公开(公告)号：KR100585175B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020050008753

申请日：2005-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  이창수 ,  강윤호

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/314

Abstract: 화학 기상 증착법에 의한 GeSbTe 박막의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 반응챔버 내에서 Ge을 포함하는 제1전구체, Sb를 포함하는 제2전구체 및 Te을 포함하는 제3전구체간의 화학반응에 의해 기판의 표면에 GeSbTe 박막을 형성하는 제1단계 및 상기 GeSbTe 박막의 표면을 수소 플라즈마로 표면처리하는 제2단계를 포함하는 GeSbTe 박막의 제조방법이 제공된다.

Abstract translation: 公开了一种通过化学气相沉积制造GeSbTe薄膜的方法。 根据本发明，通过一个第三前体和第二前体和TE之间的化学反应，包括第一前体，形成在衬底的表面上形成的GeSbTe薄膜的第一步骤中含Ge在反应室中Sb和 第二步用氢等离子体对GeSbTe薄膜表面进行表面处理。

公开(公告)号：KR1020060012852A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061532

申请日：2004-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  이정현 ,  조규호 ,  서범석 ,  박성호 ,  임한진 ,  임재순 ,  유차영

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/324 ,  H01L2924/01057

Abstract: 란탄계 원소로 도핑된 티타늄 산화막을 형성하는 방법을 제공한다. 이 방법은 금속 패턴을 포함하는 반도체 기판에 원료 기체 및 산화 가스를 공급하여 유전막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 원료 기체는 티타늄을 함유하는 기체와 란탄계 원소를 함유하는 기체의 혼합 가스를 사용한다.
란탄계 원소, 혼합 가스, 유전막

公开(公告)号：KR1020060010631A

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：KR1020040059399

申请日：2004-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신상민 ,  김석필 ,  박영수 ,  이정현 ,  구준모

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

Abstract: 본 발명은 Ir-Ru 합금 전극 및 이를 하부 전극으로 사용한 강유전체 캐패시터에 관한 것이다. 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 강유전체층 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 강유전체 캐패시터에 있어서, 상기 하부 전극은, 상온에서 Ir 및 Ru가 다상인 형태이며, 바람직하게는 Ir : Ru 조성비(at% 비)가 약 70:30 내지 30:70의 사이 범위인 Ir-Ru 다상 합금을 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공하여, 강유전체층의 표면 거칠기를 감소시키고, 캐패시터의 피로 특성, 누설 전류 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050081784A

公开(公告)日：2005-08-19

申请号：KR1020040010163

申请日：2004-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정원 ,  이정현 ,  이정은 ,  이재욱 ,  막심코나코브

IPC: G11B20/10

CPC classification number: G11B20/10055 ,  G11B20/10009 ,  G11B20/10111 ,  G11B20/10296 ,  G11B20/1426

Abstract: 고속 혼성 아날로그/디지털 PRML 데이터 검출 및 클럭복원장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 고속 혼성 아날로그/디지털 PRML 데이터 검출 및 클럭복원 장치는 입력 아날로그 RF 신호의 이득을 증폭하여 제공하는 가변이득 증폭기, 가변이득 증폭기에서 제공된 아날로그 RF 신호를 등화하여 출력하는 아날로그 등화기, 아날로그 등화기에서 등화되어 출력된 아날로그 RF 신호를 샘플링하여 디지털 RF 신호로 전환, 출력하는 A/D 컨버터, A/D 컨버터에서 출력된 디지털 RF 신호 중 DC 오프셋 성분을 제거하여 DC 오프셋 제거신호를 출력하는 DC 오프셋 제거부, DC 오프셋 제거신호로부터 원하는 채널특성 모델에서 요구되는 기준레벨 중 어느 하나의 값을 갖도록 DC 오프셋 제거신호의 판별레벨을 검출하고, 판별레벨과 DC 오프셋 제거신호의 실제 레벨간의 차인 레벨 오차값을 산출하는 레벨오차 탐지기, DC 오프셋 제거신호를 디코딩하여 데이� �를 복원하는 비터비 디코더, 및 소정 주파수 별로 레벨 오차값을 달리 저장하고, 레벨 오차값에 기초하여 각 주파수 성분 별로 소정 계수값을 산출하며, 산출된 소정 계수값을 D/A 컨버팅하여 가변이득 증폭기 및 아날로그 등화기에 제공하는 적응형 디지털 콘트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050049696A

