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公开(公告)号：KR1020100062544A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121228
申请日：2008-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/458 , H01L29/7869 , H01L21/311 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate is provided to prevent the film characteristics of insulation and protection films from being lowered by adding a hydrogen gas to a deposition process. CONSTITUTION: A gate line is formed on an insulating substrate(10), and a gate insulating layer(30) is formed on the gate line. A data line is formed on the gate insulation film, and a protection film(60) is formed on the data line. A contact hole(65) is formed by etching at least one of the gate insulation film and the protection film.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板，以通过向沉积工艺添加氢气来防止绝缘和保护膜的膜特性降低。 构成：在绝缘基板（10）上形成栅极线，栅极线上形成有栅极绝缘层（30）。 在栅极绝缘膜上形成数据线，在数据线上形成保护膜（60）。 通过蚀刻栅极绝缘膜和保护膜中的至少一个来形成接触孔（65）。
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公开(公告)号：KR1020090048791A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070114838
申请日：2007-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최재호
Abstract: 본 발명은 전력제어 시스템에 관한 것으로, 본 발명은 통신모듈이 장착되어 수용가에서 사용되는 전력량을 측정하는 전력량계, 상기 전력량계에서 측정된 전력량을 이용하여 수요시한 동안 상기 수용가에서 사용되는 전력량이 목표 전력량을 초과하지 않도록 상기 수용가의 부하를 제어하는 중앙 제어기를 포함한다.
전력, 디멘드, 공기조화기-
公开(公告)号：KR1020080076447A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070016375
申请日：2007-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/2053 , H01L29/4908 , H01L29/78603
Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor substrate is provided to prevent on current of the thin film transistor formed through a lower temperature process from lowering by adjusting a mixing rate of gas to improve a gate insulation layer and a semiconductor layer. A method for manufacturing a thin film transistor substrate includes the steps of: forming a gate electrode(120) on a substrate(110); forming a gate insulation layer(130) on the substrate with the gate electrode by using gas containing H2 and SiH4 which are mixed at the rate of 18:1~22:1 and gas containing N2 and NH3 which are mixed at the rate of 8:1~12:1 at 200 °C~250 °C; forming a semiconductor layer(142) on the substrate with the gate insulation layer by using gas containing H2 and SiH4 which are mixed at the rate of 13:1~17:1 at 200 °C~250 °C; forming an ohmic contact layer(144) on the semiconductor layer at 200 °C~250 °C; forming source and drain electrodes(152,154) on the ohmic layer which are separated from each other, with having a channel forming region of the semiconductor layer.
Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管基板的方法，以通过调节气体的混合速率以改善栅极绝缘层和半导体层来防止通过较低温度工艺形成的薄膜晶体管的导通电流降低。 制造薄膜晶体管基板的方法包括以下步骤：在基板（110）上形成栅电极（120）; 通过使用以18：1〜22：1的速度混合的含有H2和SiH4的气体和以N2的比例混合的N 2和NH 3的气体，在栅电极的基板上形成栅极绝缘层（130） ：200〜250℃1〜12：1; 通过使用含有H2和SiH4的气体在200℃〜250℃下以13：1〜17：1的比例混合，在栅极绝缘层上形成半导体层（142）; 在200℃〜250℃在半导体层上形成欧姆接触层（144）; 在所述欧姆层上形成具有所述半导体层的沟道形成区域的彼此分离的源极和漏极（152,154）。
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公开(公告)号：KR1020080054927A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060127606
申请日：2006-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/02
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1222 , H01L51/56
Abstract: A manufacturing method of an organic light emitting diode display is provided to improve Ion and Ioff characteristics of a thin film transistor through plasma treatment. A manufacturing method of an organic light emitting diode display includes the steps of: forming a gate line including a first control electrode(124a) and a second control electrode(124b) on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate line and the second control electrode; forming an amorphous silicon layer on the gate insulating layer; forming a polycrystalline silicon layer by annealing the amorphous silicon layer; performing H2 plasma treatment on the polycrystalline silicon layer; forming first and second semiconductors(154a,154b) by patterning the polycrystalline silicon layer; forming a data line(171) having a first input electrode(173a), a driving voltage line(172) having a second input electrode(173b), and first and second output electrodes(175a,175b) on the first and second semiconductors; forming a passivation layer on the data line, the driving voltage line, and the first and second output electrodes; forming a connecting member(85) to connect the first output electrode and the second input electrode and a first electrode(191) connected to the second output electrode on the passivation layer; forming a partition including an opening on the first electrode; forming a light emitting member on the opening; and forming a second electrode on the light emitting member.
