公开(公告)号：CN100419991C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200480026866.4

申请日：2004-08-04

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： W·施瓦岑巴赫 ,  C·马勒维尔 ,  N·本穆罕默德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种从晶片中分离层的方法，其中该晶片的材料选自半导体材料，该方法包括以下步骤：在晶片的厚度中生成脆化区域，所述脆化区域界定了在晶片厚度中要分离的层；将该晶片进行处理，以在脆化区域的层面上进行层的分离；其特征在于：在生成脆化区域的过程中，产生该区域的局部起始区，在该局部起始区的层面上，该脆化区域局部地具有更大脆化，从而该起始区对应于该脆化区域的超脆化区。

公开(公告)号：CN101142669A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008159.1

申请日：2006-01-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·达瓦尔

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明涉及形成结构(30)的方法，所述结构(30)提供有从施主晶片(10)去除的层(2)，所述施主晶片(10)在去除之前包括第一Si1－xGex层(1)和在第一层(1)上的第二Si1－yGey层(2)(x、y的范围分别是0到1，而且x与y不相等)。所述方法包括：a)注入原子种类，以使得在第二层(2)下形成脆化区(4)，b)将施主晶片(10)键合到接受晶片(20)，c)加热从而在脆化区(4)从施主晶片(10)分离去除层(1’，2)，d)在大约1000℃或者更高的温度执行快速热退火(也称为RTA)等于或少于5分钟的时间，以及e)相对于第二层(2)选择性蚀刻第一层的剩余部分(1’)。

公开(公告)号：CN100341130C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03124334.7

申请日：2003-04-30

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·马勒维尔 ,  F·梅特特尔

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/306 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及一种装置，该装置通过测量两个晶片(11和12)的待检测的表面键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合瞬间的自动装置。本发明还涉及相关的方法。

公开(公告)号：CN100336196C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03823519.6

申请日：2003-09-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： E·内雷 ,  C·马勒维尔 ,  L·埃斯卡劳特

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283

Abstract: 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段：a)温度上升的第一个斜坡，是为了开始加热，b)第一次稳定停止，是为了稳定温度，c)温度上升的第二个斜坡，其特征在于在第二个斜坡期间，在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值，然后在称为高的温度范围之内增加。

公开(公告)号：CN101027769A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200480044032.6

申请日：2004-09-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  C·马勒维尔 ,  F·勒泰特 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种用于将一层材料从顶施主晶片10转移到接收操作晶片20上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染；用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片30；用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。

公开(公告)号：CN1922732A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200480042132.5

申请日：2004-02-25

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： 弗雷德里克·迪蓬特 ,  兰·凯雷富克

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469

Abstract: 制造光电检测装置的方法，特征在于其包括下列步骤：(a)提供第一晶片(I)，其包括由从半导体材料选择的材料制成的光敏层(1)以及包括电路层(2)的第二晶片(II)，该电路层(2)包括电子部件，该光敏层(1)和该电路层(2)之一由场隔离层(3)所覆盖；(b)将该第一晶片(I)与该第二晶片(II)相接合以形成依次包括该电路层(2)、该场隔离层(3)和该光敏层(1)的结构。(c)形成导电通路(40)，以将该光敏层(1)电连接到该电路层(2)的一些电子部件的输入。

公开(公告)号：CN1914709A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200480041518.4

申请日：2004-12-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 ,  原子能源局

Inventor： O·雷萨克 ,  B·布隆多 ,  H·莫里索 ,  C·拉加荷-布朗夏尔 ,  F·富尔内尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/76254 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明涉及材料具有差热特性的多层晶片的处理工艺，该工艺包括可产生二次缺陷的高温热处理步骤，其特征在于该工艺在高温热处理步骤之前包括晶片表面准备步骤。

公开(公告)号：CN1820354A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019723.0

申请日：2004-07-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  T·赤津 ,  R·丰塔尼埃

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种在晶片中注入的方法，该晶片包括具有不规则表面的至少一层，由此通过所述不规则表面进行注入。本发明的特征在于，为了增加注入深度的均匀性，在注入步骤之前，进行涂覆步骤，包括用涂覆层涂覆不规则表面。

公开(公告)号：CN1734718A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510084283.3

申请日：2001-11-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯朗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。

公开(公告)号：CN1723553A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001944.5

申请日：2004-01-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟朗 ,  C·奥尔内特 ,  B·奥斯特诺德 ,  T·赤津 ,  B·富尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/76254

Abstract: 在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法。施主晶片(10)依次包含衬底(1)和剥离结构(I)，在剥离之前剥离结构(I)包括待剥离的有用层；该方法包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于除去物质包括使用机械方法，以便在除去物质之后保留剥离结构的至少一部分(I’)，该剥离结构的至少一部分(I’)包含至少一层在重复利用之后可以剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：从根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法；根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)。