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公开(公告)号：KR100242789B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970005291
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장된 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100219835B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960069421
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가긴 발광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300μm) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO
2 )이나 실리콘질화박막(Si
3 N
4 )의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 잇는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.
곁국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광건소자의 광전변판 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방진할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100178303B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950037594
申请日：1995-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/0243 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , Y10S117/913
Abstract: A semiconductor device epitaxial layer lateral growth rate control method using CBr4 gas involves regulating an epitaxial layer lateral growth rate in accordance with the CBr4 amount doped into the epitaxial layer during the epitaxial layer growth occurring on a patterned GaAs substrate by means of a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process. The lateral growth rate may be regulated by varying the growth temperature and the V/III doping ratio.
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公开(公告)号：KR1019980068607A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005291
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050584A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069419
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자소자의 제조는 직접 GaAs 기판에 V홈을 파거나 GaAs/AlGaAs 기판위에 V홈을 파고 그 위에 양자세선 모는 양자점을 형성하는 방법이 사용되었는데, 이러한 방법은 발광소자의 경우 V홈 뿐만 아니라 V홈 이외의 포면에서 형성된 소자에서도 빛이 발광되어 V홈에서 나오는 광의 우수한 양자점 특성을 상대적으로 약화시키게 되며, 여러 가지 구조와 공존하게 되면 양자선이나 양자점 등의 신호가 약해지거나 벌크(bulk) 신호에 묻혀 그 우수한 특성을 얻을 수 있게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 에피층을 형성하는 제1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography) 방법으로 상기 에피층의 식각될 부분을 정의하는 제2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs) 기판에 V홈을 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 긱자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법을 제공하는데, 이러한 본 발명은 기판과 에피층 간의 격자 부정합을 이용하여 V홈에 성장된 활성 영역으로만 광과 전류를 효과적으로 제어함으로써, V홈 이외의 표면에서는 빛이 나오지 않게 하고 V홈 내에서 발생되는 신호가 상대적으로 더 강하게 밖으로 나올 수 있도륵 하는 효과가 있다.
또한, 고효율의 광전소자, 광전소자 어레이, 양자우물, 양자세선 및 양자점 등의 구조를 갖는 양자소자에 적용할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970072507A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011000
申请日：1996-04-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0352
Abstract: 본 발명은 유기금속화학증착(MOCVD)법에0 의해 에피층을 성장시킬 때 CCI
4 또는CBr
4 가스를 소량 유입시켜 수평 방향으로 PN접합 어레이 구조를 제조할 수 있게 한 수평 방향 반도체 PN접합 어레이 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 수평 방향으로서의 PN접합을 형성할 수 없었다. 이러한 점을 감안하여, N형 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착 (MOCVD)법으로 P형 에피층을 성장시키되, CCI
4 또는 CB r
4 가스를 유입시켜 수평 방향의 P-GaAs/N-GaAs 또는 P-AIGaAs/N-GaAs PN접합 어레이를 제조함으로써 입사된 광이 손실이 거의 없이 PN접합부분에 곧바로 도달되고, 광전소자의 효율을 높이거나 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드 또는 도파손실이 작은 광도파로의 제작 등에 응용될 수 있게한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019950030735A
公开(公告)日：1995-11-24
申请号：KR1019940009004
申请日：1994-04-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B3/20
Abstract: 본 발명은 화학증착(Chemical Vapor Deposition)장치의 가판가열을 위한 히터구조에 관한 것이다. 본 발명의 화학증착 장치용 히터는 언판상의 히터 판위에 평면상으로 절곡 형성된 몰리브덴 재질의 히터선이 지지되고 히터판의 아래쪽과 측면부에는 히터선으로부터 발생된 열의 방출을 방지하기 위한 방열판이 설치된 구성으로 이루어져있다. 본 발명의 히터구조는 히터 선이 와이어 형태이므로 그 모양과 크기를 임의호 변화시킬 수 있고 대부분의 가스에 대해서도 안정적일 뿐 아니라 제작비용이 싸다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR101742687B1
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020160132835
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , C09K11/77 , B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/7705 , C09K11/7773 , H01L31/035209
Abstract: 본발명은근적외선을가시광선으로변환할수 있는고효율의코어/쉘구조의상향변환나노형광체와나노형광체에의해변환된가시광에의해여기될수 있는비 카드뮴계양자점을포함하는나노구조체를제공한다.
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公开(公告)号：KR101450858B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020120152563
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 그래핀 산화물을 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 정공주입층 또는 전자주입층 중 하나 이상이 그래핀 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 및 이의 제조방법이 개시된다.
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