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公开(公告)号：CN103449351A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310176764.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/025 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C2203/0792 , H01L2224/13 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及混合集成部件及其制造方法，所述部件具有MEMS构件（10）、构件（10）的微机械结构（131）的罩（11）及ASIC衬底（20）。微机械结构（131）在SOI晶片（10）的功能层（13）中实现。构件（10）面朝下以功能层（13）装配在ASIC衬底（20）上并且罩在SOI晶片（10）的衬底中实现。衬底（20）包括两侧设有层结构的初始衬底（21）。在MEMS侧的层结构中及衬底（20）的背侧的层结构中实现电路层面（1，2，3，4）。在衬底（20）中构造有ASIC覆镀通孔（29），其从部件（100）背侧出发电接触背侧的层结构的电路层面（3）和/或MEMS侧的层结构的电路层面（1）。
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公开(公告)号：CN103373695A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210390963.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118
Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。
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公开(公告)号：CN102735228A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210090767.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 小山裕吾
IPC: G01C19/56 , G01C19/5783 , H01L23/13 , H01L23/31
CPC classification number: G01C19/5783 , B81B7/0074 , B81B2201/025 , G01C19/5621 , H01L23/055 , H01L23/3192 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够抑制检测特性的恶化并实现薄型化的传感器模块、传感器器件及其制造方法以及电子设备。传感器模块具有支撑部件、IC芯片、和具有连接电极的振动陀螺仪元件，支撑部件具有：第1平面；第2平面，其与第1平面垂直连接；第3平面，其与第1平面及第2平面垂直连接；以及第4平面，其与第1平面相对，并且作为安装到外部部件的安装面，第1平面具有从第1平面凹陷的支撑面，IC芯片在有源面侧具有连接端子，沿着有源面的无源面侧分别被安装到支撑部件的各个面上，振动陀螺仪元件被配置在IC芯片的有源面侧，并且以主面分别沿着支撑部件的各个面的方式，将连接电极安装到IC芯片的连接端子上。
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公开(公告)号：CN102183677A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110061470.5
申请日：2011-03-15
Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司
Inventor： 柳连俊
IPC: G01P15/125 , G01P3/44 , G01L1/14 , B81B3/00 , B81C1/00
CPC classification number: G01P15/02 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01C19/574 , G01C19/5769 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L29/84
Abstract: 一种集成惯性传感器与压力传感器及其形成方法，其中集成惯性传感器与压力传感器包括：第一衬底，第二衬底和第三衬底；位于第一衬底的第一表面的至少一层或者多层导电层；惯性传感器的可移动敏感元素，采用第一区域的第一衬底形成；所述第二衬底与第一衬底上的导电层的表面结合；所述第三衬底与第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧结合，且所述第三衬底和第二衬底位于所述可移动敏感元素的相对两侧；敏感薄膜至少包括第二区域的第一衬底、或者导电层中的一层。通过采用第一衬底形成惯性传感器的可动电极、采用第一衬底或者导电层形成压力传感器的敏感薄膜，形成的集成压力传感器和惯性传感器的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。
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公开(公告)号：CN1447093A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03101007.5
申请日：2003-01-06
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B2201/025 , B81B2207/095 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/038 , G01C19/5783 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , G01P2015/0828 , Y10T428/24322
Abstract: 本发明将提供以如下内容为特征的微惯性传感器，它包括：下玻璃基片；包括上述下玻璃基片上用来检测第一边缘和第一固定点以及侧面运动检测结构物在内的下硅层；包括分别对应于上述下硅层的第一边缘部、第一固定点及侧面运动检测结构物的第二边缘部、经内设金属线的通孔接合的第二固定点以及上述侧面运动检测结构物之间用来检测垂直方向电容量的第二检测用电极在内的上硅层；在上述上硅层和下硅层之间共熔的接合层；位于上述上硅层上部，并具有设置金属配线的通孔的上玻璃基片。此外，在本发明中提供了微惯性传感器制造方法，本发明的目的在于实现产品的小型化和工艺的简化上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109553059A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811114351.X
申请日：2018-09-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B3/0051 , B81B7/02 , B81B2201/025 , G01P15/08 , G01P15/0802 , G01P2015/0837 , G01P2015/0871 , B81B3/0021 , B81B2201/0228 , B81C1/00134 , G01D5/02
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器组件，包括质量，该质量至少沿z方向可偏移，其中，在所述质量上在沿z方向取向的侧面的至少一个上通过连接装置布置有弹动地构造的止挡装置。
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公开(公告)号：CN108423634A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810245251.4
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请提供了专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN104603945B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201380033342.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN106966355A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610919302.8
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B1/004 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81C1/00087 , B81C1/00309 , B81C2201/019 , G01L9/00 , B81B3/0032 , B81B7/0009 , B81C1/0015 , G01L9/12
Abstract: 微电子机械系统(MEMS)压力传感器包括第一衬底、第二衬底和感测结构。第二衬底基本平行于第一衬底。感测结构位于第一衬底和第二衬底之间，并且接合至第一衬底的部分和第二衬底的部分，其中，第一衬底和第二衬底之间的第一间隔与外侧连通，并且第二衬底和感测结构之间的第二间隔与外侧连通或隔离。本发明的实施例还涉及微电子机械系统压力传感器的制造方法。
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公开(公告)号：CN103663359B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310583569.0
申请日：2013-09-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2201/025 , B81C1/00182 , G01P15/124 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提出一种微电子构件和相应的制造方法。该微电子构件包括一半导体衬底(1；1a)，其具有正面(O)和背面(R)；一在所述衬底(1)的正面(O)上的可弹性偏转的质量装置(M)；至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的源区(10；10′)；至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的漏区(D1‑D4；D1′‑D10′)和一在所述源区(10，10′)和所述漏区(D1‑D4；D1′‑D10′)上面悬挂在一印制电路系统(LBA)上的栅区(20；20′)，所述栅区通过一间隙(100)与所述质量装置(M)间隔开。所述印制电路系统(LBA)这样地在所述衬底(1)的正面(O)上锚固在所述质量装置(M)的周边(P)上，使得在所述质量装置(M)偏转时所述栅区(20；20′)保持固定。
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