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    Method of manufacturing microelectromechanical system
    51.
    发明专利
    Method of manufacturing microelectromechanical system 审中-公开
    微电子系统的制造方法

    公开(公告)号：JP2011183547A

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：JP2011051735

    申请日：2011-03-09

    Applicant: Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives ,  コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

    Inventor： GAILLARD FREDERIC-XAVIER ,  NEMOUCHI FABRICE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0115

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of causing floating of a movable machine part in a microelectromechanical system.
    SOLUTION: This method is characterized by forming a porous zone on a front face of a first wafer of a semiconductor material. A pattern of the material suitable for constituting the movable machine part of the microelectromechanical system is formed on the front face of the first wafer covered in a sacrificial layer and positioned on a level of the porous zone. A layer being the material endurable against an attack by a solution for the sacrificial layer is also formed. The floating of the movable machine part is performed from a reverse surface of the first wafer, through the porous zone by help of the solution for the sacrificial layer.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供使可移动机器部件浮动在微机电系统中的制造方法。 解决方案：该方法的特征在于在半导体材料的第一晶片的正面上形成多孔区。 适用于构成微机电系统的可移动机器部件的材料的图案形成在覆盖在牺牲层中并位于多孔区域的水平面上的第一晶片的正面上。 还形成了能够抵抗牺牲层溶液侵袭的材料层。 借助于牺牲层的溶液，可移动机器部件的浮动从第一晶片的反面通过多孔区域进行。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Cavity structure formed in a method and soi substrate to form a cavity structure in Soi substrate
    54.
    发明专利
    Cavity structure formed in a method and soi substrate to form a cavity structure in Soi substrate 审中-公开

    公开(公告)号：JP2005504644A

    公开(公告)日：2005-02-17

    申请号：JP2003533331

    申请日：2002-09-27

    Applicant: ヴァルション テクニッリネン トゥトキムスケスクス

    Inventor： キーハメキ，ユルキ

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/762

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00412 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/76286

    Abstract: The present publication discloses a method for forming cavities in prefabricated silicon wafers comprising a first silicon layer ( 1 ), a second monocrystalline silicon layer, or a so-called structural layer ( 3 ), oriented substantially parallel with said first silicon layer ( 1 ) and an insulating layer ( 2 ) situated between said first and second layers ( 1, 3 ). According to the method, in at least one of the conducting silicon layers ( 1, 3 ) are fabricated windows ( 4 ) extending through the thickness of the layer, and cavities are etched in the insulating layer ( 2 ) by means of etchants passed to the layer via said fabricated windows ( 4 ). According to the invention, subsequent to the fabrication step of the windows ( 4 ) and prior to the etching step, a thin porous layer ( 5 ) is formed on the surface to be processed such that the etchants can be passed through said porous layer into said cavities ( 6 ) being etched and, after the cavities ( 6 ) are etched ready, at least one supplementary layer ( 7 ) is deposited in order to render to the material of said porous layer impermeable to gases.

    DETECTEUR THERMIQUE DE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE A STRUCTURE ALVEOLEE
    57.
    发明申请
    DETECTEUR THERMIQUE DE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE A STRUCTURE ALVEOLEE 审中-公开
    蜂窝结构电磁辐射热探测器

    公开(公告)号：WO2004097355A1

    公开(公告)日：2004-11-11

    申请号：PCT/FR2004/000942

    申请日：2004-04-16

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  YON, Jean-Jacques ,  OUVRIER-BUFFET, Jean-Louis ,  ASTIER, Astrid ,  VILAIN, Michel

    Inventor： YON, Jean-Jacques ,  OUVRIER-BUFFET, Jean-Louis ,  ASTIER, Astrid ,  VILAIN, Michel

    IPC: G01J5/10

    CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Une membrane (1) absorbante est fixée en suspension sur une face avant d'un substrat (2), sensiblement parallèlement au substrat (2), par au moins une structure alvéolée isolant thermiquement la membrane du substrat (2) et disposée dans un plan sensiblement perpendiculaire au substrat (2). Le détecteur peut comporter des bras (3) solidaires de la membrane (1) absorbante. Les structures alvéolées peuvent être disposées respectivement entre l'un des bras (3) et le substrat (2). La structure alvéolée peut être constituée par une pluralité de couches minces (6) superposées et séparées par des entretoises (7) ou par des rangées superposées d'arcades constituées par des couches minces. La structure alvéolée peut comporter un plot poreux.

    Abstract translation: 吸收膜（1）以基本平行的方式相对于所述基底（2）固定地悬挂在基底（2）的一个正面上，所述至少一个蜂窝结构使基底（2）的膜和 设置在相对于基板（2）基本上垂直的平面上。 检测器可以包括耦合到吸收膜（1）的臂（3）。 蜂窝结构可以分别设置在臂（3）中的一个和基板（2）之间。 蜂窝结构可以由多个薄的叠层（6）组成，它们通过横向构件（7）或由薄层组成的叠层叠层分隔开。 蜂窝结构可以包括多孔插塞元件。

    METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED ACCORDING TO THIS METHOD
    58.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED ACCORDING TO THIS METHOD 审中-公开
    方法的半导体元件和直线对制作的半导体部件

    公开(公告)号：WO02081363A3

    公开(公告)日：2003-02-20

    申请号：PCT/DE0200608

    申请日：2002-02-21

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

    Inventor： BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

    IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01F1/699

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

    Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component (100; ...; 700), particularly a multilayer semiconductor component, preferably a micromechanical component such as, in particular, a heat-conducting sensor, which has a semiconductor substrate (101), particularly made of silicon, and a sensor area (404). The aim of the invention is to economically produce a thermal insulation between the semiconductor substrate (101) and the sensor area (404). To this end, a porous layer (104; 501) is provided in the semiconductor component (100; ...; 700).

    Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE EIN NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT
    60.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE EIN NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    方法的半导体元件和直线对制作的半导体部件

    公开(公告)号：WO2002081363A2

    公开(公告)日：2002-10-17

    申请号：PCT/DE2002/000608

    申请日：2002-02-21

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

    Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 700), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Wärmeleitsensor, das ein Halbleitersubstrat (101), wie insbesondere aus Silizium, und einen Sensorbereich (404) aufweist. Zur kostengüngstigen Herstellung einer thermischen Isolierung zwischen dem Halbleitersubstrat (101) und dem Sensorbereich (404) wird erfindungsgemäss eine poröse Schicht (104; 501) in dem Halbleiterbauelement (100; ...; 700) vorgesehen.

    Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。

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