公开(公告)号：KR102170143B1

公开(公告)日：2020-10-26

申请号：KR1020130098099

申请日：2013-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최진 ,  배석종 ,  신인균 ,  이정현

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

公开(公告)号：KR1020110083418A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020100003630

申请日：2010-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수영 ,  신인균 ,  정윤송

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L23/60

CPC classification number: G03F1/44 ,  G03F1/40 ,  G03F1/84 ,  H01L21/0338 ,  H01L23/60

Abstract: PURPOSE: An electrostatic discharge(ESD)-sensitive monitoring module under external electric field and a photo-mask including the module are provided to maximize the probability of the generation of ESD, induced by the external electric field, by designing monitoring patterns to directions matched or vertical to the external electric field. CONSTITUTION: A plurality of monitoring patterns(110) which is electrically isolated is orthogonally arranged in the ESD monitoring module of a photo-mask. The monitoring patters are formed in a bar shape. The lengths of the monitoring patterns are relatively longer than the widths of the monitoring patterns. The photo-mask includes a transparent substrate and a light shielding pattern. The light shielding pattern is composed of the monitoring module and a blind region which is arranged around the monitoring module.

Abstract translation: 目的：提供外部电场下的静电放电（ESD）敏感监控模块和包含该模块的光掩模，以通过将监控模式设计为​​匹配的方向来最大限度地发挥由外部电场引起的ESD产生的可能性 或垂直于外部电场。 构成：电隔离的多个监视图案（110）正交布置在光掩模的ESD监视模块中。 监控模式形成为条形。 监视模式的长度比监视模式的宽度相对较长。 光掩模包括透明基板和遮光图案。 遮光图案由监视模块和布置在监视模块周围的盲区组成。

公开(公告)号：KR1020060099708A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050021095

申请日：2005-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지숭 ,  허성민 ,  최성운 ,  신인균

IPC: G03F1/72 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F1/84

Abstract: 디자인 룰 감소가 가속화됨에 따라 포토마스크의 임계 치수(Critical Dimension : CD) 균일도와 MTT(mean to target)에 대한 규정도 점차로 엄격해지고 있다. 본 발명은 100nm 이하 소자 개발에서 요구되어지는 CD 균일도 및 MTT를 만족시키기 위해 필요한 포토마스크 CD에 대한 측정과 분석을 자동으로 수행하며 필요시 CD 에러가 발생한 부분에 대한 교정을 수행함으로써 마스크 수정(mask revision)을 최소화하고 궁극적으로 마스크 제조비용과 턴 어라운드 타임(turn around time : TAT)을 절감할 수 있는 교정 방법과 이를 위한 교정 시스템을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020050073507A

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：KR1020040056426

申请日：2004-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성민 ,  김성혁 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/70 ,  G03F7/70625

Abstract: 포토리소그라피 공정에서 피측정 패턴의 임계치수 변이가 발생한 경우에 피측정 패턴의 임계치수를 보정하는 방법에 대하여 개시한다. 임계치수를 보정하기 위하여 본 발명에서는 먼저 포토리소그라피 공정의 임계치수 변이를 측정하고, 그 임계치수 변이에 따라서 포토리소그라피 공정의 노광원의 파장λ보다 크기가 작은 크기로 포토 마스크의 투명 기판을 식각하여, 리세스, 언더 컷, 수직 홈, 등방성 홈, 리세스된 수직 홈 및/또는 리세스된 등방성 홈을 형성한다.

公开(公告)号：KR100476879B1

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1019980003121

申请日：1998-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신인균 ,  손정민

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 해상도를 증가시키고 사이드 로브 현상을 방지하는 마스크 형성 방법에 관한 것으로, 마스크 기판 상에 4% 이하의 투과율을 갖는 MoSiON 계열의 물질을 사용하여 콘택 영역을 갖는 마스크막 패턴을 형성한다. 상기 마스크막 패턴을 포함하여 마스크 기판을 황산 등의 케미컬에 노출시킨다. 상기 케미컬 노출 공정에 의해 상기 콘택 영역에 인접한 마스크막 패턴이 일부가 그 나머지 부분에 대해 상대적으로 더 높은 투과율을 갖게 된다. 이와 같은 장치의 제조 방법에 의해서, 콘택 영역에 인접한 마스크막 패턴의 일부는 6 - 10%의 투과율을 갖도록 함으로써 PSM 효과에 의해 해상도를 증가시킬 수 있고, 그 나머지 부분은 4% 이하의 투과율을 갖도록 함으로써 기판 노광 후 발생되는 사이드 로브를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100446294B1

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：KR1020020006836

申请日：2002-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신인균 ,  손정민 ,  윤희선 ,  최성운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70125 ,  G03F1/34 ,  G03F1/50

Abstract: 사입사 조명(Off-Axis illumination)을 구현하는 포토마스크 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 포토마스크는 투명기판과, 상기 투명기판의 전면(前面)에 형성되어 패턴 형성을 위한 투광부를 정의하는 다수의 차광패턴, 및 상기 투명기판의 후면(後面)에 형성되어 입사되는 광원을 노광설비의 사입사 한계 이상으로 사입사시키고, 어퍼쳐의 최외곽 영역까지 사용할 수 있도록 하며, 상기 차광패턴의 레이아웃에 적합한 형태의 변형 조명(modified illumination)을 구현할 수 있는 다수의 위상 격자(phase grating)를 포함하여 이루어진다.

