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公开(公告)号：KR1020170085238A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004597
申请日：2016-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은음극고체전해질인터페이스시뮬레이션방법및 이를지원하는전자장치에관한것이다. 본발명에따른음극고체전해질인터페이스시뮬레이션을지원하는전자장치는음극고체전해질인터페이스의시뮬레이션분석을컴퓨팅장치기반으로수행하는데관련된적어도하나의데이터를저장하는메모리와, 메모리에전기적으로연결되는프로세서를포함한다. 프로세서는사용자입력에따라음극고체전해질인터페이스의이전작업리스트또는현재작업리스트를포함하는로비페이지를출력하거나또는사용자입력에따라음극고체전해질인터페이스의생성, 시뮬레이션, 및분석중 적어도하나를수행할수 있는작업페이지를출력하도록설정된다.
Abstract translation: 本发明涉及阴极固体电解质界面模拟方法和支持其的电子装置。 的是，根据本发明支持阳极的固体电解质界面模拟电子装置至少包括用于存储一条数据的存储器，处理器，其电耦合到参与到基于所述计算设备执行所述阳极的固体电解质界面的模拟分析存储器 。 可以根据用户的输入，模拟和阳极的固体电解质界面的分析响应于用户输入执行上述任务列表中的至少一个，或者输出包含当前任务列表大厅页面或创建一个阴极的固体电解质界面的处理器任务 并设置为输出一个页面。
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公开(公告)号：KR1020170085236A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004593
申请日：2016-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은가상애노드시뮬레이션방법및 이를지원하는전자장치에관한것이다. 본발명에따른전자장치는이차전지에적용되는애노드물질을컴퓨팅장치를기반으로가상으로설계하는데관련된적어도하나의데이터를저장하는메모리와, 메모리에전기적으로연결되는프로세서를포함한다. 프로세서는사용자입력에따라애노드물질설계와관련한애노드물질을선택할수 있는로비페이지, 또는애노드물질설계와관련한적어도하나의입력을처리하는작업페이지중 적어도하나를출력하도록설정된다.
Abstract translation: 虚拟阳极模拟方法和支持其的电子装置技术领域本发明涉 根据本发明的电子设备包括所述存储器中的至少一个用于存储数据的，电耦合到相关联的待施加的阳极材料的设计的存储器是电池是否是基于所述虚拟计算设备的处理器。 该处理器被配置为输出的作业页处理相关的给大厅的页面的至少一个输入，或可相对于所述阳极材料的阳极材料可根据用户输入的设计选择设计中的阳极材料的至少一个。
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公开(公告)号：KR101675348B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020150161348
申请日：2015-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은이차전지설계를위한시뮬레이션방법및 시스템에관한것이다. 상기목적을달성하기위해본 발명은이온전지전극과관련된설정정보를입력받는단계, 상기설정정보에근거하여시뮬레이션방식을결정하는단계, 상기결정된시뮬레이션방식에근거하여서로다른시뮬레이션을수행하는복수의시뮬레이션서버들중 적어도하나의서버로상기설정정보를전송하는단계및 상기설정정보가전송된서버로부터시뮬레이션결과를수신하는경우, 상기시뮬레이션결과를출력하는단계를포함하는이차전지시뮬레이션방법을제공한다. 본발명에따른이차전지시뮬레이션시스템은초보자도손쉽게시뮬레이션을이용하여이차전지의음극, 양극, 전해질관련소재를설계하고각 전극의안정성및 신뢰성을예측할수 있도록하여이차전지개발의효율성을제고시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101529527B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020127013507
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/26 , A61L27/303 , A61L31/084 , A61L33/025 , C23C16/30 , Y10T428/13 , Y10T428/24355
Abstract: 본발명은실리콘함유다이아몬드상카본박막, 그제조방법및 용도에관한것으로서, 상기실리콘함유다이아몬드상카본박막은내부및 표면에실리콘을함유한다이아몬드상카본박막의표면에, 상기박막표면에존재하는탄소및 규소원자와상기박막의표면에친수성을부여하는원자 (A) 사이의화학결합이있는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101474331B1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020120150554
申请日：2012-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06F17/5045 , G06F17/5009
Abstract: 나노소자설계용가상실험장치및 그방법이개시된다. 나노소자설계를위한가상실험물질을결정하는가상시편결정부; 가상시편결정부에서결정된가상실험물질에하나이상의공정을적용하는가상공정실험부; 및가상공정실험부에서가상실험물질에적용된각각의공정결과를분석하는가상공정분석부를포함하는, 나노소자설계용가상실험장치가개시된다. 가상공정분석부는, 공정결과를하나이상의입자수준을기준으로분석하는다수준분석부를더 포함하는나노소자설계용가상실험장치가개시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101397451B1
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020130005012
申请日：2013-01-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B3/00 , H01L31/042 , H01L31/09 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: A method for manufacturing CIGS nanorods or nanowires according to an embodiment of the present invention includes a deposition preparation step of placing raw materials including copper, indium, gallium, and selenium and a substrate in a reactor, and a deposition step of growing the CIGS nanorods or nanowires on a substrate by maintaining the temperature of the reactor in which a carrier gas flows at a constant flow rate at 850-1000°C. According to the method of the present invention, provided are Cu(In,Ga)Se_2 nanorods or nanowires having a uniform composition distribution, high light absorptivity, and high crystallinity without using a catalyst.
Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制造CIGS纳米棒或纳米线的方法包括沉积制备步骤，将包括铜，铟，镓和硒的原料和基底放置在反应器中，以及沉积步骤，将CIGS纳米棒 或纳米线通过保持载体气体在850-1000℃恒定流速下流动的反应器的温度而在基底上。 根据本发明的方法，提供了不使用催化剂的组成分布均匀，光吸收率高，结晶度高的Cu（In，Ga）Se_2纳米棒或纳米线。
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公开(公告)号：KR101349075B1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020110102843
申请日：2011-10-10
CPC classification number: H01M8/1007 , H01M4/8605 , H01M4/8807 , H01M4/8817 , H01M4/8821 , H01M4/886 , H01M8/1004 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082 , Y02E60/521 , Y10S977/778 , Y10S977/89
Abstract: 본 발명은 물질전달성이 향상된 연료전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 마이크로미터 스케일의 거칠기를 갖는 기공체 표면을 나노 구조화를 위한 플라즈마 식각 처리하여 종횡비가 큰 나노 돌기를 형성함으로써 마이크로-나노 이중 구조(Micro-Nano Dual Structure)를 형성한 후 소수성 박막(Hydrophobic Thin Layer)을 코팅하여 소수성을 크게 증가시킨 고소수성의 기공체를 기체확산층으로 사용하는 연료전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기한 고소수성의 기공체를 연료전지의 기체확산층으로 사용할 경우 연료전지 내 전기화학반응 생성물인 물을 보다 효율적으로 배출시켜 물 범람 문제를 감소시킬 수 있고, 반응기체인 수소 및 공기(산소)가 고분자 전해질막-전극 접합체(MEA)에 원활히 공급되도록 하여 연료전지의 셀 성능을 향상시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR101350668B1
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：KR1020130097649
申请日：2013-08-19
Applicant: 씨제이제일제당 (주) , 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 플라스틱 재질의 식품용기에 있어서, 상기 식품용기의 표면에 형성되는 복수의 나노구조체; 및 상기 나노구조체가 형성된 상기 표면 상측으로 코팅되는 제 1소수성박막; 을 포함하는 나노구조의 소수성 표면을 갖는 식품용기 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소수성뿐만 아니라 우수한 가스차단능력을 보유할 수 있는 나노구조의 소수성 표면을 갖는 식품용기 및 그의 제조방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101223921B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020100097960
申请日：2010-10-07
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 표면의 젖음성 (wettability)이 현저히 낮고, 유체의 접촉각 (contact angle)이 크며, 접촉각 이력 (contact angle hysteresis)이 작은 초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 초소수성 표면은 나노/마이크로 패턴이 형성된 강철 표면 및 상기 강철 표면 상에 형성된 소수성 박막을 포함하여 이루어지고, 본 발명의 강철 소재는 그 표면에 상기의 초소수성 표면을 포함하며, 본 발명의 초소수성 표면의 제조방법은 (a) 강철 표면을 식각하는 단계, (b) 상기 식각한 강철 표면을 산화시켜 상기 강철 표면 상에 나노/마이크로 패턴을 형성하는 단계 및 (c) 상기 나노/마이크로 패턴이 형성된 강철 표면 상에 소수성 박막을 형성하는 � ��계를 포함하여 이루어진다.
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公开(公告)号：KR101027012B1
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：KR1020080101580
申请日：2008-10-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C08J7/123 , Y10T428/269 , Y10T428/31504
Abstract: 본 발명은 기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를 위한 제작 방법에 관한 것으로, 이온빔 처리의 입사각을 조절하여 기울어진 마이크로 기둥 배열을 제작함으로써, 드라이 셀프 클리닝(dry self-cleaning)을 가진 접합재료, 벽을 기어오를 수 있는 마이크로 로봇 제작, 반도체 라인에서의 웨이퍼 정렬기(wafer aligner) 등의 제작 등에 응용 가능하다. 또한, 본 발명은 에너지 소모량을 적게 사용할 수 있는 PECVD 방식을 이용한 이온빔 처리를 통하여, 기울어진 마이크로 기둥 배열을 갖는 고분자 표면을 형성할 수 있고, 이온빔 처리의 입사각, 조사 시간, 가속 전압의 크기 중 적어도 하나를 조절하여 마이크로 기둥의 기울어진 각도를 원하는 각으로 조절 가능하다.
마이크로 기둥, PDMS, 이온빔, 고분자, 기울어진 기둥 배열
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