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    무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치
    61.
    发明授权
    무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치 失效
    用于抗反射涂层的半导体光学器件芯片的样品架装置

    公开(公告)号：KR100361036B1

    公开(公告)日：2002-11-18

    申请号：KR1020000005618

    申请日：2000-02-07

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  이석 ,  우덕하 ,  이재하 ,  김선호 ,  한일기 ,  김회종 ,  최원준 ,  김재헌

    IPC: H01L21/00

    Abstract: 본 발명은 얇은 반도체 시료가 깨지지 않도록 마운팅(mounting) 기술을 이용하여 반도체 광소자의 전,후 단면에 무반사 코딩을 하도록 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치에 관한 것이다.
    따라서, 본 발명은 무반사 코팅시 시료 깨짐을 방지하기 위한 마운팅 기술을 이용하는 시료 홀더 장치에 있어서, 제 1스테인레스(10) 상에는 스페이서(20)와, 고정판(30)과, 제 2스테인레스(40)가 순차적으로 적층되되, 각 홀(50a)을 통하여 상기 제 2스테인레스(40)으로부터 상기 제 1스테인레스(10)까지 도달되도록 홀더결합수단(50)에 의해 체결되고, 각 홀(55a)을 통하여 상기 제 2스테인레스(40)으로부터 상기 고정판(30)까지 도달되도록 시료고정수단(55)에 의해 체결되며, 상기 고정판(30)과 상기 제 1스테인레스(10) 사이에 놓여지는 위치에 스페이서(20)와 수평으로 레이저바(60)가 연장되어 설치되도록 구성되어, 상기 제 2스테인레스(40)의 면적 크기를 상기 제 1스테인레스(10)의 면적 크기 보다 작게 설계함으로서 무반사 코팅시 레이저바(60)에 가해지는 힘의 세기� � 분산시키도록 하는 것을 특징으로 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치가 제시된다.

    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법
    62.
    发明公开
    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법 失效
    用于扩展半导体光学放大器增益带宽的方法

    公开(公告)号：KR1020010077675A

    公开(公告)日：2001-08-20

    申请号：KR1020000005631

    申请日：2000-02-07

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 우덕하 ,  이석 ,  한일기 ,  김선호 ,  최원준 ,  변영태 ,  김회종 ,  김재헌 ,  강광남 ,  김대식 ,  양지상

    IPC: H01L31/14

    Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to obtain the semiconductor optical amplifier having a wide gain bandwidth by using a quantum dot as a gain region of the semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An InP(Indium Phosphorus) buffer layer is grown at a predetermined thickness(S10). After the growing of the InP buffer layer, a predetermined gas is supplied(S20, S30, S40). An InAs(Indium arsenide) single well layer is grown on the InP buffer layer(S50). After the growing of the InAs layer, a predetermined gas is supplied(S60, S70, S80). An InP cap layer is grown on the InAs layer(S90).

    Abstract translation: 目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，通过使用量子点作为半导体光放大器的增益区，获得具有宽增益带宽的半导体光放大器。 构成：以预定厚度生长InP（铟磷）缓冲层（S10）。 在InP缓冲层生长之后，提供预定的气体（S20，S30，S40）。 在InP缓冲层上生长InAs（砷化铟）单阱层（S50）。 在InAs层生长之后，提供预定的气体（S60，S70，S80）。 InAs层在InAs层上生长（S90）。

    하이브리드 필름의 제조방법, 이에 의해 제조된 하이브리드 필름 및 이를 포함하는 포토디텍터
    69.
    发明公开
    하이브리드 필름의 제조방법, 이에 의해 제조된 하이브리드 필름 및 이를 포함하는 포토디텍터 有权
    制造混合膜的方法，由此制造的混合膜和光电检测器

    公开(公告)号：KR1020170035666A

    公开(公告)日：2017-03-31

    申请号：KR1020150134852

    申请日：2015-09-23

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 고형덕 ,  조영학 ,  신호철 ,  한일기

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56

    Abstract: 본발명에따르면, 나노와이어를핫엠보싱공정을통해고분자기재내에내재시킬수 있으며, 나노와이어의크기, 배열, 위치및 간격을정확히제어할수 있기때문에, 신뢰성및 재현성이우수하도록하이브리드필름을제조할수 있다. 또한, 단일공정및 간단한조작을통해손쉽게하이브리드필름을제조할수 있으므로, 포토디텍터(photodetector) 뿐만아니라 CTF 메모리를비롯한다양한반도체소자, 이미지센서, 발광다이오드및 레이저다이오드등 다양한분야에효과적으로사용할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明，通过热压印过程中，纳米线，和sikilsu在聚合物基材料中固有的，因为可以精确地控制纳米线的尺寸，布置，位置和间距，可以制备一种混合膜可靠性和可重复性，以yiwoosu。 此外，由于它可以很容易地在一个步骤和简单的操作制造杂化膜，所述光检测器（光检测器），以及能够有效地用于各种领域，例如各种半导体器件，图像传感器，发光二极管和激光二极管，包括CTF存储器。

    광반응 스마트 윈도우
    70.
    发明公开
    광반응 스마트 윈도우 无效
    光反应式SMART WINDOW

    公开(公告)号：KR1020160039433A

    公开(公告)日：2016-04-11

    申请号：KR1020140132490

    申请日：2014-10-01

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 고두현 ,  민병권 ,  권현근 ,  이규태 ,  고형덕 ,  한일기

    IPC: G02F1/137 ,  H02S10/00 ,  H01L31/042

    CPC classification number: E06B9/24 ,  E06B2009/2476 ,  G02F1/0045 ,  H01G9/2068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/542 ,  G02F1/137 ,  H01L31/042 ,  H02S10/00

    Abstract: 광반응스마트윈도우가제공된다. 상기광반응스마트윈도우는자외선우무에따라투과도가조절되는액정층을태양전지와결합하여새로운형태의전기생산스마트윈도우로서, 자외선이있는낮에는투명해져서창문에노출되는태양광을전기에너지로변환할수 있고, 자외선이없는저녁에는불투명해져서커튼없는창문으로사용될수 있다.

    Abstract translation: 提供光反应智能窗。 光反应式智能窗口是一种新概念的电力生产智能窗口，其将太阳能电池与根据是否存在紫外线来调整透射率的液晶层组合。 光反应式智能窗在白天变得透明，当产生紫外线以将暴露于窗口的阳光转换成电能时。 光反应式智能窗户在晚上变得不透明，被用作没有窗帘的窗户。

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