公开(公告)号：KR1020070058439A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077002478

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  스즈키켄지 ,  귀도띠엠마뉴엘 ,  모스카엔리코 ,  루이징크거트제이 ,  가와노유미코 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라쥐

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

Abstract: A method for depositing Ru and Re metal layers on substrates with high deposition rates, low particulate contamination, and good step coverage on patterned substrates is presented. The method includes providing a substrate in a process chamber, introducing a process gas in the process chamber in which the process gas comprises a carrier gas and a metal precursor selected from the group consisting of a ruthenium-carbonyl precursor and a rhenium-carbonyl precursor. The method further includes depositing a Ru or Re metal layer on the substrate by a thermal chemical vapor deposition process at a process chamber pressure less than about 20 mTorr.

Abstract translation: 提出了一种用于在具有高沉积速率，低颗粒污染和在图案化衬底上良好的阶梯覆盖的衬底上沉积Ru和Re金属层的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，在处理室中引入工艺气体，其中处理气体包括载气和选自羰基钌羰基前体和铼羰基前体的金属前体。 该方法还包括通过在低于约20mTorr的处理室压力下的热化学气相沉积工艺在衬底上沉积Ru或Re金属层。

公开(公告)号：KR100589924B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020000011449

申请日：2000-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  구보겐이치 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 본 발명은 감압 처리실로부터 미반응 원료 가스나 반응 부생성물 가스를 배기하기 위한 진공 펌프의 안정 가동을 보증하는 동시에 반응 부생성물을 효율적으로 회수하여 자원의 유효 이용 및 운전 비용의 절감을 도모하는 것을 목적으로 한다. 이 감압 CVD 장치는 감압 CVD법에 의해 구리의 성막(成膜)을 행하기 위한 처리실(10)과, 이 처리실(10)에 원료 가스로서 유기 구리 화합물, 예컨대 Cu(I) hfac TMVS를 공급하기 위한 원료 가스 공급부(12)와, 처리실(10)을 진공 흡기하여 배기하기 위한 진공 배기부(14)로 구성되어 있다. 진공 배기부(14)는 진공 펌프(26)와, 그 전단 및 후단에 각각 설치된 고온 트랩 장치(28) 및 저온 트랩 장치(30)로 구성되어 있다. 고온 트랩 장치(28)에서는 처리실(10)로부터의 배기 가스에 포함되어 있는 미반응 Cu(I) hfac TMVS를 분해하여 금속 구리가 트랩되고, 저온 트랩 장치(30)에서는 반응 부생성물인 Cu(II) (hfac)
2 가 트랩된다.

公开(公告)号：KR1020050087807A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：KR1020057009559

申请日：2003-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  마츠자와고우메이 ,  마츠다츠카사 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a substrate processing chamber which causes less damage to members in the substrate processing chamber is disclosed. The method for cleaning a processing chamber of an apparatus for processing a substrate comprises a gas supply step wherein a gas is supplied into a remote plasma generating unit provided to the substrate processing apparatus, a reacting species formation step wherein a reacting species is formed by exciting the gas in the remote plasma generating unit, and a reaction step wherein the reacting species is supplied into the processing chamber from the remote plasma generating unit while keeping the pressure within the processing chamber at 1333 Pa or higher.

Abstract translation: 公开了一种用于清洁对衬底处理室中的构件造成较小损坏的衬底处理室的方法。 用于清洁处理基板的设备的处理室的方法包括：气体供给步骤，其中将气体供应到设置到基板处理设备的远程等离子体生成单元中，反应物质形成步骤，其中通过激发形成反应物质 远程等离子体发生单元中的气体，以及反应步骤，其中将反应物质从远程等离子体发生单元供应到处理室中，同时将处理室内的压力保持在1333Pa或更高。

公开(公告)号：KR1020020079783A

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1020027009180

申请日：2001-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  다치바나미츠히로 ,  오쿠보가즈야 ,  스즈키겐지 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285

Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 성분 가스를 기부 배리어 막(3)으로 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나는 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 성분 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 성분 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 성분 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.

