公开(公告)号：DE102009035438A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：DE102009035438

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KAMMLER THORSTEN ,  RICHTER RALF ,  LENSKI MARKUS ,  GRASSHOFF GUNTER

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316

Abstract: Eine Abstandshalterstruktur in komplexen Halbleiterbauelementen wird auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit großem ε hergestellt, das für einen höheren Ätzwiderstand im Vergleich zu konventionell verwendeten Siliziumdioxidschichten sorgt. Folglich liefert eine geringere Dicke des Ätzstoppmaterials dennoch einen höheren Ätzwiderstand, wodurch negative Effekte verringert werden, etwa ein Dotierstoffverlust in Drain- und Sourceerweiterungsgebieten, das Erzeugen einer ausgeprägten Oberflächentopographie und dergleichen, wie sie typischerweise mit konventionellen Abstandshaltermaterialsystemen verknüpft sind.

公开(公告)号：DE102009015749B3

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：DE102009015749

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LETZ TOBIAS ,  FEUSTEL FRANK ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8234

Abstract: Die Haftung dielektrischer Schichtstapel, die nach dem Fertigstellen der grundlegenden Konfiguration von Transistorelementen zu bilden sind, wird erhöht, indem die Ausbildung eines Metallsilizids im Randgebiet des Substrats vermieden wird. Zu diesem Zweck wird eine dielektrische Schutzschicht selektiv im Randgebiet vor einem entsprechenden Vorreinigungsprozess oder unmittelbar vor dem Abscheiden des hoch schmelzenden Metalls gebildet. Somit kann nicht reagiertes Metall effizient vom Randgebiet abgetragen werden, ohne dass ein nicht erwünschtes Metallsilizid gebildet wird. Die weitere Bearbeitung kann somit auf der Grundlage besserer Prozessbedingungen für das Herstellen dielektrischer Zwischenschichtmaterialien fortgesetzt werden.

公开(公告)号：DE102009031114A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：DE102009031114

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/283 ,  H01L27/12

Abstract: Der pn-Übergang einer Substratdiode in einem komplexen Halbleiterbauelement wird auf der Grundlage eines eingebetteten in situ n-dotierten Halbleitermaterials hergestellt, wodurch bessere Diodeneigenschaften geschaffen werden. Beispielsweise wird ein Silizium/Kohlenstoffhalbleitermaterial in einer Aussparung im Substratmaterial gebildet, wobei die Größe und die Form der Aussparung so gewählt wird, dass eine unerwünschte Wechselwirkung mit Metallsilizidmaterial vermieden wird.

公开(公告)号：DE102021124842A1

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：DE102021124842

申请日：2021-09-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1

Inventor： WU NAN

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere kointegrierte Hochspannungs- und Mittelspannungsvorrichtungen mit Defektpräventionsstrukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Halbleiter-auf-Isolator (semiconductor on insulator; SOI)-Region und eine Bulk-Region, die in einem einzelnen Substrat integriert sind; wenigstens eine aktive Vorrichtung in der Bulk-Region; wenigstens eine aktive Vorrichtung in der SOI-Region; und eine die SOI-Region umrandende Defektpräventionsstruktur.

公开(公告)号：DE102008054077B4

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102008054077

申请日：2008-10-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  SELIGER FRANK

IPC: H01R43/02 ,  H01L21/60

Abstract: Schablonenbauelement (200) zur Herstellung von Verbindungsdrähten (252a), wobei das Schablonenbauelement (200) umfasst:einen Körper (201a), der ein Halbleitermaterial und eine Schicht aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid aufweist; undeine Schablonenöffnung (202), die sich durch den Körper (201a) erstreckt und einen Durchmesser (202d) zumindest in einem Schritt entlang der Tiefe der Schablonenöffnung (202) aufweist, der einem Solldurchmesser (252d) des Verbindungsdrahtes (252a) entspricht.

