ANTI-STICTION TECHNIQUE FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND ELECTROMECHANICAL DEVICE EMPLOYING SAME
    51.
    发明申请
    ANTI-STICTION TECHNIQUE FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND ELECTROMECHANICAL DEVICE EMPLOYING SAME 审中-公开
    机电系统的防伪技术及其使用的电子设备

    公开(公告)号:WO2006115592A8

    公开(公告)日:2007-11-01

    申请号:PCT/US2006008600

    申请日:2006-03-10

    Abstract: A mechanical structure is disposed in a chamber, at least a portion of which is defined by the encapsulation structure. A first method provides a channel cap having at least one preform portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. A second method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion is fabricated apart from the electromechanical device and thereafter affixed to the electromechanical device. A third method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal an anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion may comprise a wire ball, a stud, metal foil or a solder preform. A device includes a substrate, an encapsulation structure and a mechanical structure. An anti-stiction layer is disposed on at least a portion of the mechanical structure. An anti-stiction channel is formed in at least one of the substrate and the encapsulation structure. A cap has at least one preform portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part.

    Abstract translation: 机械结构设置在室中,其至少一部分由封装结构限定。 第一种方法提供了一种通道盖,其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一个预制件部分,以密封抗静电通道。 第二种方法提供了通道盖,其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一部分,以密封抗静脉通道。 该至少一个部分与机电装置分开制造,然后固定在机电装置上。 第三种方法提供了通道盖,其具有至少部分地设置在抗静电通道上方或至少一部分中的至少一个部分,以密封抗静脉通道。 所述至少一个部分可以包括线球,螺柱,金属箔或焊料预制件。 一种器件包括衬底,封装结构和机械结构。 抗静电层设置在机械结构的至少一部分上。 在基板和封装结构中的至少一个中形成抗静电通道。 至少部分地,盖具有至少一个预制件部分设置在防静电通道的上方或其至少一部分中,以密封抗静电通道。

    CAPACITIVE ACCELERATION SENSOR
    52.
    发明申请
    CAPACITIVE ACCELERATION SENSOR 审中-公开
    电容加速传感器

    公开(公告)号:WO2004079373A1

    公开(公告)日:2004-09-16

    申请号:PCT/FI2004/000062

    申请日:2004-02-11

    Abstract: The invention relates to measuring devices used for the measuring of acceleration, and specifically to capacitive acceleration sensors. The capacitive acceleration sensor according to the present invention comprises a pair of electrodes composed of a movable electrode (4) and a stationary electrode (5), and, related to the pair of electrodes, an isolator protrusion having a special coating. The invention provides an improved, more durable sensor structure, which withstands wear caused by overload situations better than earlier structures.

    Abstract translation: 本发明涉及用于测量加速度的测量装置,具体涉及电容式加速度传感器。 根据本发明的电容式加速度传感器包括由可动电极(4)和固定电极(5)组成的一对电极,并且与该对电极相关联,具有特殊涂层的隔离突起。 本发明提供了一种改进的,更耐用的传感器结构,其能够承受比过去结构更好的过载情况下的磨损。

    A METHOD FOR MAKING A MICROMECHANICAL DEVICE BY REMOVING A SACRIFICIAL LAYER WITH MULTIPLE SEQUENTIAL ETCHANTS
    53.
    发明申请
    A METHOD FOR MAKING A MICROMECHANICAL DEVICE BY REMOVING A SACRIFICIAL LAYER WITH MULTIPLE SEQUENTIAL ETCHANTS 审中-公开
    一种通过多个顺序蚀刻去除真菌层制备微生物器件的方法

    公开(公告)号:WO02095800A3

    公开(公告)日:2003-02-13

    申请号:PCT/US0216224

    申请日:2002-05-22

    Abstract: An etching method, such as for forming a micromechanical device, is disclosed. One embodiment of the method is for releasing a micromechanical structure, comprising, providing a substrate (10); providing a sacrificial layer (20) directly or indirectly on the substrate; providing one or more micromechanical structural layers (30) on the sacrificial layer; performing a first etch to remove a portion of the sacrificial layer (20), the first etch comprising providing an etchant gas and energizing (42) the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of the sacrificial layer; performing a second etch to remove additional sacrificial material in the sacrificial layer, the second etch comprising providing a gas that chemically but not physically etches the additional sacrificial material.

