公开(公告)号：KR100848317B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020060124125

申请日：2006-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  백문철 ,  윤두협 ,  곽민환 ,  한석길

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G01R31/2822 ,  G01R31/2841

Abstract: 주입되는 광파 및 전파를 이용하여 테라헤르츠파를 생성하는 테스트 대상 장치;
광섬유를 통해 전달되는 광을 이용하여 상기 테스트 대상 장치를 스캔하는 탐침; 및
상기 전파를 생성하여 상기 테스트 대상 장치에 주입하는 구동 발진기

公开(公告)号：KR1020080052087A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020060124125

申请日：2006-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  백문철 ,  윤두협 ,  곽민환 ,  한석길

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G01R31/2822 ,  G01R31/2841

Abstract: An apparatus and a method for generating THz-waves by heterodyning optical and electrical waves are provided to control precisely a near-field optical fiber probe by using the near-field optical fiber probe and a nano-actuator. A test target unit generates THz-waves by using injected optical waves and electric waves. A probe is formed to scan the test target unit by using light received through an optical fiber. A driving oscillator(7) generates the electric waves and applies the electric waves to the test target device. The probe includes a lossless optical waveguide part, a tapering optical fiber part, and a probe terminal in order to connect the optical waveguide part with the optical fiber. Diameter of the probe terminal is shorter than wavelength of the light. A scanning direction of the probe crosses the direction in which the electric waves are injected.

Abstract translation: 提供了一种用于通过外光学和电波产生太赫兹波的装置和方法，以通过使用近场光纤探针和纳米致动器精确地控制近场光纤探针。 测试目标单元通过使用注入的光波和电波产生太赫兹波。 形成探针，通过使用通过光纤接收的光来扫描测试目标单元。 驱动振荡器（7）产生电波并将电波施加到测试目标器件。 该探针包括无损光波导部分，锥形光纤部分和探针端子，以将光波导部分与光纤连接。 探针端子的直径比光的波长短。 探针的扫描方向与电波注入的方向交叉。

公开(公告)号：KR100799577B1

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020060083570

申请日：2006-08-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤두협 ,  맹성렬 ,  김상협 ,  박종혁 ,  강광용 ,  이상훈 ,  주철원

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G01N27/122 ,  G01N27/127

Abstract: A method for manufacturing a sensor for detecting gases and biochemical materials, an integrated circuit including the sensor, and a method for manufacturing the integrated circuit are provided to prevent degradation of MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)-based unit elements by integrating a plurality of compact sensors for detecting gases and biochemical materials with multi-functioning unit elements in the same circuit by low temperature process. An integrated circuit(20) comprises a semiconductor substrate(200), a sensor for detecting gases and biochemical materials(250), a heater(210), and a signal processing unit(220). The sensor for detecting gases and biochemical materials comprises a pair of electrodes(252) provided within a first area on the semiconductor substrate, and a metal oxide nano-structure layer(254) provided on the surface of the electrodes. The heater is provided on a second area adjacent the sensor on the semiconductor substrate. The signal processing unit is made with MOSFET elements provided in a third area on the semiconductor substrate to process a predetermined signal obtained by changes of current flowing via the electrodes of the sensor. A method for manufacturing the integrated circuit comprises the steps of: forming a plurality of MOSFET elements on the semiconductor substrate; and forming the sensor for detecting gases and biochemical materials on the MOSFET elements; wherein the steps for forming the sensor comprises; forming a passivation film(240) on the MOSFET elements; forming at least a pair of electrodes on the passivation film; and forming a metal oxide nano-structure layer over the surface of the electrodes at the normal temperature to 400°C.

