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公开(公告)号：KR100923298B1
公开(公告)日：2009-10-23
申请号：KR1020030003476
申请日：2003-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C15/02
Abstract: 단위 셀이 한 개의 트랜지스터와 두 개의 MTJ로 구성된 MRAM 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성된 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 덮도록 상기 반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 내에 상기 트랜지스터의 드레인 영역과 병렬로 연결된 제1 및 제2 MTJ 셀을 포함하되, 상기 제1 MTJ 셀은 메인 셀로써 상기 층간 절연막 내에 구비된 제1 비트라인에, 상기 제2 MTJ 셀은 레퍼런스 셀로써 상기 층간 절연막 내에 구비된 제2 비트라인에 각각 연결되어 있고, 상기 제1 MTJ 셀과 상기 트랜지스터의 게이트 전극사이에 상기 제1 및 제2 비트라인과 수직한 데이터 라인이 구비된 것을 특징으로 하는 MRAM 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 MRAM은 싱글 셀 구조를 갖는 MRAM에 버금가는 셀 집적도를 가지면서 충분한 센싱 마진을 확보할 수 있고, 또한 고속 동작이 가능하며 노이즈를 줄일 수 있다. 아울러 오프 셋을 제거할 수 있고, 데이터 기록 동안에 MTJ 셀의 하판을 통해서 전류가 흐를 수 있으므로, 데이터 기록에 필요한 최소 전류량도 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080064612A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001703
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J1/304
Abstract: A field emission electrode, a method for fabricating the same, and a field emission device having the field emission device are provided to implement the long lifetime by using a carbon nano tube. A carbon nano tube(16) is formed on a substrate(11). A conductive layer(18b) covers parts of the substrate surface. A conductive nano particle(18a) is attached on an external wall of the carbon nano tube. The carbon nano tube is directly grown on an upper portion of the substrate. The carbon nano tube is formed through CVD(Chemical Vapor Deposition) using H2O plasma. The carbon nano tube is a single wall carbon nano tube. The conductive nano particle is attached to a defect of the external wall of the carbon nano tube. The conductive nano particle is one or more selected from a group consisting of a metal oxide and a metal. The conductive nano particle is one or more selected from a group consisting of ZnO, ZnO:Al, SnO2, In2O3, Zn2SnO4, MgIn2O4, ZnSnO3, GaInO3, Zn2In2O5, In4Sn3Ol2, Pt, Ru, Ir, and Al.
Abstract translation: 提供场发射电极，其制造方法和具有场发射器件的场发射器件，以通过使用碳纳米管实现长寿命。 在基板（11）上形成碳纳米管（16）。 导电层（18b）覆盖基板表面的部分。 导电纳米颗粒（18a）附着在碳纳米管的外壁上。 碳纳米管直接生长在基材的上部。 碳纳米管通过使用H 2 O等离子体的CVD（化学气相沉积）形成。 碳纳米管是单壁碳纳米管。 导电纳米颗粒附着在碳纳米管外壁的缺陷处。 导电性纳米粒子是选自金属氧化物和金属中的一种以上。 导电性纳米粒子是选自ZnO，ZnO：Al，SnO 2，In 2 O 3，Zn 2 SnO 4，MgIn 2 O 4，ZnSnO 3，GaInO 3，Zn 2 In 2 O 5，In 4 Sn 3 O 12，Pt，Ru，Ir和Al中的一种以上。
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公开(公告)号：KR100723418B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020060009821
申请日：2006-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L29/8605
Abstract: 본 발명은 실리콘 나노 와이어, 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자 및 실리콘 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것이다. (가) 실리콘 기판 표면에 규칙적으로 형성된 다수의 마이크로 캐버티 형태를 포함하는 마세 굴곡을 형성시키는 단계; (나) 상기 기판 상에 나노 와이어 형성을 위한 촉매 작용을 하는 물질을 증착하여 금속층을 형성시키는 단계; (다) 상기 금속층을 가열함으로써, 상기 기판 표면의 미세 굴곡 내에 상기 금속층을 덩어리화하여 촉매를 형성시키는 단계; 및 (라) 상기 촉매와 상기 기판 사이에 나노 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 실리콘 나노 와이어 제조 방법과 이에 의해 제조된 실리콘 나노 와이어 및 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100707199B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050062931
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y10S977/845
Abstract: 비교적 낮은 온도범위에서 양질의 단일벽 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 탄소나노튜브의 저온성장 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브의 저온성장 방법은 진공챔버를 준비하는 단계, 상기 진공챔버 내에 촉매금속이 증착된 기판을 준비하는 단계, H
2 O를 기상화하여 상기 진공챔버 내에 공급하는 단계, 상기 진공챔버 내에 H
2 O 플라즈마 방전을 발생시키는 단계 및 상기 진공챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 H
2 O 플라즈마 분위기에서 상기 기판 위에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.Abstract translation: 生长单壁碳纳米管的方法。 该方法可以包括将氧化剂和蚀刻剂中的至少一种供应到真空室中，并将源气体供应到真空室中，以在氧化剂或蚀刻剂气氛中的基底上生长碳纳米管。 碳纳米管可以在H 2 O等离子体气氛中生长。 碳纳米管可以在低于500℃的温度下生长