    Abstract translation: 公开了一种诸如用于形成微机械装置的蚀刻方法。 该方法的一个实施例是用于释放微机械结构,包括提供衬底(10); 在衬底上直接或间接提供牺牲层(20); 在牺牲层上提供一个或多个微机械结构层(30); 执行第一蚀刻以去除牺牲层(20)的一部分,所述第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发(42)蚀刻剂气体,以便使蚀刻剂气体在物理或化学和物理上移除部分 的牺牲层; 执行第二蚀刻以去除牺牲层中的附加牺牲材料,第二蚀刻包括提供化学上但不物理蚀刻附加牺牲材料的气体。

    A METHOD FOR MAKING A MICROMECHANICAL DEVICE BY REMOVING A SACRIFICIAL LAYER WITH MULTIPLE SEQUENTIAL ETCHANTS
    54.
    发明申请
    A METHOD FOR MAKING A MICROMECHANICAL DEVICE BY REMOVING A SACRIFICIAL LAYER WITH MULTIPLE SEQUENTIAL ETCHANTS 审中-公开
    一种通过多个顺序蚀刻去除真菌层制备微生物器件的方法

    公开(公告)号:WO2002095800A2

    公开(公告)日:2002-11-28

    申请号:PCT/US2002/016224

    申请日:2002-05-22

    IPC: H01L

    Abstract: An etching method, such as for forming a micromechanical device, is disclosed. One embodiment of the method is for releasing a micromechanical structure, comprising, providing a sacrificial layer directly or indirectly on the substrate; providing one or more micromechanical structural layers on the sacrificial layer; performing a first etch to remove a portion of the sacrificial layer, the first etch comprising providing an etchant gas and energizing the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of the sacrificial layer; performing a second etch to remove additional sacrificial material in the sacrificial layer, the second etch comprising providing a gas that chemically but not physically etches the additional sacrificial material. Another embodiment of the method is for etching a silicon material on or within a substrate, comprising: performing a first etch to remove a portion of the silicon, the first etch comprising providing an etchant gas and energizing the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of silicon; performing a second etch to remove additional silicon, the second etch comprising providing an etchant gas that chemically but not physically etches the additional silicon.

    Abstract translation: 公开了一种诸如用于形成微机械装置的蚀刻方法。 该方法的一个实施例是用于释放微机械结构,其包括:在衬底上直接或间接提供牺牲层; 在所述牺牲层上提供一个或多个微机械结构层; 执行第一蚀刻以去除牺牲层的一部分,所述第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发蚀刻剂气体,以允许蚀刻剂气体在物理或化学和物理上去除牺牲层的该部分; 执行第二蚀刻以去除牺牲层中的附加牺牲材料,第二蚀刻包括提供化学上但不物理蚀刻附加牺牲材料的气体。 该方法的另一实施例是用于在衬底上或衬底内蚀刻硅材料,包括:执行第一蚀刻以去除硅的一部分,第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发蚀刻剂气体以允许蚀刻剂 物理或化学和物理的气体去除硅的部分; 执行第二蚀刻以去除附加的硅,第二蚀刻包括提供蚀刻剂气体,其化学地但不物理地蚀刻附加的硅。

    LOW-VOLTAGE MEMS SHUTTER ASSEMBLIES
    55.
    发明申请
    LOW-VOLTAGE MEMS SHUTTER ASSEMBLIES 审中-公开
    低压MEMS快门总成

    公开(公告)号:WO2014120444A1

    公开(公告)日:2014-08-07

    申请号:PCT/US2014/011660

    申请日:2014-01-15

    Abstract: This disclosure provides systems, methods and apparatus for providing relatively thinner and less stiff compliant beams for a shutter assembly. A protective coating is deposited and patterned over the shutter assembly before it is released from a sacrificial mold over which the shutter assembly is formed. Because some primary surfaces of the compliant beams are in contact with the sacrificial mold, these primary surfaces are not coated with the protective coating. Therefore, when the shutter assembly is finally released, the resulting compliant beams are relatively thinner and less stiff providing a reduction in an actuation voltage used to operate the shutter assembly. In some instances, the protective coating is patterned into discontinuous segments before release.

    Abstract translation: 本公开提供了用于为快门组件提供相对较薄且较不硬的柔性梁的系统,方法和装置。 在从快门组件形成的牺牲模具释放之前,将保护涂层沉积并在其上形成图案。 由于柔性梁的一些主表面与牺牲模具接触,所以这些主表面没有涂覆保护涂层。 因此,当快门组件最终被释放时,所产生的柔性梁相对较薄并且较不硬,从而降低用于操作闸板组件的致动电压。 在一些情况下,保护性涂层在释放之前被图案化成不连续段。

    ANTI-STICTION TECHNIQUE FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND ELECTROMECHANICAL DEVICE EMPLOYING SAME
    56.
    发明申请
    ANTI-STICTION TECHNIQUE FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND ELECTROMECHANICAL DEVICE EMPLOYING SAME 审中-公开
    机电系统的防伪技术及其使用的电化学装置

    公开(公告)号:WO2006115592A1

    公开(公告)日:2006-11-02

    申请号:PCT/US2006/008600

    申请日:2006-03-10

    Abstract: A mechanical structure is disposed in a chamber, at least a portion of which is defined by the encapsulation structure. A first method provides a channel cap having at least one preform portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. A second method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion is fabricated apart from the electromechanical device and thereafter affixed to the electromechanical device. A third method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal an anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion may comprise a wire ball, a stud, metal foil or a solder preform. A device includes a substrate, an encapsulation structure and a mechanical structure. An anti-stiction layer is disposed on at least a portion of the mechanical structure. An anti-stiction channel is formed in at least one of the substrate and the encapsulation structure. A cap has at least one preform portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part.

