防污染阱以及真空应用装置

    公开(公告)号:CN105474348A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201480045594.6

    申请日:2014-09-18

    Abstract: 本发明提供防污染阱以及真空应用装置,在现有构造中将双重的冷却罐之间真空隔热,通过与内侧容器连接的高导热率材料来对冷却部进行冷却。在这样的构造中,也有由于高导热率材料、针对冷却部的浸入热而造成的影响,但例如在制冷剂使用了液体氮的情况下,约需要30分钟到达-120℃。即使花费了时间的情况下,也就是-150℃前后的到达温度,远远不及液体氮温度的-196℃。因此,在本发明的防污染阱以及真空应用装置中,其特征在于,是在真空应用装置中冷却装置内冷却部(5)的构造,具有装有对冷却部(5)进行冷却的制冷剂(2)的冷却罐(1)、和从上述冷却罐(1)到冷却部(5)附近的冷却管(7),制冷剂(2)被供给到冷却部(5)前端。并且,其特征在于,将用于释放冷却管内气泡(10)的管(8)插入到冷却部(5)。

    在ETEM中研究样品的方法
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102914554A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210274899.7

    申请日:2012-08-03

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 本发明涉及在环境透射电子显微镜(ETEM)中的活性气氛中研究样品的方法。这样的研究被用于研究样品与气体的反应(化学的或物理的)。特别所关心的是气体和催化剂的化学反应,以及例如源自在固体上生长的气相的晶须的生长的物理变化(相变)。现有技术研究涉及将所述样品引入到ETEM的样品室内的侧面进入样品支持器上、将所述样品加热到所需的温度、等待所述样品安定到无漂移位置并且随后将所述样品暴露于经加热的活性气体的例如10mbar的压力。因为所述样品支持器的温度分布随气体的温度和压力而变,当将所述样品支持器暴露于所述气体时,所述样品支持器之上的温度分布将轻微地改变,作为其结果,所述样品将漂移。为了避免所述漂移,或者至少最小化所述漂移,本发明涉及在将所述惰性气体交换为所述活性气体之前在所期望的温度下暴露到惰性气体。本发明也可应用于光学显微镜、X-射线显微镜或扫描探测显微镜。

    用于处理衬底的设备和方法

    公开(公告)号:CN101911251B

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN200880123434.3

    申请日:2008-12-10

    Inventor: 韩泳琪 徐映水

    Abstract: 本发明提供一种用于处理衬底的设备和方法。通过使用所述设备和方法,可在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行等离子处理。所述设备包含:腔室,其提供反应空间;平台,其安装在所述腔室中;等离子屏蔽单元,其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着;支撑单元,其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底;第一供应管,其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面;以及第二和第三供应管,其提供于所述等离子屏蔽单元处,所述第二供应管将反应气体供应到所述衬底的另一表面,所述第三供应管将非反应气体供应到所述另一表面。

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