公开(公告)日：2005-05-27

申请号：KR1020030083394

申请日：2003-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영근 ,  서범석 ,  이원태 ,  이정현 ,  권종완 ,  최한메 ,  임재순 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L21/20

Abstract: 원자층 증착설비를 제공한다. 이 원자층 증착설비는 웨이퍼가 안착되도록 웨이퍼척이 구비되고, 내부에 일정크기의 밀폐된 내부공간이 마련된 프로세스챔버와, 프로세스챔버에 공급되도록 액상의 소오스물질을 공급해주는 액상소오스 공급부와, 프로세스챔버의 근접한 곳에 구비되며 프로세스챔버 내부로 공급되도록 액상의 소오스물질을 기상인 가스상태로 변환시켜주는 기화기와, 기화기와 액상소오스 공급부 사이에 개재되며 액상소오스 공급부로부터 공급되는 액상의 소오스물질을 기화기 내부로 분사시켜주는 인젝터와, 기화기에 연결되며 기화기에서 기상으로 변환된 소오스가스가 프로세스챔버로 공급되도록 기화기와 프로세스챔버 사이를 연결해주는 소오스가스 공급배관 및, 기화기 프로세스챔버 사이에 개재되며 기화기에 잔존하는 기화되지 않은 소오스와 불순물� �을 모두 제거하는 퍼징유닛을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050045810A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020040067191

申请日：2004-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현수 ,  이재욱 ,  심재성 ,  이정현 ,  조잉섭 ,  류은진

IPC: G11B20/10

CPC classification number: G11B20/10009 ,  G11B2020/10555

Abstract: 신호 특성 결정 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명에 의한 신호 특성 결정 장치는, RF 신호 및 상기 RF 신호를 이치화하여 얻은 이진 데이터를 입력받아, 상기 이진 데이터를 이용하여 상기 RF 신호의 각 샘플값을 레벨 별로 분류하기 위한 선택 신호를 생성하고, 상기 선택 신호를 이용하여 상기 RF 신호의 샘플 값들을 레벨 별로 분류한 후 각 레벨별 샘플 값들의 평균값을 출력하는 레벨 검출부; 및 상기 각 레벨별 샘플 값들의 평균값을 이용하여 상기 RF 신호의 특성을 나타내는 소정의 특성 값을 연산하는 신호특성 결정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, RF 신호의 특성을 나타내는 소정의 특성값들을 보다 정확하게 결정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050029814A

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：KR1020030066027

申请日：2003-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  이정현 ,  서범석 ,  유차영 ,  임한진 ,  정숙진 ,  이진일

IPC: H01L27/108

Abstract: A method of fabricating Ru layer and a method of fabricating an MIM capacitor using the same are provided to minimize oxygen content within the ruthenium layer by forming the ruthenium layer by a PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method or a PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) method. A ruthenium layer(110) is formed on an upper surface of a semiconductor(100) by using a specific oxygen ruthenium source or plasma including hydrogen as a decomposer of a ruthenium source. The specific oxygen ruthenium source is formed with one of cyclopentadienyle type ruthenium sources such as Ru(EtCp)2 and Ru(BuCp)2. The plasma is formed with H2 plasma or NH3 plasma.

