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公开(公告)号：CN104203850B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201280071132.2
申请日：2012-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/027 , C03C13/04
CPC classification number: C03B37/027 , C03B37/0253 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50 , C03B2203/02 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/26 , C03B2205/40 , C03B2205/42 , C03B2205/60 , C03B2205/72 , C03C13/045 , C03C25/1061
Abstract: 本发明提供一种可以制造这样的光纤的方法，该光纤在芯部含有碱金属元素，并且具有小的传输损耗。光纤(30)通过用拉丝装置(1)将石英类光纤预制件(20)拉丝而制备，该光纤(30)包括玻璃部和树脂包覆部，残留在玻璃部中的压缩应力的最大值为130MPa以下；该石英类光纤预制件(20)包括芯部和包层部，该芯部含有平均浓度为5原子ppm以上的碱金属，所述包层部含有氟和氯。在拉丝过程中，将该光纤预制件的各位置保持在1500℃以上的温度的持续时间为110分钟以下。拉丝速度优选为1,200m/min以上，甚至更优选为1,500至2,300m/min。光纤预制件(20)的直径优选为70至 甚至更优选为90至
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公开(公告)号：CN102603179B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210019075.5
申请日：2012-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/02
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/01853 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50 , Y10T428/294
Abstract: 本发明涉及一种光纤预制件，其包括芯部分，其中，所述芯部分包括掺杂碱金属的碱金属掺杂芯玻璃部分，在所述芯部分中氧分子的最大浓度为大于或等于30mol ppb，并且在所述芯部分中碱金属的平均浓度为大于或等于5原子ppm。本发明还涉及一种制备光纤预制件的方法，该方法包括用碱金属对由二氧化硅基玻璃构成的管进行掺杂的碱金属掺杂步骤、用氧分子对该玻璃管进行掺杂的氧分子掺杂步骤以及通过加热所述玻璃管而使其塌缩的塌缩步骤，由此制备光纤预制件。本发明的光纤预制件能够以高产率制备具有掺杂一种或多种碱金属的芯区域并且具有低衰减的光纤。
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公开(公告)号：CN102627398B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210023520.5
申请日：2012-02-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012
CPC classification number: C03B37/01869 , C03B37/01228 , C03B37/01861 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50
Abstract: 本发明提供了一种用于制备光纤预制件的方法，包括塌缩步骤，其中，使用在二氧化硅基玻璃管的纵向上连续移动的热源进行加热，从而使所述玻璃管塌缩以形成第一玻璃棒，所述第一玻璃棒待形成为光纤的芯部分或芯部分的一部分，并且所述玻璃管具有掺杂有碱金属元素的内表面，其中所述玻璃管的最高碱金属浓度为500原子ppm至20,000原子ppm，最高氯浓度为0原子ppm至1000原子ppm，并且最高氟浓度为0原子ppm至10,000原子ppm，并且在所述塌缩步骤中，所述玻璃管外表面的最高温度在2000℃至2250℃范围内，并且所述热源的移动速度在30mm/min至100mm/min范围内。
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公开(公告)号：CN102627400B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210023426.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/014
CPC classification number: C03B37/01861 , C03B37/01228 , C03B37/01869 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50
Abstract: 根据本发明的用于制备光纤预制件的方法包括：在使腐蚀气体流入二氧化硅基玻璃管的同时，使用在玻璃管的纵向上连续移动的热源对所述玻璃管进行加热，以腐蚀含有杂质的玻璃管内表面部分的腐蚀步骤。所述玻璃管的最高碱金属浓度为500原子ppm至20,000原子ppm，最高氯浓度为0原子ppm至1000原子ppm，并且最高氟浓度为0原子ppm至10,000原子ppm。在所述腐蚀步骤中，所述玻璃管的外表面的最高温度在1900℃至2250℃范围内，并且将加热时间设定为等于或少于由下式给定的时间，单位为分钟。
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公开(公告)号：CN103597128A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201380001600.3
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C03B19/02 , C03B19/095 , C03B2201/04 , C03B2201/07 , C03B2201/23 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C8/02 , C03C10/0009 , C03C21/008 , C03C23/007 , C03C2201/02 , C03C2201/54 , C03C2201/80 , C03C2203/10 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，该单晶硅提拉用二氧化硅容器在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层，在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层，上述透明层位于上述二氧化硅容器的内表面侧，并由以200～2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成，上述高OH基层以50～2000massppm的浓度含有Ba。由此，本发明提供一种二氧化硅容器和这种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，通过使该容器的由透明二氧化硅玻璃构成的内侧表面的整个面在该容器开始使用后的短时间内微晶化（玻璃陶瓷化），可大幅度提高该容器内侧表面的对于硅熔液的耐蚀刻性（耐腐蚀性）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102955197A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210297505.X
