公开(公告)号：DE102016114277A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102016114277

申请日：2016-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L25/075 ,  F21K9/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein lichtemittierendes Bauteil angegeben, mit – zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips erster Art (1), die dazu ausgebildet sind, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und – einer Lichtaustrittsfläche (200) an einer Lichtaustrittsseite (200a) des lichtemittierenden Bauteils, wobei – jeder der strahlungsemittierenden Halbleiterchips erster Art (1) eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer Stapelrichtung (R1) aufweist, – die Stapelrichtung (R1) eines jeden strahlungsemittierenden Halbleiterchips erster Art (1) parallel zur Lichtaustrittsfläche (200) des Bauteils verläuft, und – alle Halbleiterchips erster Art (1) direkt unterhalb der Lichtaustrittsfläche (200) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112016001544A5

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE112016001544

申请日：2016-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62

公开(公告)号：DE102016106571A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102016106571

申请日：2016-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/38 ,  F21S4/28 ,  G02B6/42 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein lichtemittierender Halbleiterchip angegeben, bei dem – eine erste Stromverteilungstruktur (31) und eine zweite Stromverteilungstruktur (32) von einer einem Substrat (1) abgewandten Seite eines Halbleiterkörpers (2) frei zugänglich sind, – der Halbleiterchip (10) an der dem Substrat (1) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (2) und an einer Bodenfläche (1b) des Substrats (1) frei von jeglicher Anschlussstelle ist, die zur elektrischen Kontaktierung der ersten und zweiten Stromverteilungstrukturen (31, 32) ausgebildet ist, – die erste Stromverteilungstruktur (31) zu einer ersten Seitenfläche (1c) einen kleineren Abstand aufweist, als die zweite Stromverteilungstruktur (32), und – die zweite Stromverteilungstruktur (32) zu einer zweiten Seitenfläche (1e) einen kleineren Abstand aufweist, als die erste Stromverteilungstruktur (32).

公开(公告)号：DE112015001351A5

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE112015001351

申请日：2015-03-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48

公开(公告)号：DE102015107588A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：DE102015107588

申请日：2015-05-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/50 ,  F21K2/00 ,  F21V9/16 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente umfasst einen Schritt A), in dem ein Träger (2) und eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) bereitgestellt werden, wobei jeder Halbleiterchip (1) Kontaktelemente (10, 11) zur elektrischen Kontaktierung aufweist, die auf einer Kontaktseite (12) des Halbleiterchips (1) angeordnet sind. In einem Schritt B) werden die Halbleiterchips (1) lateral nebeneinander auf dem Träger (2) aufgebracht, wobei beim Aufbringen die Kontaktseiten (12) dem Träger (2) zugewandt werden. In einem Schritt C) wird eine elektrisch leitende Schicht (4) auf zumindest Teilbereiche der nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten der Halbleiterchips (1) aufgebracht, wobei die elektrisch leitende Schicht (4) zusammenhängend ausgebildet ist. In einem Schritt D) wird eine Schutzschicht (7) auf zumindest Teilbereiche von quer zur Kontaktfläche (12) verlaufenden Seitenflächen (15) der Halbleiterchips (1) aufgebracht. In einem Schritt E) wird eine Konverterschicht (5) auf der elektrisch leitenden Schicht (4) elektrophoretisch abgeschieden. Die elektrisch leitende Schicht (4) wird in einem Schritt F) aus Bereichen zwischen der Konverterschicht (5) und den Halbleiterchips (1) entfernt.

公开(公告)号：DE112014005323A5

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE112014005323

申请日：2014-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  HAHN BERTHOLD ,  ENGL KARL ,  BAUR JOHANNES ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  PLÖSSL ANDREAS ,  KATZ SIMEON ,  ZINI LORENZO ,  MAUTE MARKUS ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE112014003593A5

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE112014003593

申请日：2014-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H05K1/18

公开(公告)号：DE102014208958A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE102014208958

申请日：2014-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit einer an einem elektrisch isolierenden Strukturelement angeordneten Montagefläche und einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Strahlungsfläche eines optoelektronischen Chips beschrieben. Das Strukturelement weist eine Aussparung auf, die das Strukturelement in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche vollständig durchdringt. In der Aussparung ist der Chip angeordnet. Zumindest eine senkrecht zur Montagefläche angeordnete Seitenfläche des Chips ist mit einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Seitenfläche der Aussparung mechanisch verbunden. Auf dem Strukturelement sind ein erster und ein zweiter elektrisch leitender Bereich angeordnet, die elektrisch voneinander isoliert sind. Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich sind jeweils an der Montagefläche sowie an senkrecht zur Montagefläche angeordneten und an die Montagefläche angrenzenden Kontaktflächen angeordnet und wobei der an der Montagefläche angeordnete Teil der elektrisch leitenden Bereiche Anschlusskontakte zur elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines Schaltungsträgers bildet und der an den Kontaktflächen angeordnete Teil elektrisch leitenden Bereiche den optoelektronischen Chips elektrisch kontaktieren.

公开(公告)号：DE112013006179A5

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE112013006179

申请日：2013-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  WEGLEITER WALTER ,  PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L33/62 ,  F21S8/10 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/48 ,  H05K3/32

公开(公告)号：DE102014102292A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102014102292

申请日：2014-02-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/60 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägers (1) mit zumindest einer Montagefläche (11), ein Erzeugen von zumindest zwei Durchkontaktierungen (4) in dem Träger (1) mit in den Durchkontaktierungen (4) verlaufenden elektrisch leitenden Kontakten (12, 13), ein Bereitstellen zumindest eines Licht emittierenden Halbleiterchips (2), wobei der Halbleiterchip (2) ein Aufwachssubstrat (10) und eine darauf epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (7) umfasst, ein Montieren des zumindest einen Halbleiterchips (2) auf die zumindest eine Montagefläche (11) des Trägers (1), wobei der Halbleiterchip (2) beim Montieren auf die Montagefläche (11) im selben Verfahrensschritt elektrisch leitend mit den Kontakten (12, 13) verbunden wird, ein Vereinzeln des Trägers (1) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei eine Vereinzelungslinie (V) durch zumindest eine der Durchkontaktierungen (4) verläuft, so dass nach dem Vereinzeln die Kontakte (12, 13) Kontaktflächen (5) an zumindest einer Seitenfläche (1a) des Trägers (1) bilden, wobei die Seitenfläche (1a) senkrecht zur Montagefläche (11) des Trägers (1) ist, und eine Montage des Trägers (1) mit den Kontaktflächen (5) auf einer Anschlussplatte (8), wobei die Montagefläche (11) senkrecht zu der Anschlussplatte (8) steht.