Abstract translation: 提供制造Ru层的方法以及使用其制造MIM电容器的方法，以通过使用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）法或PEALD（等离子体增强原子法）形成钌层来最小化钌层内的氧含量 层沉积）方法。 通过使用包含氢的特定氧钌源或等离子体作为钌源的分解剂，在半导体（100）的上表面上形成钌层（110）。 特定氧钌源由诸如Ru（EtCp）2和Ru（BuCp）2的环戊二烯型钌源之一形成。 等离子体由H2等离子体或NH3等离子体形成。

公开(公告)号：KR1020050027786A

公开(公告)日：2005-03-21

申请号：KR1020030064158

申请日：2003-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현수 ,  심재성 ,  이재욱 ,  이정현 ,  류은진 ,  조잉섭

IPC: G11B20/10

CPC classification number: G11B20/10009 ,  G11B20/10203 ,  G11B20/10296 ,  G11B20/10333

Abstract: A device and a method for measuring signal properties are provided to detect signal properties based on level information of a Viterbi detector in an optical disk, thereby calculating an exact asymmetrical index and an exact modulation factor. An RF signal(10) is converted into a digital signal by an analog to digital converter(110). DC components of the converted digital signal are compensated by a DC offset compensator(120). An output signal(131) of an equalizer(130) is channel-decoded by a Viterbi decoder(140), to obtain a binary signal(141). A channel identifier(170) receives an output signal(202) of the Viterbi decoder(140) and an input signal(111) of the equalizer(130), and detects an appropriate level value(203) to be used as a reference level of the Viterbi decoder(140). An information calculator(150) receives the detected level value(203), and calculates an asymmetrical index and a modulation factor.

Abstract translation: 提供一种用于测量信号特性的装置和方法，用于根据光盘中的维特比检测器的电平信息检测信号特性，从而计算精确的不对称指数和精确的调制因子。 RF信号（10）由模数转换器（110）转换成数字信号。 转换的数字信号的DC分量由DC偏移补偿器（120）补偿。 均衡器（130）的输出信号（131）由维特比解码器（140）进行信道解码，以获得二进制信号（141）。 信道标识符（170）接收维特比解码器（140）的输出信号（202）和均衡器（130）的输入信号（111），并检测适合的电平值（203）以用作参考电平 的维特比解码器（140）。 信息计算器（150）接收检测到的电平值（203），并计算非对称指标和调制因子。

公开(公告)号：KR100474847B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：KR1020020023297

申请日：2002-04-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  김대식 ,  민요셉 ,  조영진

IPC: H01L21/20

Abstract: 다성분계 박막 및 그 형성 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 반응 챔버에 기판을 로딩한 다음, 상기 기판 상에 형성하고자 하는 박막을 구성하는 단위 물질층을 형성하되, 상기 단위 물질층은 적어도 상기 박막을 구성하는 물질 성분을 포함하는 두 종류의 전구체들로 구성된 모자이크 원자층(MAL)으로 형성하는 제1 단계와, 상기 반응 챔버 내부를 퍼지하는 제2 단계 및 상기 모자이크 원자층을 화학 변화시키는 제3 단계를 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법 및 이 방법을 통해 형성된 박막을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050017361A

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：KR1020030056034

申请日：2003-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  서범석

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691

Abstract: PURPOSE: A capacitor of a semiconductor device is provided to remarkably improve capacitance of a capacitor by avoiding an increase of a leakage current even if the dielectric layer of the capacitor has a small thickness of a nanometer level. CONSTITUTION: A lower electrode(40) is prepared. A dielectric layer(DL) having a plurality of band gaps is formed on the lower electrode. An upper electrode(50) is formed on the dielectric layer. The dielectric layer includes the first, second and third dielectric layers(42,44,46). The first dielectric layer having the first band gap is formed on the lower electrode. The second dielectric layer having the second band gap is formed on the first dielectric layer. The third dielectric layer having the third band gap is formed on the second dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的电容器，以便即使电容器的电介质层具有小的纳米级的厚度，也可以通过避免漏电流的增加来显着提高电容器的电容。 构成：制备下电极（40）。 在下电极上形成具有多个带隙的电介质层（DL）。 在电介质层上形成上电极（50）。 电介质层包括第一，第二和第三电介质层（42,44,46）。 具有第一带隙的第一介电层形成在下电极上。 具有第二带隙的第二电介质层形成在第一介电层上。 具有第三带隙的第三电介质层形成在第二电介质层上。