申请日：2012-08-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B6/02219 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/31 , C03B2201/50 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03C3/06 , C03C13/045 , C03C2201/08 , G02B6/03611
Abstract: 一种光纤，包括芯部和包层部。在1550nm波长，由k=4Aeff/(πMFD2)表示的k值大于或等于1.08，Aeff是有效面积，MFD是模场直径，色散在+19.0ps/nm/km至+21.9ps/nm/km的范围内，而模场直径MFD在10.3μm至13.0μm的范围内。设定不等式r1
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公开(公告)号：CN102627398A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210023520.5
申请日：2012-02-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012
CPC classification number: C03B37/01869 , C03B37/01228 , C03B37/01861 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50
Abstract: 本发明提供了一种用于制备光纤预制件的方法，包括塌缩步骤，其中，使用在二氧化硅基玻璃管的纵向上连续移动的热源进行加热，从而使所述玻璃管塌缩以形成第一玻璃棒，所述第一玻璃棒待形成为光纤的芯部分或芯部分的一部分，并且所述玻璃管具有掺杂有碱金属元素的内表面，其中所述玻璃管的最高碱金属浓度为500原子ppm至20,000原子ppm，最高氯浓度为0原子ppm至1000原子ppm，并且最高氟浓度为0原子ppm至10,000原子ppm，并且在所述塌缩步骤中，所述玻璃管外表面的最高温度在2000℃至2250℃范围内，并且所述热源的移动速度在30mm/min至100mm/min范围内。
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公开(公告)号：CN101356125B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680050482.5
申请日：2006-11-01
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03B19/12 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/21 , C03B2201/22 , C03B2201/23 , C03B2201/32 , C03B2201/42 , C03B2201/58 , C03B2207/30 , C03B2207/38
Abstract: 本发明揭示了OD-掺杂的合成二氧化硅玻璃，它能够用于在约低于300纳米下进行光刻的光学元件中。发现OD-掺杂的合成二氧化硅玻璃的偏振引发的双折射值显著低于具有相同OH浓度的非OD-掺杂的二氧化硅玻璃。本文还揭示了制备OD-掺杂的合成二氧化硅玻璃的方法，包含所述玻璃的光学部件，以及包含所述光学部件的光刻系统。所述玻璃在大约193纳米具有特别低的偏振引发的双折射，因此特别适用于浸没光刻系统。
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公开(公告)号：CN101132996A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680007060.X
申请日：2006-02-15
Applicant: 德古萨有限责任公司
IPC: C03B37/012 , C03B19/01 , C03B19/10 , C01B33/18
CPC classification number: C03B37/01291 , C03B19/01 , C03B19/102 , C03B19/106 , C03B2201/07 , C03B2201/12
Abstract: 通过在设置成在等离子体炬前移动的预制件上沉积预烧结组合物来制备玻璃，所述等离子体炬大体上平行地沿预制件纵向来回移动，第一进料管给等离子体供给预烧结组合物细粒，而任选地第二进料管给等离子体供给与载气混合的氟或氯化合物，优选氟化合物，其中所述预烧结组合物为热解二氧化硅粉末的金属氧化物或者类金属氧化物的颗粒，所述热解二氧化硅粉末的BET表面积为30－90m2/g，DBP指数为80或更小，平均聚集体面积小于25000nm2，并且平均聚集体周长小于1000nm，其中至少70％的聚集体的周长小于1300nm；或者所述预烧结组合物为高纯度热解二氧化硅的金属氧化物或者类金属氧化物的颗粒，所述高纯度热解二氧化硅由金属含量小于30ppb的四氯化硅通过火焰水解反应制得，且其金属含量小于0.2μg/g。
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公开(公告)号：CN1226212C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02801814.1
申请日：2002-04-19
Applicant: 株式会社尼康
IPC: C03C3/06 , G02B1/00 , H01L21/027
CPC classification number: C03C4/0071 , C03B19/1423 , C03B19/1453 , C03B19/1492 , C03B2201/07 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2207/00 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2203/40 , C03C2203/44 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , G02B1/02 , G02B13/143 , G03F7/70241 , G03F7/70958
Abstract: 本发明的石英玻璃元件是其中当其组成被表示为SiOx时，x不小于1.85，不大于1.95，其中其所包含的氢分子的浓度不小于1×1016分子/cm3，不大于5×1018分子/cm3，并且其中用1×104个ArF准分子激光脉冲、平均一个脉冲能量密度为2mJ/cm2照射结束之前立即测得的吸收系数A，与用该ArF准分子激光照射停止之后600秒的第二吸收系数B之间的差A-B，不大于0.002cm-1。当将该石英玻璃元件应用于投影曝光装置中的照明光学系统和/或投影光学系统时，能够实现均匀曝光，同时减小掩模原版表面以及晶片上曝光区域中的照度改变。
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