公开(公告)号：KR1020000062779A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1020000011449

申请日：2000-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  구보겐이치 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 본발명은감압처리실로부터미반응원료가스나반응부생성물가스를배기하기위한진공펌프의안정가동을보증하는동시에반응부생성물을효율적으로회수하여자원의유효이용및 운전비용의절감을도모하는것을목적으로한다. 이감압 CVD 장치는감압 CVD법에의해구리의성막(成膜)을행하기위한처리실(10)과, 이처리실(10)에원료가스로서유기구리화합물예컨대 Cu(I) hfac TMVS를공급하기위한원료가스공급부(12)와, 처리실(10)을진공흡기하여배기하기위한진공배기부(14)로구성되어있다. 진공배기부(14)는진공펌프(26)와, 그전단및 후단에각각설치된고온트랩장치(28) 및저온트랩장치(30)로구성되어있다. 고온트랩장치(28)에서는처리실(10)로부터의배기가스에포함되어있는미반응 Cu(I) hfac TMVS를분해하여금속구리가트랩되고, 저온트랩장치(30)에서는반응부생성물인 Cu(II) (hfac)가트랩된다.

公开(公告)号：KR1019970063506A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019970003751

申请日：1997-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다카유키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 다층배선 형성방법은, 기판의 절연막상에 알루미늄을 포함하는 금속막을 퇴적시켜 패터닝함으로써 제1층의 배선층을 형성하고, 배선층을 상측부터 피복하도록 기판상의 전면에 걸쳐서 제1층을 구성하는 층간절연막을 형성하고, 절연막의 소정의 위치에, 제1층의 배선층까지 확장하는 접속구멍을 형성하고, 접속구멍내에 100% 이상의 체적분률로 알루미늄을 CVD법에 의해 선택적으로 퇴적시켜 메우고, 알루미늄이 채워진 접속구멍을 포함하는 층간절연막의 상면전체를 연마처리에 의해 평탄화하고, 연마처리에 의해 평탄화된 면의 전체를 세척하고, 접속구멍에 채워진 알루미늄을 통해 제1층의 배선층과 접속하는 제2층의 배선층을 평탄화되어 세척된 층간 절연막의 상면의 소정의 위치에 알루미늄을 포함하는 금속막 퇴적시켜 패터닝함으로써 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019960035975A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019960005460

申请日：1996-03-02

Applicant: 가와사키 마이크로 엘렉트로닉스 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤도에이이치 ,  다케야스노부유키 ,  오타도모히로 ,  가와노유미코 ,  가이즈카다케시 ,  진노우치신페이

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：KR101661017B1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：KR1020137009652

申请日：2011-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 처리용기내에기판을배치하고, 기체형의 Ge 원료와, 기체형의 Sb 원료와, 기체형의 Te 원료를상기처리용기내에도입하여 CVD에의해기판상에 GeSbTe가되는 Ge-Sb-Te막을성막하는 Ge-Sb-Te막의성막방법으로서, 기체형의 Ge 원료및 기체형의 Sb 원료, 또는, 이들에더하여 GeSbTe가형성되지않을정도의소량의기체형의 Te 원료를, 상기처리용기내에도입하여기판상에, Te를함유하지않거나또는 GeSbTe보다적은양의 Te를함유하는전구체막을형성하는공정(공정 2)과, 기체형의 Te 원료를처리용기내에도입하여, 전구체막에 Te를흡착시켜막 중의 Te 농도를조정하는공정(공정 3)을갖는다.

公开(公告)号：KR1020140001818A

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：KR1020137001374

申请日：2012-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  미쯔이 죠센 가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코 ,  우치다나오키 ,  오자키가즈히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 서셉터의 주연부로부터 들어가는 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 서셉터의 면 내 온도를 정확하게 제어한다. 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 도전성 부재로서, 주연부(210)와 이것에 둘러싸이는 내측부(220)로 나눠지고, 내측부는 후판 형상 발열체로 이루어지고, 주연부는 내측부보다 얇은 박판 형상 발열체를 서로 전기적으로 절연한 상태에서 적층하여 이루어지는 서셉터(200)와, 서셉터의 측면으로부터 그 탑재면에 평행한 방향으로 교류 자장을 형성하는 전자석(120)을 구비하고, 이 전자석에 감겨진 유도 코일(124)에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류에 의해 각 박판 형상 발열체에 발생하는 유도 전류를 제어하여 내측부까지의 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 각 서셉터의 주연부의 발열량과 내측부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 행한다.

公开(公告)号：KR101203254B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020117003537

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기 내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.
또한, 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.