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公开(公告)号：KR100695124B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020040012537
申请日：2004-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 카본나노튜브의 수평성장방법이 개시된다. 개시된 카본나노튜브의 수평성장방법은, 기판 상에 알루미늄층을 증착하는 단계와, 상기 기판 상에 상기 알루미늄층을 덮는 절연층을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에서 상기 절연층 및 상기 알루미늄층을 패터닝하여 상기 기판 상에 상기 알루미늄층의 측면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 알루미늄층의 측면으로부터 소정 깊이로 다수의 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀의 바닥에 촉매금속층을 증착하는 단계와, 상기 촉매금속층으로부터 수평으로 카본나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100682952B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050080620
申请日：2005-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
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公开(公告)号：KR100668352B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020060001394
申请日：2006-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/749 , Y10S977/842 , Y10S977/843
Abstract: A method for manufacturing nitrogen doped single-walled carbon nanotubes is provided to reduce complexity of a manufacture process by performing a nitrogen doping process and a synthesis of carbon nanotubes, simultaneously. A catalyst metal layer(22) is formed on a substrate(20). The substrate on which the catalyst metal layer is formed is mounted in a reactive chamber(10). H2O plasma atmosphere is created in the reactive chamber. carbon precursor and nitrogen precursor are provided in the reactive chamber and then chemically reacted to each other, thereby growing nitrogen doped carbon nanotubes(30) on the catalyst metal layer. Upon growing of the nitrogen doped carbon nanotubes, temperature in the reactive chamber is maintained at 400 ‹C to 600 ‹C.
Abstract translation: 提供氮掺杂单壁碳纳米管的制造方法，通过同时进行氮掺杂工艺和碳纳米管的合成来降低制造工艺的复杂性。 催化剂金属层（22）形成在基板（20）上。 其上形成有催化剂金属层的基板安装在反应室（10）中。 在反应室中产生H 2 O等离子体气氛。 碳前驱物和氮前体提供在反应室中，然后彼此化学反应，从而在催化剂金属层上生长氮掺杂的碳纳米管（30）。 当氮掺杂碳纳米管生长时，反应室中的温度保持在400℃至600℃。
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公开(公告)号：KR1020060085300A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020050005813
申请日：2005-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법이 개시된다.
개시되는 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 그리고, 또 다른 실시예에 따른 상기 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 패터닝하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 패터닝된 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법에 의하면, 나노 수준에서 기판의 미세 부위에 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 패턴을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060050134A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050063305
申请日：2005-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , B82B1/00 , H01L21/336 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L21/02606 , H01L21/28282 , H01L29/792
Abstract: 앰비폴라 나노튜브 전계효과 트랜지스터는 탄소나노튜브에 산소분자와 같은 캐리어 트래핑 물질을 흡착시키거나 또는 상기 탄소나노튜브에 인접하게 캐리어 트래핑 물질을 포함하는 부가층을 제공함으로써 유니폴라 나노튜브 전계효과 트랜지스터로 변환된다.
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公开(公告)号：KR100580641B1
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020040000052
申请日：2004-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , C01P2006/40 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/789
Abstract: 반도체성 탄소나노튜브의 선별방법이 개시된다.
본 발명은 탄소나노튜브와 황산 및 질산을 혼합한 혼산용액을 혼합하는 단계; 상기 탄소나노튜브 분산용액을 교반하는 단계; 상기 분산용액을 여과하는 단계; 및 여과된 탄소나노튜브를 가열하여 관능기를 제거하는 단계를 포함하는 반도체성 탄소나노튜브의 선별방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 간단한 공정을 통해 반도체성 탄소나노튜브를 대량 및 고순도로 선별해 낼 수 있기 때문에 메모리소자나 센서 등 다른 소자에 응용성을 극대화시킬 수 있으며 디펙트가 있는 탄소나노튜브도 함께 제거할 수 있다는 장점이 있다. 한편, 본 발명에 따르면 탄소나노튜브 조생성물에서 불순물을 제거하는 공정과 반도체성 탄소나노튜브를 분리하는 공정을 함께 수행할 수도 있으므로 공정의 효율면에서 매우 우수하다.
반도체성 탄소나노튜브
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