Abstract translation: 一种用于制造用于检测气体和生化材料的传感器的方法，包括该传感器的集成电路和一种用于制造集成电路的方法，用于防止基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的单位元件的劣化 用于通过低温过程在同一电路中检测具有多功能单元元件的气体和生化材料的多个紧凑型传感器。 集成电路（20）包括半导体衬底（200），用于检测气体和生化材料的传感器（250），加热器（210）和信号处理单元（220）。 用于检测气体和生化材料的传感器包括设置在半导体衬底上的第一区域内的一对电极（252）和设置在电极表面上的金属氧化物纳米结构层（254）。 加热器设置在与半导体衬底上的传感器相邻的第二区域上。 信号处理单元由设置在半导体基板上的第三区域中的MOSFET元件制成，以处理通过经由传感器的电极流动的电流的变化而获得的预定信号。 一种用于制造集成电路的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个MOSFET元件; 并形成用于检测MOSFET元件上的气体和生化材料的传感器; 其中用于形成传感器的步骤包括： 在所述MOSFET元件上形成钝化膜（240）; 在钝化膜上形成至少一对电极; 并在常温至400℃的电极表面上形成金属氧化物纳米结构层。

公开(公告)号：KR100640001B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR1020060064461A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050039098

申请日：2005-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤두협 ,  김현탁 ,  채병규 ,  맹성렬 ,  강광용

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/452

Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 급격한 금속-절연체 전이 소자의 전극을 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 적층막으로 구성한다. Ni(또는 Cr)/In은 저저항 콘택을 위한 것으로, 열처리 과정시 계면 반응에 의해 형성되는 화합물을 이용하여 급격한 금속-절연체 전이 물질막과 전극 사이의 포텐셜 배리어(potential barrier)를 낮추어 전류 유입 효율을 증가시킨다. 그리고, 고출력 소자 동작시 고온 동작시에도 열적으로 안정되게 하는 역할을 수행한다. Mo(또는 W)는 In과 Au 사이에 도입되어 소자 고온 동작 과정에서 Au의 열 확산에 의한 오믹 특성 저항을 방지한다. 본 발명에 따르면 전극 파탄이 없고 신뢰성이 우수한 급격한 금속-절연체 전이 소자를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060006195A

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：KR1020040055096

申请日：2004-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  임용식 ,  김경옥 ,  맹성렬 ,  김성현

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  H01L49/003

Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 전이 반도체물질을 이용한 2단자 반도체 소자는, 제1 전극막과, 제1 전극막 위에 배치되는 2eV 이하의 에너지 갭과 정공 준위내의 정공을 갖는 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막과, 그리고 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막 위에 배치되는 제2 전극막을 구비한다. 이에 따르면 제1 전극막 및 제2 전극막 사이에 인가되는 전계에 의해 상기 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막에서는 구조적 상전이가 아닌 정공 도핑에 의한 급격한 금속-절연체 전이가 발생한다.
금속-절연체 전이, 반도체 소자, 온도센서, 광전센서, 메모리 소자

公开(公告)号：KR1020040049744A

公开(公告)日：2004-06-12

申请号：KR1020020077599

申请日：2002-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이규석 ,  배성범 ,  박미란 ,  윤두협

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A HFET(hetero-structure field effect transistor) is provided to improve mobility and saturation velocity of free electrons by decreasing a possibility that the free electrons exist in an AlGaN layer while not greatly varying the density of free electrons induced to a quasi two-dimensional electron channel. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(104) is formed on a substrate(100). The second semiconductor layer(106) is formed on the first semiconductor substrate, having a band gap different from that of the first semiconductor layer. The third semiconductor layer(108) is formed on the second semiconductor layer, having a band gap different from that of the second semiconductor layer. A gate(110) is formed on the third semiconductor layer. A source/drain electrode(112) ohmic-contacted by metal is formed on the third semiconductor layer at both sides of the gate. The second semiconductor layer has a band gap greater than the first semiconductor layer. The third semiconductor layer has a band gap that is greater than the first semiconductor layer and is smaller than the second semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供HFET（异质结构场效应晶体管），通过降低自由电子存​​在于AlGaN层中而不会大大改变自由电子的密度，从而提高自由电子的迁移率和饱和速度 三维电子通道。 构成：第一半导体层（104）形成在基板（100）上。 第二半导体层（106）形成在第一半导体衬底上，具有与第一半导体层的带隙不同的带隙。 第三半导体层（108）形成在第二半导体层上，具有与第二半导体层的带隙不同的带隙。 在第三半导体层上形成栅极（110）。 在栅极两侧的第三半导体层上形成由金属欧姆接触的源极/漏极（112）。 第二半导体层具有大于第一半导体层的带隙。 第三半导体层具有比第一半导体层大的带隙，并且小于第二半导体层。