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公开(公告)号：KR100678887B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020040052001
申请日：2004-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 프리젠스 서비스 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프리젠스 서비스 방법은 자신이 포함된 네트워크 내의 통신장치들 중 소정의 통신장치의 사용자를 버디로 등록하고 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 관리하는 단계와, 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 이용하여 등록된 사용자의 통신장치에게 사용자의 프리젠스 정보를 요청하는 단계, 및 등록된 사용자의 통신장치로부터 프리젠스 정보를 수신하여 버디로 등록된 사용자 별로 프리젠스 정보를 관리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 특정한 서버에 의하지 않고서도 통신장치들 간에 프리젠스 서비스를 이용할 수 있다.
프리젠스 서비스, 버디-
公开(公告)号：KR100580640B1
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020040108031
申请日：2004-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 다결정 실리콘 필름의 제조방법 및 이를 이용한 적층형 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 필름의 제조방법은, 순차적으로 형성된 poly-Si 활성층, 게이트 절연층 및 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 절연성 기판을 준비하는 단계;, 상기 게이트로부터 소정간격 이격된 위치에 금속배선을 형성하는 단계;, 상기 트랜지스터 및 금속배선을 매립하는 절연층을 형성하는 단계;, 상기 절연층 위에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘층을 어닐링하는 단계;를 포함한다.
Abstract translation: 公开了制造多晶硅膜的方法和使用该方法制造多层晶体管的方法。 根据本发明的制造多晶硅膜的方法包括以下步骤：制备绝缘衬底，在绝缘衬底上形成包括顺序形成的多晶硅有源层，栅极绝缘层和栅极的晶体管; 形成填充晶体管和金属布线的绝缘层，在绝缘层上形成非晶硅层， 并对非晶硅层进行退火。
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公开(公告)号：KR1020060041414A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020040090495
申请日：2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66765 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02631
Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은:
게이트 위에 게이트 절연물질층과 비정질 실리콘층을 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 다결정 실리콘을 형성하는 단계; IBD로 증착된 비정질 실리콘층 위에 게이트 절연물질층을 형성하는 단계;를 포함한다.
다결정, 바텀, 게이트, TFTAbstract translation: 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。
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公开(公告)号：KR1020060003197A
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020040052001
申请日：2004-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06Q50/30 , G06Q30/0256 , G06Q30/0269 , G06Q50/01
Abstract: 본 발명은 프리젠스 서비스 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프리젠스 서비스 방법은 자신이 포함된 네트워크 내의 통신장치들 중 소정의 통신장치의 사용자를 버디로 등록하고 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 관리하는 단계와, 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 이용하여 등록된 사용자의 통신장치에게 사용자의 프리젠스 정보를 요청하는 단계, 및 등록된 사용자의 통신장치로부터 프리젠스 정보를 수신하여 버디로 등록된 사용자 별로 프리젠스 정보를 관리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 특정한 서버에 의하지 않고서도 통신장치들 간에 프리젠스 서비스를 이용할 수 있다.
프리젠스 서비스, 버디-
公开(公告)号：KR1020050054788A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030088423
申请日：2003-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02354 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/31608 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: A method of fabricating a poly-Si thin film and a method of fabricating a poly-Si TFT using the same are provided. The poly-Si thin film is formed at a low temperature using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD). After the ICP-CVD, excimer laser annealing (ELA) is performed while increasing energy by predetermined steps. A poly-Si active layer and a SiO2 gate insulating layer are deposited at a temperature of about 150° C. using ICP-CVD. The poly-Si has a large grain size of about 3000 Å or more. An interface trap density of the SiO2 can be as high as 1011/cm2. A transistor having good electrical characteristics can be fabricated at a low temperature and thus can be formed on a heat tolerant plastic substrate.
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Patent Agency Ranking66.发明公开
公开(公告)号：KR1020050042702A
公开(公告)日：2005-05-10
申请号：KR1020030077763
申请日：2003-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 적층된 제1 열전도막, 상기 제1 열전도막 상에 적층된, 상기 제1 열전도막보다 열전도도가 낮은 제2 열전도막, 상기 제2 열전도막과 상기 제2 열전도막 양쪽의 상기 제1 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막 및 상기 제2 열전도막을 덮는 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 제2 열전도막은 상기 제1 열전도막 상에 형성되는 대신, 상기 제1 열전도막의 일부와 대체될 수 있다. 상기 폴리 실리콘막은 상기 제1 및 제2 열전도막 상에 형성된 비정질 실리콘막에 엑시머 레이저광을 한번 조사하여 형성한 것이다. 또한, 상기 게이트 적층물은 상기 폴리 실리콘막의 채널영역으로 사용된 부분의 아래쪽에 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102204111B1
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：KR1020140046266
申请日：2014-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 화학식 1로표현되는화합물, 서로마주하는제1 전극과제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고화학식 1로표현되는화합물을포함하는활성층을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다.
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