公开(公告)号：DE102010038740B4

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102010038740

申请日：2010-07-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RADWAN MOHAMMED ,  STEINMETZ JOHANN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren mit:Bilden einer siliziumenthaltenden ARC-Schicht (206) über einem dielektrischen Material (241) eines Halbleiterbauelements (200);Bilden einer Lackmaske (207) mit einer Lackmaskenöffnung (207A) über der siliziumenthaltenden ARC-Schicht (206);Erhalten von Messdaten, die eine laterale Größe der Lackmaskenöffnung (207A) angeben und Bestimmen eines Sollwerts einer Durchflussrate zumindest eines sauerstoffenthaltenden Vorstufengases auf Grundlage der Messdaten und einer kritischen Sollabmessung einer Kontaktöffnung (241V);Ausführen eines ersten Ätzprozesses (260A) unter Anwendung des sauerstoffenthaltenden Vorstufengases und eines kohlenstoff- und fluorenthaltenden Vorstufengases derart, dass ein erster Bereich einer Öffnung (206A) in der siliziumenthaltenden ARC-Schicht (206) gebildet wird;Ausführen eines zweiten Ätzprozesses (260B) unter Anwendung eines polymerisierenden Vorstufengases derart, dass die Öffnung (206A) in der siliziumenthaltenden ARC-Schicht (206) durch den ersten Bereich hindurch gebildet wird;wobei der erste Ätzprozess (260A) und der zweite Ätzprozess (260B) in Anwesenheit der Lackmaske (207) ausgeführt werden;Steuern einer Durchflussrate zumindest des sauerstoffenthaltenden Vorstufengases des ersten Ätzprozesses (206A) auf Grundlage des bestimmten Sollwerts, so dass eine laterale Abmessung der Öffnung (206A) eingestellt wird;Bilden einer Maskenöffnung (204A) in einer Hartmaskenschicht (204) auf der Grundlage (206A) der Öffnung; undÄtzen des dielektrischen Materials (241) unter Anwendung der Hartmaskenschicht (204) derart, dass die Kontaktöffnung (241V) in dem dielektrischen Material erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102010063907B4

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102010063907

申请日：2010-12-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  THEES HANS-JUERGEN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials (251) in einem ersten aktiven Gebiet (202A) eines ersten Transistors (250A) in Anwesenheit einer ersten Gateelektrodenstruktur (260A), die auf dem ersten aktiven Gebiet (202A) ausgebildet ist, während ein zweites aktives Gebiet (202B) eines zweiten Transistors (250B) und eine zweite Gateelektrodenstruktur (260B), die darauf ausgebildet ist, mittels einer ersten Abstandshalterschicht (265S) abgedeckt sind, wobei die erste Gateelektrodenstruktur (260A) einen ersten Abstandshalter (265) und eine erste dielektrische Deckschicht (264A) aufweist und wobei die zweite Gateelektrodenstruktur (260B) eine zweite dielektrische Deckschicht (264B) aufweist; Bilden einer zweiten Abstandshalterschicht (275) über dem ersten und dem zweiten aktiven Gebiet (202A, 202B), nach dem Bilden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials (251); selektives Modifizieren (278) der zweiten dielektrischen Deckschicht (264B), um deren Ätzrate in einem nachfolgenden Ätzprozess zu erhöhen, wobei das Modifizieren (278) der zweiten dielektrischen Deckschicht (275) in Anwesenheit der ersten Abstandshalterschicht (265S) erfolgt; Entfernen (280) der ersten und der zweiten dielektrischen Deckschicht (264A, 264B); und Bilden von Drain- und Sourcegebieten (253) in dem ersten und dem zweiten aktiven Gebiet (202A, 202B).

公开(公告)号：DE102009035419B4

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102009035419

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  RICHTER RALF

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L51/40

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer dielektrischen Materialschicht (110, 210) über einem ersten leitenden Gebiet (131, 231) eines integrierten Schaltungsbauelements, Bilden einer Öffnung (111, 211) in der dielektrischen Materialschicht (110, 210), wobei die Öffnung (111, 211) spezifizierte laterale Abmessungen und eine spezifizierte Tiefe aufweist und sich in Richtung des ersten leitenden Gebiets (131, 231) erstreckt; Anordnen eines oder mehrerer funktionaler Moleküle (120, 220) in der Öffnung, wobei jedes des einen oder der mehreren funktionalen Moleküle (120, 220) mindestens zwei unterschiedliche Zustände zum Repräsentieren mindestens eines Bits an Information besitzt, wobei eine Größe des einen oder der mehreren funktionalen Moleküle (120, 220) an die spezifizierten lateralen Abmessungen und/oder an die spezifizierte Tiefe angepasst ist und wobei die funktionalen Moleküle (120, 220) funktionsmäßig mit dem ersten leitenden Gebiet (131, 231) so verbunden sind, dass ein elektrisches Zugreifen auf das eine oder die mehreren funktionalen Moleküle (120, 220) in der Öffnung (111, 211) ermöglicht wird; und Bilden eines zweiten leitenden Gebiets (251), so dass dieses funktionsmäßig mit dem einen oder den mehreren funktionalen Molekülen (120, 220) verbunden ist, wobei das Anordnen des einen oder der mehreren funktionalen Moleküle (120, 220) in der Öffnung (111, 211) umfasst: Bilden eines Haftmaterials (141) an einer Unterseite der Öffnung (111, 211), und, wobei Bilden eines Haftmaterials (141) an der Unterseite der Öffnung (111, 211) umfasst: Aufbringen einer Lösung mit Mizellen (145, 245), die eine Anhäufung einer Haftmaterialsorte enthalten, wobei eine laterale Größe der Mizelle (145, 245) so gewählt wird, dass diese kleiner ist als zumindest die spezifizierten lateralen Abmessungen der Öffnung (111, 211), und weiterhin umfassend Bilden einer Ätzmaske (208) über der dielektrischen Materialschicht (110, 210) und Bilden der Öffnung (111, 211) auf der Grundlage der Ätzmaske (208), wobei die Lösung in Anwesenheit der Ätzmaske (208) aufgebracht wird.

