458

    申请日:2014-10-14

    CPC classification number: C01B32/184 C01B32/186 C01B2204/04 C01B2204/22

    Abstract: 본발명은그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것으로, 보다상세하게는그래핀위에금속촉매를코팅하고, 코팅된금속촉매위에다시그래핀을형성하여, 그래핀의결함을보완하여투과도의감소없이전기전도도가향상된그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种叠层石墨烯结构体及其制备方法。 更具体地说,本发明涉及一种层叠石墨烯结构体的制备方法,其在石墨烯上涂覆金属催化剂并在涂覆的金属催化剂的顶部形成石墨烯; 和由其制备的层叠石墨烯结构。 堆叠的石墨烯结构补偿石墨烯的缺陷,并且具有改善的电导率而不会降低透光率。

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