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公开(公告)号：CN101006339B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200480043755.4
申请日：2004-08-06
Applicant: 华瑞科学仪器(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种一体化的光离子化传感器(10)，它不仅包括离子化室(36)、紫外线灯(32)、驱动电极(40，42)、离子检测器(48)，还包括灯驱动电路(44)、偏置电路(54)等通用电路。本发明的光离子化传感器包括一支撑件(230)，将外壳内的空间分割成两个部分。前述检测元件位于一个部分内，而通用电路被集成在电路板(95)上，位于另一部分内。本发明对电路板所处的空间灌封闭粘结剂，使其避免与外界接触。本发明为传感器外壳的顶盖设计了单个大圆孔、栅状和网状通气窗口，使得传感器既适用于气泵抽运模式，又适用于气体扩散模式。同时，特殊的通气窗口允许在不拆卸传感器的情况下，无需使用气泵，便能清除UV灯(32)的光学窗口(34)上的污染。本发明还在电路板上集成了光敏传感器(20)，以便在不拆卸传感器的情况下了解UV灯(32)的工作情况。
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公开(公告)号：CN100583373C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200480014193.0
申请日：2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J37/32623 , H01J37/32678 , H01J2237/1508
Abstract: 提供一种离子注入系统以及为此的束线组件，其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场，且该离子束导件被供能，以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场。该磁场及电场相互作用，以为在该离子束导件内的离子束保含功能提供一电子-回旋共振条件。
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公开(公告)号：CN100538987C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN03818040.5
申请日：2003-07-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·本维尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线，其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束，以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24)，其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束，第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43)，以便减轻系统的束输运中的非线性，从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。
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公开(公告)号：CN101390186A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006879.9
申请日：2007-02-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·M·特罗普
IPC: H01J37/05 , H01J37/153 , G01N23/20 , G01N23/227
CPC classification number: H01J37/153 , H01J37/05 , H01J37/252 , H01J37/295 , H01J2237/055 , H01J2237/1534 , H01J2237/2538 , H01J2237/2544
Abstract: 提供一种像差校正显微镜仪器。所述仪器具有用于接收第一非色散的电子衍射图形的第一磁偏转器(206)。第一磁偏转器还被构造为在第一磁偏转器的出射面(A2)内投影第一能量色散的电子衍射图形。在第一磁偏转器的出射面内设置有静电透镜(224)。第二磁偏转器(222)基本上与第一磁偏转器相同，其被设置用于接收来自静电透镜的第一能量色散的电子衍射图形。第二磁偏转器还被构造为在第二磁偏转器的第一出射面(B2)内投影第二非色散的电子衍射图形。电子反射镜(226)被构造为用于校正第二非色散的电子衍射图形内的一个或多个像差。电子反射镜被设置用于将第二非色散的电子衍射图形反射到第二磁偏转器，用于在第二磁偏转器的第二出射面(B3)内投影第二能量色散的电子衍射图形。
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公开(公告)号：CN1672235A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818040.5
申请日：2003-07-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·本维尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线，其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束，以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24)，其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束，第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43)，以便减轻系统的束输运中的非线性，从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113632196B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202080024585.4
申请日：2020-03-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/28
Abstract: 公开了一种包括可调射束分离器的多射束检查装置。可调射束分离器被配置为改变次级粒子射束的路径。可调射束分离器包括第一维恩过滤器和第二维恩过滤器。两个维恩过滤器都与初级光学轴线对准。第一维恩过滤器和第二维恩过滤器是分别经由第一激励输入和第二激励输入而独立可控的。可调射束分离器被配置为基于第一激励输入和第二激励输入，沿着初级光学轴线来移动可调射束分离器的有效弯曲点。
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公开(公告)号：CN114420523B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210041735.3
申请日：2016-11-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/145 , H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/28 , G01N23/2251
Abstract: 披露了多个带电粒子束的设备。提出了一种多束设备中的二次投影成像系统，该二次投影成像系统使二次电子检测具有高收集效率和低串扰。该系统采用一个变焦透镜，一个投影透镜和一个防扫描偏转单元。变焦透镜和投影透镜分别执行变焦功能和防旋转功能，以相对于多个一次细束的着陆能量和/或电流保持总成像放大倍率和总图像旋转。防扫描偏转单元执行防扫描功能以消除由于多个一次细束的偏转扫描而导致的动态图像移位。
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公开(公告)号：CN114999877B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210730885.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 杭州富芯半导体有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种原子筛除装置，用于半导体制造工艺的离子注入工序，其包括第一原子筛除模块和第二原子筛除模块。第一原子筛除模块包括扇形质量分析器，第二原子筛除模块包括第一电极板对、第二电极板对、第一驱动器和第二驱动器。扇形质量分析器筛除偏转半径大于扇形质量分析器的外侧壁或小于扇形质量分析器的内侧壁的元素，第二原子筛除模块筛除偏转半径介于扇形质量分析器的外侧壁与内侧壁之间的元素。从而筛除与用于离子注入的离子具相近原子量或其同位素的元素，提高高端制程的离子注入工序的良率，同时对离子束起到汇聚的作用，也减少二次电子和辐射。
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公开(公告)号：CN114787957B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202080085364.8
申请日：2020-10-25
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 安东尼勒·可雀帝 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 法兰克·辛克莱 , 杰·T·舒尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/05 , H01J37/317
Abstract: 公开一种透镜、离子植入系统及方法。本文提供用于减少静电透镜中的粒子产生的途径。在一些实施例中，一种离子植入系统可包括：静电透镜，包括用于接收离子束的入口及用于向靶标递送离子束的出口，所述静电透镜包括沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极，其中第一接地电极被接地且邻近出口定位。静电透镜可包括沿着离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极，其中第二接地电极被接地且邻近出口定位。植入系统还可包括电源供应器，所述电源供应器可操作以向静电透镜供应电压及电流，用于控制离子束。
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公开(公告)号：CN113424290B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202080014117.9
申请日：2020-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·B·汉森 , 任岩 , M·R·古森 , A·V·G·曼格努斯 , E·P·斯马克曼
Abstract: 在各方面中尤其地公开了一种带电粒子检查系统，其包括吸收部件和可编程带电粒子反射镜板，该可编程带电粒子反射镜板被布置为修改束中电子的能量分布并且对束进行整形以减少电子的能量散布和束的像差，其中吸收部件包括限定腔的结构，该腔具有内部表明以及设置在内部表上的超材料吸收体。在操作中，腔沿着束路径的一部分延伸。在其他实施例中，超材料包括吸收结构集合，该吸收结构集合被配置为设置在透明导电层上的吸收结构。进一步，公开了一种使用这种吸收部件并且使用可编程带电粒子反射镜板的方法，其中这种可编程带电粒子反射镜板包括像素集合，该像素集合被配置为生成定制电场以对束进行整形。
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