    Abstract translation: 机械结构设置在室中,其至少一部分由封装结构限定。 第一种方法提供了通道盖,其具有至少部分地设置在防静电通道的上方或至少一部分中的至少一个预成型件部分,以密封抗静电通道。 第二种方法提供了通道盖,其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一个部分,以密封抗静电通道。 该至少一个部分与机电装置分开制造,然后固定在机电装置上。 第三种方法提供了通道盖,其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一个部分,以密封抗静脉通道。 所述至少一个部分可以包括线球,螺柱,金属箔或焊料预制件。 一种器件包括衬底,封装结构和机械结构。 抗静电层设置在机械结构的至少一部分上。 在基板和封装结构中的至少一个中形成抗静电通道。 帽至少部分地具有设置在抗静电通道上方或至少一部分中的至少一个预制件部分,以密封抗静电通道。

    エレクトレットコンデンサーマイクロフォン
    57.
    发明申请
    エレクトレットコンデンサーマイクロフォン 审中-公开
    电容电容麦克风

    公开(公告)号:WO2005086533A1

    公开(公告)日:2005-09-15

    申请号:PCT/JP2005/001765

    申请日:2005-02-07

    Abstract:  エレクトレットコンデンサーは、上部電極となる導電膜118を有する固定膜110と、下部電極104及びエレクトレット膜となるシリコン酸化膜105を有する振動膜112と、固定膜110と振動膜112との間に設けられ且つエアギャップ109を有するシリコン酸化膜108とを備えている。固定膜110及び振動膜112のそれぞれにおけるエアギャップ109に露出している部分はシリコン窒化膜106及び114から構成されている。

    Abstract translation: 驻极体电容器包括具有用作上电极的导电膜(118)的固定膜(110),具有下电极(104)和氧化硅膜(105)用作驻极体膜的隔膜(112) 和位于固定膜(110)和隔膜(112)之间并具有气隙(109)的氧化硅膜(108)。 暴露于气隙(109)的固定膜(110)和隔膜(112)的部分分别由氮化硅膜(106,114)构成。

    STRUCTURE EMPILÉE, ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER
    58.
    发明申请
    STRUCTURE EMPILÉE, ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER 审中-公开
    堆积结构及其生产方法

    公开(公告)号:WO2005019094A1

    公开(公告)日:2005-03-03

    申请号:PCT/FR2004/001858

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: B81B3/001 B81C2201/112 H01L21/76251 H01L21/76256

    Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée. Ce procédé comprend les étapes suivantes : a) on prend une première plaque (1), par exemple en silicium, et une seconde plaque (5), par exemple elle aussi en silicium, telles qu'au moins une desdites première (1) et seconde (5) plaques présente, au moins en partie, une surface (2; 7) incompatible avec un collage sur l'autre plaque ; b) on réalise une couche sacrificielle (3; 8), par exemple en oxyde de silicium, sur une partie au moins de la surface (2) de la première plaque et/ou de la surface (7) de la seconde plaque (5), et c) on colle les deux plaques (1; 5) entre elles. Ladite incompatibilité au collage peut par exemple résulter de la nature physico-chimique de cette surface ou d'un revêtement appliqué sur cette surface, ou résulter d'une rugosité (r 2 , r 7 ) supérieure à un seuil prédéterminé. L'invention concerne également une structure empilée fabriquée au moyen d'un procédé selon l'invention.

    Abstract translation: 本发明涉及一种堆叠结构的制造方法。 本发明的方法包括以下步骤:a)使用例如由硅制成的第一板(1)和例如由硅制成的第二板(5),使得在 至少部分地,所述第一(1)和第二(5)板中的至少一个具有不能结合到另一个板的表面(2; 7) b)在第一板的表面(2)和/或第二板的表面(7)的至少一部分上提供例如由氧化硅制成的表面层(3; 8) (5); 和c)将两个板(1; 5)彼此粘合。 上述粘合不相容性例如可以由施加于其上的表面或涂层的物理化学性质或大于预定阈值的粗糙度值(r'2,r'7)产生。 本发明还涉及使用本发明方法制造的堆叠结构。

    METHODS OF FORMING MICROSTRUCTURE DEVICES
    60.
    发明申请
    METHODS OF FORMING MICROSTRUCTURE DEVICES 审中-公开
    形成微结构器件的方法

    公开(公告)号:WO02090245A2

    公开(公告)日:2002-11-14

    申请号:PCT/US0214142

    申请日:2002-05-01

    Abstract: The invention includes methods of forming microstructure devices. In an exemplary method, a substrate is provided which includes a first material and a second material. At least one of the first and second materials is exposed to vapor-phase alkylsilane-containing molecules to form a coating over the at least one of the first and second materials.

    Abstract translation: 本发明包括形成微结构器件的方法。 在示例性方法中,提供了包括第一材料和第二材料的基底。 将第一和第二材料中的至少一种暴露于含气相烷基硅烷的分子,以在第一和第二材料中的至少一种材料上形成涂层。

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