公开(公告)号：KR100343148B1

公开(公告)日：2002-07-06

申请号：KR1020000066828

申请日：2000-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영래 ,  김정엽 ,  윤보언 ,  하상록

IPC: H01L21/31

Abstract: 공정을 단순화시키고, 게이트 상부절연막의 손실을 억제하여 비트라인과 게이트와의 단선을 억제하고, 게이트 구조형성 후 적층되는 층간절연막의 보이드 발생을 억제할 수 있는 반도체 소자의 콘택패드 형성방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 반도체 기판에 게이트 상부절연막을 포함하는 게이트 구조와, 정지층(stopping layer) 및 층간절연막을 형성하고 수행하는 화학기계적 연마공정에서, 게이트 상부절연막과 층간절연막과의 연마선택비가 높은 슬러리를 이용하여 상기 적어도 게이트 상부절연막이 노출되도록 상기 층간절연막을 평탄화하고, 상기 층간절연막에 콘택패드가 형성될 영역을 식각 후, 콘택패드용 도전물질을 증착하고 수행하는 화학기계적 연마공정에서 게이트 상부절연막과 상기 콘택패드용 도전물질과의 연마선택비가 높은 슬러리를 이용하여 평탄화를 진행한다.

公开(公告)号：KR1020010109960A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1020000030800

申请日：2000-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종원 ,  윤보언 ,  하상록

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 금속막에 대한 CMP 공정에 사용하기 위한 슬러리 및 그 제조 방법과, 상기 슬러리를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 슬러리는 연마제와, 복수의 산화제와, 카르복실기를 함유하는 유기산으로 이루어지는 안정화제와, 금속의 부식을 억제하기 위한 부식 억제제와, 금속막과 배리어막과의 제거 속도 차이를 줄이기 위한 불소 화합물과, 순수로 이루어진다. 상기 복수의 산화제는 환원된 다른 산화제의 산화력을 복원시키기 위한 제1 산화제와, 금속을 산화시키기 위한 제2 산화제를 포함한다.

公开(公告)号：KR100316721B1

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1020000004465

申请日：2000-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  장규환 ,  권영민 ,  하상록

IPC: H01L21/24

Abstract: 실리사이드막을 구비한 콘택 구조 및 게이트 구조 등의 반도체소자의 제조방법이 기재되어 있다. 실리콘기판상에 형성된 절연막을 식각하여 실리콘기판의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한 후, 플라즈마 상태의 수소가스 및 불소계가스를 공급하여 실리콘기판의 노출된 표면을 세정한다. 이어서,콘택홀 내의 실리콘기판 표면에 실리사이드막을 형성하고, 다시 플라즈마 상태의 수소가스 및 불소계가스를 공급하여 상기 실리사이드막의 표면을 세정한 후, 실리사이드막이 형성된 콘택홀내에 금속막을 충전한다. 상기 세정 단계는 플라즈마 상태의 수소가스 및 불소계가스를 공급하여 상기 실리콘기판의 노출된 표면에 형성된 산화막과 화학적으로 반응시켜 반응층을 형성하는 단계 및 상기 반응층을 기화시켜 제거할 수 있도록 어닐링하는 단계로 이루어진다. 게이트 구조의 경우에는 게이트 전극 물질상에 실리사이드막을 형성하기 전 및 후에 상기 세정공정을 동일한 원리에 의해 수행한다.
따라서, 본 발명에 따르면, 자연산화막의 하부 막질을 손상시키거나 오염시키기 않으면서도 효과적으로 세정이 이루어져 반도체소자의 신뢰성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020010105589A

公开(公告)日：2001-11-29

申请号：KR1020000026182

申请日：2000-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정엽 ,  박영래 ,  하상록

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B1/04 ,  B24B57/02

Abstract: A method for monitoring client interaction with a resource downloaded from a server in a computer network includes the steps of using a client to specify an address of a resource located on a first server, downloading a file corresponding to the resource from the first server in response to specification of the address, using the client to specify an address of a first executable program located on a second server, the address of the first executable program being embedded in the file downloaded from the first server, the first executable program including a software timer for monitoring the amount of time the client spends interacting with and displaying the file downloaded from the first server, downloading the first executable program from the second server to run on the client so as to determine the amount of time the client interacts with the file downloaded from the first server, using a server to acquire client identifying indicia from the client, and uploading the amount of time determined by the first executable program to a third server. The first executable program may also monitor time, keyboard events, mouse events, and the like, in order to track choices and selections made by a user in the file, and may execute upon the occurrence of a predetermined event, as well as monitoring or determining the amount of information downloaded by the client. The monitored information and client identifying indicia is stored on a database in a server for use in analysis and for automatically serving out files assembled according to user interests and preferences.