Abstract translation: 提供了一种有机发光二极管显示器的制造方法，以通过等离子体处理改善薄膜晶体管的离子和离子化特性。 有机发光二极管显示器的制造方法包括以下步骤：在基板上形成包括第一控制电极（124a）和第二控制电极（124b）的栅极线; 在栅极线和第二控制电极上形成栅极绝缘层; 在所述栅绝缘层上形成非晶硅层; 通过退火所述非晶硅层形成多晶硅层; 在多晶硅层上进行H2等离子体处理; 通过构图多晶硅层形成第一和第二半导体（154a，154b）; 形成具有第一输入电极（173a）的数据线（171），具有第二输入电极（173b）的驱动电压线（172）和第一和第二半导体上的第一和第二输出电极（175a，175b） 在数据线，驱动电压线以及第一和第二输出电极上形成钝化层; 形成用于连接第一输出电极和第二输入电极的连接部件（85）和与钝化层上的第二输出电极连接的第一电极（191）; 在所述第一电极上形成包括开口的隔板; 在所述开口上形成发光部件; 以及在所述发光部件上形成第二电极。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100686233B1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020000020110
申请日：2000-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133
Abstract: 본 발명에서는 절연 기판 위에 블랙 매트릭스를 형성하고, 그 위에 이웃하는 블랙 매트릭스와 일부 중첩하도록 색 필터를 형성한다. 이어, 색 필터와 블랙 매트릭스를 덮는 오버코트막을 형성한 다음, ITO와 같은 투명 도전 물질을 증착하여 공통 전극을 형성한다. 다음, 200 내지 300℃에서 30분 내지 180분 동안 어닐링한 후, 공통 전극을 패터닝하여 개구 패턴을 형성한다. 따라서, 본 발명에서는 공통 전극에 개구 패턴을 형성하여 액정 표시 장치의 시야각을 넓힐 수 있으며, 색 필터가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
색 필터, 블랙 매트릭스, 시야각, 프린지 필드-
公开(公告)号：KR100656916B1
公开(公告)日：2006-12-12
申请号：KR1020000066757
申请日：2000-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/36
Abstract: 본 발명은 초기 벤드 배향을 고속화하기 위한 액정 표시 장치 및 이의 구동 장치와 방법이다. 본 발명에 따르면, DC-DC 컨버터는 소정의 바이어스 전압을 출력하고, 스위칭부는 공통 전극 전압과 바이어스 전압 중 어느 하나를 선택하여 LCD 패널에 출력하며, 인버터는 백 라이트부를 구동하기 위한 소정의 전압을 인가한다. 또한 타이밍 제어부는 (ⅰ) 액정 표시 장치의 초기 기동시에는 미선택된 상태의 데이터 전압과 게이트 전압을 데이터 드라이버와 게이트 드라이버에 각각 출력하고, DC-DC 컨버터로부터 제공되는 바이어스 전압을 LCD 패널에 제공하도록 스위칭부를 제어하며, (ⅱ) 소정 시간의 경과와 함께 백 라이트부를 구동하기 위한 백 라이트 제어 전압을 인버터에 제공하고, 공통 전극 전압을 LCD 패널에 제공하도록 스위칭부를 제어한다. 그 결과, OCB 모드의 LCD 패널을 사용하는 액정 표시 장치의 초기 기동시 화소 전극에 공통으로 인가되는 공통 전극 전압을 통상적인 레벨의 전압보다 더욱 낮은 레벨의 전압을 인가하므로써 화소 전극에는 DC 전압이 최소한 10 볼트에서 20볼트까지 인가되므로 벤드 배향 전이 시간을 줄일 수 있다.
액정 표시 장치, LCD, OCB, 벤드 배향, 고속-
公开(公告)号：KR100529549B1
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1019980059281
申请日：1998-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 생산설비를 제어하는 원격제어장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 여러 대의 생산설비를 원격제어하는 장치에서 각 설비별로 순차적으로 모니터링할 수 있는 회로에 관한 것으로서, 각 설비별로 모니터링을 자동으로 순차적으로 할 수 있고, 보통은 생산라인에 설치되는 타워램프(tower lamp)를 원격제어장치에 직접 설치하여 모니터링과 연동시키며, 이상이 발생하거나 공정이 끝난 설비의 번호를 직접 표시할 수 있도록 하는 원격제어회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 회로는, 각 설비의 상태를 나타내는 신호를 받는 수신부, 설비수 만큼의 출력단을 통해 순차적으로 신호를 만들어 내는 카운터, 수신부와 카운터의 출력에 연결되어 수신부와 카운터의 출력신호에 따라 설비를 감시하는 설비감시부, 수신부 출력에 연결되어 수신부의 신호에 따라 이 상태를 표시하는 타워램프, 수신부 출력에 연결되어 수신부의 신호를 출력한 설비의 번호를 표시하는 설비번호표시부로 구성된다.
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公开(公告)号：KR100535182B1
公开(公告)日：2005-12-09
申请号：KR1019990006301
申请日：1999-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 솔더 볼 부착 장치(Apparatus for attaching solder ball)에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 칩 스케일 패키지(CSP)를 제작할 때 복수개의 반도체 칩들이 부착된 테이프의 볼 패드들 위로 솔더 볼들(Solder ball)을 정확하게 부착시키기 위한 솔더 볼 공급판의 구조에 관한 것이며, 이를 위하여 외부와 연결되는 공기 주입구와 각 정렬홈에 형성된 개별 주입구 및 공기 주입구와 개별 주입구들을 연결하는 도관이 형성된 솔더 볼 공급판의 구조를 개시하고, 외부의 배기 장치와 공기 분사 장치가 밸브를 통해 선택적으로 공기 주입구에 연결되는 구조를 개시하며, 이러한 구조를 통하여 솔더 볼을 각 정렬홈에서 진공 흡착하거나 또는 솔더 볼에 직접 공기를 분사하여 정렬홈에서 분리시킬 수 있다. 또한 이와 같이 진공 흡착 또는 공기 분사를 통하여 솔더 볼을 볼 패드 위로 정확하게 부착시킴으로써 솔더 볼 부착 공정의 품질을 향상시키고 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
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