公开(公告)号：CN107109633B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201680004589.X

申请日：2016-05-16

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 守井泰士 ,  大月富男

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L21/285 ,  C22C9/01 ,  C22C9/05 ,  C22F1/00

Abstract: 一种铜合金溅射靶，其特征在于，通过带电粒子活化分析而测定的、氧含量为0.6重量ppm以下、或者、氧含量为2重量ppm以下且碳含量为0.6重量ppm以下。另外，一种铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，对铜原料在真空或惰性气体气氛中进行熔炼，然后向熔炼中的气氛中加入还原气体，接着，向熔融金属中添加合金元素而进行合金化，并将所得到的锭加工为靶形状。本发明的课题是提供一种溅射时粉粒的产生少的铜合金溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN107614741B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201680023954.1

申请日：2016-10-11

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 挂野崇 ,  山口洋平 ,  远藤瑶辅

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01

Abstract: 一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnkIn2Ok+3(k＝3、4、5)复合氧化物，靶的相对密度为98.4％以上。本发明的课题在于，实现IZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。

公开(公告)号：CN110475880A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022661.0

申请日：2018-03-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荒川淳一 ,  芳贺康文 ,  伊藤顺一

IPC: C22B7/00 ,  B09B3/00 ,  B09B5/00 ,  C22B1/02 ,  C22B3/04 ,  C22B3/26 ,  C22B3/38 ,  C22B3/44 ,  C22B23/00 ,  C22B26/12 ,  H01M10/54

Abstract: 在针对锂离子电池废料依次进行焙烧工序、粉碎工序及筛选工序的过程中，在焙烧工序与粉碎工序之间、在粉碎工序与筛选工序之间或筛选工序后包含以下工序：锂溶解工序，使锂离子电池废料与水接触，使该锂离子电池废料中含有的锂溶解在所述水中而得到锂溶解液；锂浓缩工序，对锂溶解液中含有的锂离子进行溶剂萃取并进行反萃取，使锂离子浓缩而得到锂浓缩液；以及碳酸化工序，使锂浓缩液中的锂离子碳酸化，得到碳酸锂。

公开(公告)号：CN110446796A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201880022125.0

申请日：2018-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 中妻宗彦

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01B13/00 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供使强度提高且适度抑制污物的产生、与树脂的密合性优异的Cu-Ni-Si系铜合金条及其制造方法。本发明的Cu-Ni-Si系铜合金条，其含有Ni：1.5~4.5质量%、Si：0.4~1.1质量%，且余量由Cu和不可避免的杂质组成，导电率为30%IACS以上，拉伸强度为800MPa以上，使其在室温下在40wt%硝酸水溶液中浸渍10秒后，JIS-Z8781:2013所规定的L*a*b*表色系中的亮度L*为50~75。

公开(公告)号：CN107432102B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580078484.4

申请日：2015-06-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 田中幸一郎

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C8/10

CPC classification number: B32B15/08 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/00 ,  C23C22/50 ,  C23C22/52 ,  C23C22/56 ,  H05K9/0073 ,  H05K9/0088

Abstract: 本发明提供电磁波屏蔽特性得到改善的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，其是具有使至少2片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，各金属箔的与绝缘层相接的界面的金属氧化物层的厚度分别为1～30nm。

公开(公告)号：CN107429313B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201680018915.2

申请日：2016-03-29

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 安达谦 ,  荒川淳一 ,  伊藤顺一

IPC: C22B7/00 ,  B09B3/00 ,  B09B5/00 ,  C22B3/06 ,  C22B3/08 ,  C22B23/00 ,  C22B26/12 ,  C25C1/08

Abstract: 本发明的从锂离子电池废料除去铜的方法是从含有铜的锂离子电池废料除去铜的方法，包括：浸出工序，将上述锂离子电池废料添加到酸性溶液中，在酸性溶液中存在铝的固体的状况下，使该锂离子电池废料浸出；铜分离工序，在浸出工序后从酸性溶液分离以固体形式包含于该酸性溶液中的铜。

公开(公告)号：CN109943814A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910149068.9

申请日：2014-11-14

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C5/04 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明涉及磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe-Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

公开(公告)号：CN109844167A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780063272.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁性材料溅射靶，其含有熔点为500℃以下的氧化物，其特征在于，在该溅射靶的溅射面中，粒径为10μm以上的氧化物的平均个数密度为5个/mm2以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶能够有效地减少由溅射靶中的氧化物、特别是粗大生长的氧化物引起的异常放电、粉粒的产生。

公开(公告)号：CN106536787B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201580038825.5

申请日：2015-07-16

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高村博 ,  铃木了

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种背衬板，其为将防腐蚀性的金属与Mo或Mo合金接合而得到的背衬板，其中，在该Mo或Mo合金制背衬板的将要冷却的一侧(冷却面侧)的表面具备具有背衬板的总厚度的1/40～1/8的厚度的、通过接合选自Cu、Al或Ti中的一种以上金属或它们的合金而得到的包含防腐蚀性金属的层。本发明还提供将该Mo或Mo合金制背衬板与包含低热膨胀材料的靶接合而得到的溅射靶‑背衬板组件。特别是，在半导体用途中，推进微细化，溅射时的粉粒的控制变得非常严格。本申请发明的课题在于，解决在包含低热膨胀材料的溅射靶的翘曲和Mo或Mo合金制背衬板的耐腐蚀性方面产生的问题。

公开(公告)号：CN109072338A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028010.8

申请日：2017-05-12

Applicant: 捷客斯金属株式会社 ,  东邦钛株式会社

Inventor： 中岛宏太 ,  吉村昭 ,  谷诚一郎

IPC: C22B59/00 ,  C22B34/14 ,  C22B34/22 ,  C22B34/24 ,  C22B3/10 ,  C22B3/38 ,  C22B34/12

Abstract: 本发明涉及为回收稀有金属。一种从钛炼制中的氯化残渣中回收稀有金属的方法，其中，该方法包括如下工序：将所述氯化残渣分级成粗粒和细粒的工序；和回收所述细粒的工序，所述稀有金属是从Sc、V、Nb、Zr、Y、La、Ce、Pr和Nd中选择的至少一种以上的金属。