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公开(公告)号：CN101444897B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200810178331.9
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 抛光设备用于抛光基片例如半导体晶片为平坦的镜面加工面。抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、具有至少一个设计成形成被供给加压流体的多个压力室的弹性膜的抛光头和设计成控制加压流体向压力室的供给的控制器。控制器控制加压流体的供给，这样当基片与抛光表面接触时，加压流体首先供给位于基片中央部的压力室，然后加压流体供给位于基片中央部的压力室的径向外侧的压力室。
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公开(公告)号：CN101474771B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910003370.X
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件，其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁，所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法，所述衬底抛光方法包括：通过具有压力腔室的顶环保持衬底；使所述衬底与抛光表面滑动接触，同时将流体供给到所述压力腔室中，以将压力施加到所述衬底上；停止所述流体供给；通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上；将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置；以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。
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公开(公告)号：CN1809444B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200480017029.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
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公开(公告)号：CN101693354A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910211501.3
申请日：2003-12-26
CPC classification number: B24B37/015 , B24B41/061 , B24B55/02
Abstract: 公开了一种基片抛光方法，用于抛光基片，所述方法包括：提供用于保持基片的基片保持机构、具有抛光面的抛光台、用于将抛光液供应到抛光面上的抛光液供应嘴、用于被气体从中流经的气体流道、用于控制气体在气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀；抛光基片，其中将要被抛光的基片被基片保持机构保持并推压，从而基片被推压在抛光台的抛光面上，在抛光液被供应到抛光面上的同时，基片与抛光面相对运动，从而利用相对运动将基片抛光；其中，通过调节开度可调型定流量控制阀的开度来控制气体在气体流道中的流速，以便在抛光时连续地将气体直接供应到基片上，从而在基片的抛光过程中，基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
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公开(公告)号：CN101585164A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810165796.0
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , B24B49/02 , B24B53/12 , B24B41/047
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100509287C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580042189.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 一种根据本发明的衬底保持设备，其包括将与衬底的后表面接触的弹性膜，用于固定该弹性膜的至少一部分的附着构件，以及在当衬底与该弹性膜接触时用于保持该衬底的外围部分的保持环。弹性薄膜包括至少一个突出部分，而附着构件包括至少一个啮合部分，该啮合部分与弹性膜的该至少一个突出部分的侧表面啮合。弹性膜进一步包括波纹部分，该波纹部分可以在挤压方向上膨胀，以允许弹性膜挤压衬底，且该波纹部分可以沿着挤压方向收缩。
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公开(公告)号：CN101444897A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178331.9
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 抛光设备用于抛光基片例如半导体晶片为平坦的镜面加工面。抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、具有至少一个设计成形成被供给加压流体的多个压力室的弹性膜的抛光头和设计成控制加压流体向压力室的供给的控制器。控制器控制加压流体的供给，这样当基片与抛光表面接触时，加压流体首先供给位于基片中央部的压力室，然后加压流体供给位于基片中央部的压力室的径向外侧的压力室。
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公开(公告)号：CN101306512A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810125500.2
申请日：2003-12-26
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光设备包括：基片保持机构；具有抛光面的抛光台；其中，由所述基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在所述抛光台的抛光面上，通过由所述基片保持机构保持着的所述基片和所述抛光台的抛光面之间的相对运动，所述基片被抛光；其中，设有冷却装置，用于冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分；所述冷却装置包括具有引入口和排出口的拱顶，所述拱顶覆盖所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分，以便利用通过对所述拱顶的内侧部分地抽真空而产生的气流来冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分。
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公开(公告)号：CN100380599C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03801220.0
申请日：2003-04-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/345 , H01L21/67219 , H01L21/67745 , H01L21/67751 , H01L21/67766 , H01L21/68707
Abstract: 本发明的抛光装置，配备多个研磨单元(30A～30D)，该研磨单元设置使该研磨单元的顶环(301A～301D)在研磨面上的研磨位置与研磨对象物的交接位置之间移动的移动机构，并设置在包含前述研磨对象物的交接位置在内的多个搬运位置(TP1～TP7)之间将研磨对象物搬运的直动式搬运机构(5，6)，在作为前述研磨对象物的交接位置的前述直动式搬运机构的搬运位置(TP2，TP3，TP6，TP7)上，设置在该直动式搬运机构(5，6)和顶环(301A～301D之间交接研磨对象物的交接机(33，34，37，38)。
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公开(公告)号：CN100377311C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480013867.5
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/6838 , B24B37/30 , B24B49/16 , H01L21/67092
Abstract: 衬底保持装置保持例如半导体的衬底，并且将衬底压紧在抛光面上。该衬底保持装置包括：顶环体(2)，用于保持衬底；多个流体通道(33、34、35、36)，用于将流体提供给定义在顶环体中的多个压力室(22、23、24、25)；以及多个传感器(S1、S2、S3、S4)，分别设置在多个流体通道中，用于检测流过流体通道的流体的流动状态。
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