Abstract translation: 一种用于监视与从计算机网络中的服务器下载的资源的客户端交互的方法包括以下步骤：使用客户端来指定位于第一服务器上的资源的地址，响应于从第一服务器下载对应于资源的文件 使用所述客户端来指定位于第二服务器上的第一可执行程序的地址，所述第一可执行程序的地址被嵌入在从所述第一服务器下载的文件中，所述第一可执行程序包括软件定时器 用于监视客户端与第一服务器交互并显示从第一服务器下载的文件的时间量，从第二服务器下载第一可执行程序以在客户端上运行，以便确定客户端与下载的文件交互的时间量 从第一个服务器，使用服务器从客户端获取客户端识别标记，并上传tim数量 e由第一可执行程序确定为第三服务器。 第一可执行程序还可以监视时间，键盘事件，鼠标事件等，以便跟踪用户在文件中做出的选择和选择，并且可以在发生预定事件时执行，以及监视或 确定客户端下载的信息量。 所监视的信息和客户端识别标记被存储在服务器中的数据库上以用于分析，并且根据用户兴趣和偏好自动地输出组装的文件。

公开(公告)号：KR1020010083394A

公开(公告)日：2001-09-01

申请号：KR1020000006624

申请日：2000-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종원 ,  하상록

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A membrane of a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus is provided to improve polishing uniformity of the entire surface of a wafer, by using the carrier head fixedly coupled to the membrane in a chemical mechanical polishing(CMP) process so that the difference of polishing pressure between a central portion and an edge portion of the wafer is decreased. CONSTITUTION: A wafer is mounted in a membrane(200) of a carrier head when the entire surface of the wafer is broadly planarized using a chemical mechanical polishing apparatus. An unevenness is formed in the edge portion of the membrane.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光装置的载体头的膜，以通过使用在化学机械抛光（CMP）工艺中固定地耦合到膜的载体头来改善晶片的整个表面的抛光均匀性，使得 晶片的中心部分和边缘部分之间的抛光压力的差异减小。 构成：当使用化学机械抛光装置将晶片的整个表面大致平坦化时，将晶片安装在载体头的膜（200）中。 在膜的边缘部分形成凹凸。

公开(公告)号：KR1020010018823A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990034934

申请日：1999-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이근택 ,  이선정 ,  하상록

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method is provided to precisely detect an end point in a chemical mechanical polishing(CMP) process, by an electrical chemical method which is proved to be a precise analysis. CONSTITUTION: Slurry solution used as a polishing agent in a chemical mechanical polishing(CMP) process is provided. A constant potential difference is applied to the slurry solution to deoxidize metal ions included in the slurry solution. A quantity of current flowing in the slurry solution is detected by the deoxidation. A variation of a content ratio of the metal ions included in the slurry solution is analysed to detect an end point by a variation of the quantity of current.

Abstract translation: 目的：提供一种通过电化学方法精确检测化学机械抛光（CMP）工艺中的终点的方法，该方法被证明是精确的分析。 构成：提供了在化学机械抛光（CMP）工艺中用作抛光剂的浆液。 对浆料溶液施加恒定的电位差以使包含在浆液中的金属离子脱氧。 通过脱氧来检测在浆液中流动的电流量。 分析包含在浆液中的金属离子的含量比的变化，以通过电流量的变化来检测终点。

公开(公告)号：KR1020010017696A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990033354

申请日：1999-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황홍규 ,  윤보언 ,  장규환 ,  하상록