公开(公告)号：DE102008059504B4

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102008059504

申请日：2008-11-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： AUBEL OLIVER ,  FEUSTEL FRANK ,  SCHMIDT TORSTEN

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/768

Abstract: Teststruktur (250) zum Überwachen dielektrischer Eigenschaften eines Metallisierungssystems eines Halbleiterbauelements, wobei die Teststruktur (250) umfasst: ein Testgebiet (260), das über einem Substrat ausgebildet ist und mehrere Testmetallgebiete, die in einem dielektrischen Material (211) einer Metallisierungsebene gebildet sind, aufweist; eine Strombegrenzungsstruktur (240), die über dem Substrat gebildet ist; und eine Verbindungsstruktur (230), die mit dem Testgebiet (260) und der Strombegrenzungsstruktur (240) verbunden ist, wobei die Verbindungsstruktur (230) ausgebildet ist, die Strombegrenzungsstruktur (240) und das Testgebiet (260) elektrisch zu verbinden und das Anlegen einer Spannung in einem spezifizierten Spannungsbereich über dem Testgebiet (260) und der Strombegrenzungsstruktur (240) mittels einer externen Testeinrichtung zu ermöglichen; wobei die Strombegrenzungsstruktur (240) eine Widerstandsstruktur (242) aufweist, die zumindest teilweise in dem dielektrischen Material (211) ausgebildet ist und eine höhere Spannungsfestigkeit im Vergleich zu dem Testgebiet (260) besitzt.

公开(公告)号：DE102010064281B4

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102010064281

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  REICHEL CARSTEN

IPC: H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten Hartmaskenschicht (214) auf einem ersten aktiven Gebiet (202A) und einem zweiten aktiven Gebiet (202B) eines Halbleiterbauelements; Bilden von Isolationsgebieten (202C), die das erste aktive Gebiet und das zweite aktive Gebiet lateral begrenzen, nach dem Bilden der ersten Hartmaskenschicht; Bilden einer zweiten Hartmaskenschicht (204) auf der ersten Hartmaskenschicht nach dem Bilden der Isolationsgebiete; danach Bilden einer Ätzmaske (205) derart, dass sie die erste und die zweite Hartmaskenschicht über dem zweiten aktiven Gebiet abdeckt und über dem ersten aktiven Gebiet freilässt; Entfernen der ersten und der zweiten Hartmaskenschicht selektiv von dem ersten aktiven Gebiet durch Ausführen eines plasmaunterstützten Ätzprozesses, wobei die zweite Hartmaskenschicht auf dem zweiten aktiven Gebiet erhalten bleibt; danach Entfernen der Ätzmaske; Bilden einer Schicht aus einer Halbleiterlegierung (208) auf dem ersten aktiven Gebiet und Verwenden der ersten und/oder der zweiten Hartmaskenschicht auf dem zweiten aktiven Gebiet als eine Aufwachsmaske; Freilegen des zweiten aktiven Gebiets; und Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur eines ersten Transistors auf der Schicht aus einer Halbleiterlegierung und einer zweiten Gateelektrodenstruktur eines zweiten Transistors auf dem zweiten aktiven Gebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur ein metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial und eine Gateisolationsschicht mit einem dielektrischen Material mit großem ε aufweisen.