Abstract translation: 光掩模（50）包括透明基板; 形成在基板的前表面上的不透明图案; 和形成在衬底背面上的相位光栅（150），允许入射光源的离轴照射（OAI）超过曝光设备的OAI限制。 光掩模包括透明衬底; 不透明图案，形成在基板的前表面上，用于限定用于形成图案的泛光照明部分; 以及形成在衬底背面上的相位光栅，允许入射光源的OAI超出曝光设备的OAI限制，允许在孔的最外面区域中使用并且允许具有适合于不透明的布局的形状的改进的照明 图案。 还包括用于制造光掩模的方法的独立权利要求，该方法包括：在衬底的前表面上形成用于限定用于形成图案的泛光照明部分的不透明图案; 以及在衬底的后表面上形成相位光栅。

公开(公告)号：KR100429860B1

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：KR1019970020983

申请日：1997-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신인균

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An alternative type phase shift mask is provided to uniformly control the light transmitting a trench and the light transmitting a normal region of a cell part and prevent generation of a difference of CD(critical dimension) by forming the second shifter whose end part adjacent to the normal region of the cell part is exposed. CONSTITUTION: A mask substrate(100) having a peri part and a cell part is prepared. The first shifter(210) is positioned on the peri part of the mask substrate. The second shifter(250) is positioned on the cell part of the mask substrate. A trench(410) alternates with the second shifter. The first mask pattern(310) is positioned on the first shifter. The second mask pattern(350) that exposes an end of the second shifter adjacent to the normal region(430) alternating with the trench is formed on the second shifter, formed of a smaller line width than that of the second shifter.

公开(公告)号：KR1020040041788A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020069665

申请日：2002-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34

Abstract: PURPOSE: A PEPSM(Phase Edge Phase Shift Mask) and a manufacturing method thereof are provided to be capable of obtaining various photoresist patterns having different sizes and pitches and simplifying the manufacturing process. CONSTITUTION: A PEPSM includes a quartz substrate(100). At this time, the quartz substrate has a trench(110) for defining 180 degree phase shift region. The PEPSM further includes a plurality of sub-patterns(120) installed at the predetermined upper portion of the quartz substrate and/or at the predetermined bottom portion of the trench. Preferably, the sub-patterns are formed at the upper center portion of the quartz substrate or/and at the bottom center portion of the trench. Preferably, the sub-pattern is made of optical interference material.

Abstract translation: 目的：提供一种PEPSM（相位相移掩模）及其制造方法，其能够获得具有不同尺寸和间距的各种光刻胶图案并简化制造工艺。 构成：PEPSM包括石英基板（100）。 此时，石英衬底具有用于限定180度相移区域的沟槽（110）。 PEPSM还包括安装在石英衬底的预定上部和/或在沟槽的预定底部处的多个子图案（120）。 优选地，子图案形成在石英衬底的上中心部分处和/或在沟槽的底部中心部分处。 优选地，子图案由光学干涉材料制成。

公开(公告)号：KR1020030096464A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020032975

申请日：2002-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an alternating PSM(Phase Shift Mask) is provided to be capable of reducing fabrication time by improving the structure of the PSM. CONSTITUTION: A blocking layer(110) is formed at the upper portion of a quartz substrate(100). A 180 degree phase shift region is formed by selectively etching the first predetermined portion of the blocking layer and the quartz substrate to a predetermined depth. Then, a 0 degree phase region is formed by selectively etching the second predetermined portion of the blocking layer. Preferably, the 180 degree phase shift region is formed by selectively patterning the blocking layer, etching the quartz substrate using the patterned blocking layer as a mask, and removing the particles generated at the exposed surface of the quartz substrate, sequentially.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造交替PSM（相移掩模）的方法，以便通过改善PSM的结构来减少制造时间。 构成：在石英基板（100）的上部形成阻挡层（110）。 通过选择性地将阻挡层和石英衬底的第一预定部分蚀刻到预定深度来形成180度相移区域。 然后，通过选择性地蚀刻阻挡层的第二预定部分来形成0度相位区域。 优选地，通过选择性地图案化阻挡层，使用图案化阻挡层作为掩模蚀刻石英基板，并依次除去在石英基板的暴露表面产生的颗粒来形成180度相移区域。

公开(公告)号：KR1020030083234A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020020021681

申请日：2002-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성혁 ,  정태문 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: PURPOSE: A waveguide type alternating phase shift mask and a method for manufacturing the same are provided to be capable of effectively reducing the difference of critical dimension and the reversal phenomenon of the critical dimension according to focus, and obtaining a wide phase margin. CONSTITUTION: A waveguide type alternating phase shift mask(100) is provided with a transparent substrate(102) and a plurality of waveguide patterns(104) regularly arrayed at the upper portion of the transparent substrate for defining transmission regions(A,B). At this time, the transmission regions includes inverting transmission regions(A) made of a recess region(108) and noninverting transmission regions(B) alternately arrayed with the inverting transmission regions.

Abstract translation: 目的：提供一种波导型交变相移掩模及其制造方法，能够根据焦点有效地降低临界尺寸的差异和临界尺寸的反转现象，并获得宽的相位裕度。 构造：波导型交变相移掩模（100）设置有透明基板（102），并且多个波导图案（104）有规则排列在透明基板的上部，用于限定透射区域（A，B）。 此时，透射区域包括由凹部区域（108）和与反相透射区域交替排列的反相透射区域（B）构成的反转透射区域（A）。