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055

Abstract: PURPOSE: A trench isolation method is provided to improve planarization of an isolating layer and overall planarization between the isolating layer and a semiconductor substrate, by etching an insulating material layer by a chemical mechanical polishing(CMP) process and a general wet or dry etching process. CONSTITUTION: After chemical mechanical polishing(CMP) blocking patterns(32) are formed on a semiconductor substrate(30), an anisotropical etching process is performed to form a trench(34a,34b) by using the CMP blocking patterns as a mask. An insulating material layer is applied as a shape for filling the trench while covering the CMP blocking patterns. The insulating material layer is firstly etched by a CMP process until the CMP blocking patterns starts to be exposed. The insulating material layer is secondly wet or dry etched until a predetermined thickness of the insulating material layer is left on the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：通过化学机械抛光（CMP）工艺和一般的湿法或干法蚀刻工艺蚀刻绝缘材料层，提供沟槽隔离方法，以改善绝缘层的平面化和隔离层与半导体衬底之间的整体平坦化 。 构成：在半导体衬底（30）上形成化学机械抛光（CMP）阻挡图案（32）之后，通过使用CMP阻挡图案作为掩模，进行各向异性热蚀刻工艺以形成沟槽（34a，34b）。 施加绝缘材料层作为填充沟槽的形状，同时覆盖CMP阻挡图案。 首先通过CMP工艺蚀刻绝缘材料层，直到CMP阻挡图案开始曝光。 绝缘材料层被第二次湿式或干蚀刻，直到绝缘材料层的预定厚度留在半导体衬底上。

公开(公告)号：KR1020010003950A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990024504

申请日：1999-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁수영 ,  김경현 ,  하상록

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for minimizing erosion of an insulating layer is provided to prevent a wiring from being cut and resistance from increasing, by cooling a polishing pad, and by minimizing erosion of an insulating layer generated in planarizing a metal layer. CONSTITUTION: Cool air is supplied to a pad to minimize a thermal transformation of the pad so that the pad is not transformed by heat generated in a planarization process. An insulating layer located in a lower portion of a metal layer is less eroded. The pad is a relatively hard pad and slurry as a polishing agent has a high selectivity.

Abstract translation: 目的：提供一种用于最小化绝缘层侵蚀的方法，以防止通过冷却抛光垫而减少布线并阻止电阻增加，并且通过最小化在平坦化金属层中产生的绝缘层的侵蚀。 构成：将冷空气供应到垫以最小化垫的热转化，使得垫不会由平坦化过程中产生的热转变。 位于金属层下部的绝缘层较少侵蚀。 该垫是相对硬的垫，作为抛光剂的浆料具有高选择性。

公开(公告)号：KR100674895B1

公开(公告)日：2007-01-26

申请号：KR1020000040989

申请日：2000-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종원 ,  이재동 ,  윤보언 ,  하상록

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 산화막 CMP용 슬러리에 관한 것이다. 여기서, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정에 있어서, 연마제, 탈이온수, 인산염 화합물, 계면활성제 및 PH 컨트롤러로 이루어져 있는 산화막 CMP용 슬러리를 제공한다. 본 발명에 의하면, 높은 산화막 제거속도 특성을 보임으로써 공정 생산성이 크게 향상되고, 슬러리의 pH 변화에 따라 산화막 제거속도가 큰 영향을 받지 않아 제작이 용이한 슬러리를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100576822B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020030061911

申请日：2003-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍덕호 ,  이종원 ,  권영백 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 화학적ㆍ기계적 연마장치를 제공한다. 상기 화학적·기계적 연마장치는 연마패드가 마련되며 회전가능한 플래튼과, 상기 플래튼의 상측에 회전가능하게 설치되되, 내부에 에어공급 및 진공흡입되는 다수개의 홀이 형성된 척을 구비하는 캐리어헤드 본체와, 상기 캐리어헤드 본체의 저면에 설치되되, 상기 홀을 노출시키는 개구부가 형성되고, 그 저면에 흡착 고정되는 웨이퍼를 완충하는 멤브레인 및 상기 멤브레인 저면에 설치되어 상기 흡착 고정되는 웨이퍼와의 마찰을 방지하는 멤브레인 보호막을 포함하되, 상기 멤브레인 보호막은 내화학성 및 내마모성을 갖는 물질로 제작되어 웨이퍼의 배면과 접촉되는 멤브레인 일면에 코팅되며, 결정성 물질로 된 연마물질을 함유한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种化学机械抛光设备。 该化学机械抛光设备包括：具有抛光垫的可旋转台板，可旋转地安装在台板上的载体头，并且具有形成有用于供气和抽真空的多个孔的夹盘， 体，doedoe安装在承载头主体的下表面形成有开口暴露所述孔被设置在膜与膜的底表面以缓冲吸附固定晶片以与抽吸固定晶片的底表面摩擦该 其中膜保护膜由具有耐化学性和耐磨性的材料制成，并涂覆在与晶片背面接触的膜的一个表面上，并且包含由结晶材料制成的研磨材料。