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公开(公告)号：CN1741707B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200410096955.8
申请日：2004-12-06
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/248 , H01G4/33 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0195 , H05K2201/09509 , H05K2201/09763 , H05K2201/09881 , H05K2203/0568 , H05K2203/1366 , Y10T29/42
Abstract: 所公开的是一种包括嵌入式电容器的PCB及其制造方法。电介质层是使用具有高电容的陶瓷材料而形成的，由此确保电容器的每个都具有对应于去耦芯片电容器电容的高介电常数。
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公开(公告)号：CN100518446C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710003118.X
申请日：2007-01-31
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H05K3/16 , H05K3/4602 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/09763
Abstract: 在一种用于制造具有嵌入其间的薄膜电容器的印刷电路板的方法中，通过第一掩模溅射导电金属以形成下部电极。通过第二掩模溅射介电材料以形成介电层。通过第三掩模溅射导电金属以形成上部电极。在其中形成有上部电极的层积本体上层积绝缘层，并且从该绝缘层的顶表面至下部电极的顶表面以及从绝缘层的顶表面至形成在基板上的上部电极的顶表面穿过过孔。而且，对其中形成有过孔的层积本体进行电解镀和化学镀。
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公开(公告)号：CN100472754C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610148556.0
申请日：2006-11-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/00 , H01L23/522 , H03H7/00
CPC classification number: H05K1/162 , H01F17/0006 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H05K1/165 , H05K3/108 , H05K3/4644 , H05K3/4647 , H05K3/465 , H05K2201/09563 , H05K2201/09763 , H05K2201/09845 , H05K2203/0733 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子元件包括基底材料、电容器单元和布线部分。该电容器单元具有包括第一电极部分、第二电极部分和电介质部分的堆叠结构，其中该第一电极部分设置在该基底材料上，该第二电极部分包括面向该第一电极部分的第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该电介质部分位于上述电极部分之间。该布线部分包括通孔部分，该通孔部分具有位于该基底材料侧的表面，并且该通孔部分经由位于该基底材料侧的表面接合至该第二电极部分的第二表面。该通孔部分的位于该基底材料侧的表面包括从该第二电极部分的第二表面的外围部分向外延伸的延伸部分。
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公开(公告)号：CN101351873A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680050142.2
申请日：2006-12-11
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/64
CPC classification number: H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/05553 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/48472 , H01L2224/49 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/19041 , H05K1/111 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K3/28 , H05K2201/0187 , H05K2201/09436 , H05K2201/09763 , H05K2201/10674 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的制品包括嵌入焊接掩模中的顶部电极。制品包括核心结构上的顶部电极。形成顶部电极的工艺包括减小焊接掩模厚度，并在减小厚度的焊接掩模上形成顶部电极。形成顶部电极的工艺包括在处于核心结构的形成图案部分中的高K电介质上形成顶部电极。
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公开(公告)号：CN100449661C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN02821789.6
申请日：2002-11-01
Applicant: H.C.施塔克公司
IPC: H01G4/10
CPC classification number: H01G9/15 , H01G4/10 , H01G11/48 , H05K1/162 , H05K2201/0179 , H05K2201/0329 , H05K2201/09763 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种薄膜电容器，该电容器包含(a)衬底，(b)第一聚合物薄膜，包括导电聚合物的第一聚合物薄膜位于衬底上，(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，(d)第二聚合物薄膜，包括导电聚合物的第二聚合物薄膜位于五氧化物层的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101253825A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032090.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/16 , H01L23/66 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H03H7/0115 , H03H7/175 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K3/4614 , H05K2201/0317 , H05K2201/086 , H05K2201/09763 , H05K2203/1189 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括下述构成：具备：在至少一方的主面形成有第1薄膜电子部件(2、3)，在该主面或另一方的面上形成有与外部电路连接用的外部连接端子的第1片状基板(1)；在至少一方的主面形成有第2薄膜电子部件(6)的第2片状基板(5)；使第1薄膜电子部件(2、3)和第2薄膜电子部件(6)相向，粘接固定第1片状基板(1)和第2片状基板(5)的绝缘性粘接树脂层(9)；以及将第1薄膜电子部件(2、3)和第2薄膜电子部件(6)的预先设定的电极端子之间电连接的层间连接导体(7)。
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公开(公告)号：CN101211693A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710188211.2
申请日：2007-11-09
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/33 , H05K1/0231 , H05K1/185 , H05K3/4644 , H05K2201/0179 , H05K2201/09509 , H05K2201/09763 , H05K2201/09781
Abstract: 本发明提供了一种电容器和一种嵌入多层线路板的薄膜式电容器。该电容器包括：连接到第一和第二极的第一和第二电极；形成于其间的介电层；和至少一个设置在介电层内并且与第一和第二电极具有重叠部分的浮动电极。该线路板包括：其上具有多个绝缘层的绝缘体；在绝缘层上分别形成的多个导线图形和导通孔，以构成夹层电路；和嵌入绝缘体内的薄膜式电容器，其中该薄膜式电容器包括依次形成的第一电极层、第一介电层、至少一个浮动电极层、第二介电层和第二电极层，其中第一和第二电极层连接到夹层电路，浮动电极层没有直接连接到夹层电路。
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公开(公告)号：CN100388467C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN03155981.6
申请日：2003-08-27
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H05K1/112 , H05K3/4602 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09763 , H05K2203/135 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体封装，提供有多层互连结构，将半导体芯片安装在它的上表面上，其中多层互连结构的最上面叠置结构包括电容器结构，该电容器结构具有由高介电常数的无机填料和绝缘树脂的混合电解沉积层组成的介质层，并包括将上部电极和下部电极与半导体芯片的电极直接连接的芯片连接焊盘，由此确保了互连图形的设计自由度，极大地提高了电容器和半导体芯片之间接近的程度，并且封装可以制得更小同时重量更轻，还提供了半导体封装的制造方法及使用半导体封装的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101106018A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710149422.5
申请日：2007-07-13
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司 , 北卡罗来纳州立大学
CPC classification number: H01G4/1218 , H01G4/005 , H05K1/162 , H05K3/1291 , H05K2201/0355 , H05K2201/09763 , H05K2203/1126 , Y10T29/435 , Y10T29/49155
Abstract: 一种制造电容器的方法，该方法包含在衬底上使用第一电极或稀有金属箔形成电介质层，在电介质层上沉积顶传导层，对电介质层和顶传导层退火，其中箔或第一电极、电介质和传导层构成了电容器。
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公开(公告)号：CN1728918A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510084168.6
申请日：2005-07-14
Applicant: 安迪克连接科技公司
Inventor： 苏贝胡·D·德塞 , 豪·T·林 , 约翰·M·劳弗尔 , 沃亚·R·马尔科维奇 , 戴维·L·托马斯
CPC classification number: G11C11/22 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3011 , H05K1/16 , H05K2201/0166 , H05K2201/0179 , H05K2201/09763 , H05K2201/10159 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明揭示一种由至少一其上具有一导电图案的介电材料构成的电路化衬底。所述图案的至少一部分用作一有机存储器件的第一层，所述有机存储器件进一步包括至少一位于所述图案上的第二介电层和一与下部对准以获得数个接触点的第二图案，由此形成所述器件。所述衬底较佳与其他介电电路分层组合件相结合以构成一多层衬底，所述多层衬底上可设置耦合至所述内部存储器件以便与之结合工作的离散电子组件(例如，一逻辑芯片)。本发明还提供一种能够使用所述衬底的电气组合件，以及一种适合使用一个或多个此类电气组合件作为其一部分的信息处理系统。
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