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公开(公告)号：KR1020070061291A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060085826
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: A phase change memory device having a semiconductor laser part is provided to reduce power consumption by applying heat only to a local part of a phase change layer. A phase change memory unit(100) includes a phase change layer pattern. A laser beam focusing unit(200) focuses laser beams on the phase change layer pattern of the phase change memory device. A semiconductor laser unit(300) generates the laser beams and emits the laser beams to the laser beam focusing unit. The phase change memory unit, the laser beam focusing unit, and the semiconductor laser unit are laminated and attached sequentially to each other. A laser beam shielding pattern(22) having a laser beam window(24) is formed on the phase change layer pattern.
Abstract translation: 提供了具有半导体激光器部分的相变存储器件，以通过仅向相变层的局部部分施加热量来降低功耗。 相变存储单元（100）包括相变层图案。 激光束聚焦单元（200）将激光束聚焦在相变存储器件的相变层图案上。 半导体激光器单元（300）产生激光束并将激光束发射到激光束聚焦单元。 相变存储器单元，激光束聚焦单元和半导体激光器单元彼此顺序层叠并附接。 在相变层图案上形成具有激光束窗（24）的激光束屏蔽图案（22）。
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公开(公告)号：KR100701157B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020060025208
申请日：2006-03-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/141
Abstract: A nonvolatile memory device and its manufacturing method are provided to improve remarkably a sensing margin of device and to reduce the consumption of current and power by forming a spacer type structure using a phase changeable material. A nonvolatile memory device comprises a semiconductor substrate(100), a lower electrode(110) on the substrate, an upper electrode, and a phase changeable material. The upper electrode(130) is located opposite to the lower electrode. The phase changeable material(121) is located between the lower electrode and the upper electrode. The phase changeable material is formed like a spacer type structure. The phase changeable material has a variable resistivity according to a crystal state of the phase changeable material itself.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件及其制造方法，以显着改善器件的感测裕度，并通过使用相变材料形成间隔物型结构来减少电流和功率的消耗。 非易失性存储器件包括半导体衬底（100），衬底上的下电极（110），上电极和相变材料。 上电极（130）位于与下电极相对的位置。 相变材料（121）位于下电极和上电极之间。 相变材料形成为间隔型结构。 相变材料根据相变材料本身的晶体状态具有可变电阻率。
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公开(公告)号：KR1020070025304A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/1233
Abstract: A phase change memory and its manufacturing method are provided to reduce remarkably the consumption of power by using a penetrating electrode structure. A phase change memory includes a first phase change thin film and a heat radiating metallic electrode. The first phase change thin film(14) includes a penetrating electrode structure(21), wherein the penetrating electrode structure penetrates a predetermined region. The heat radiating metallic electrode is buried in the penetrating electrode structure. A crystal state of the penetrating electrode structure is capable of being changed due to a thermal energy applied from the heat radiating metallic electrode. The change of the crystal state of the penetrating electrode structure is restricted by the first phase change thin film.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器及其制造方法，以通过使用穿透电极结构显着地减少功率消耗。 相变存储器包括第一相变薄膜和散热金属电极。 第一相变薄膜（14）包括穿透电极结构（21），其中穿透电极结构穿透预定区域。 散热金属电极埋在穿透电极结构中。 穿透电极结构的晶体状态能够由于从散热金属电极施加的热能而变化。 穿透电极结构的晶体状态的变化受到第一相变薄膜的限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100687747B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050069803
申请日：2005-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 상변화물질층과 발열성 전극 사이의 접촉면적을 최대화할 수 있는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 메모리소자 및 제조방법은 포어에 의해 노출된 절연층의 적어도 일측면과 하부전극의 일면의 일부를 덮으면서 리세스된 영역을 포함하는 발열성 전극과, 리세스된 영역을 매립하면서 발열성 전극 상에 적층된 상변화물질층을 포함한다. 상기 소자는 상변화물질층과 발열성 전극 사이의 접촉면적을 최대화하여 소비전류를 크게 줄일 수 있다.
상변화물질층, 발열성 전극, 리세스된 영역, 접촉면적-
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公开(公告)号：KR100584721B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040017235
申请日：2004-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 유기물 반도체 소자를 보호하기 위해 전체 상부면에 접착층 및 유기물과 무기물을 갖는 복합막을 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 형성함으로써, 유기물 반도체 소자의 활성층 열화 원인인 수분 및 산소를 차단할 뿐만 아니라 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.
유기 박막 트랜지스터(OTFT), 엡캡슐레이션 박막, 고분자막, 무기막, 유기-무기 복합막-
公开(公告)号：KR1020060039996A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040089162
申请日：2004-11-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C11/5692 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 복수의 개별적인 단위 상변화 메모리 소자가 수평 또는 수직으로 배치되어 있는 멀티비트형 상변화 메모리 소자 및 그 구동 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 멀티비트형 상변화 메모리 소자는 발열성 전극과 각각 접촉하는 복수개의 접촉부로 이루어지고 각각 단위 상변화 메모리 소자를 구성하는 복수개의 활성 영역을 가지는 상변화 재료층을 구비한다. 상기 상변화 재료층은 복수개의 상기 활성 영역이 복수개의 어레이 형태로 배열되어 있는 하나의 재료층으로 구성될 수 있다. 또는, 상기 상변화 재료층은 1개 또는 복수개의 상기 활성 영역이 각각 하나의 어레이 형태로 배열되어 있는 복수개의 상변화 재료층으로 구성될 수도 있다. 이 때, 상기 복수의 상변화 재료층은 각각 동일한 수평면상에 형성될 수도 있고, 각각 동일한 수직선상에서 서로 다른 수평면상에 형성될 수도 있다.
멀티비트, 상변화 메모리, 어레이, 수평, 수직-
公开(公告)号：KR100556086B1
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020030080808
申请日：2003-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/322 , H01L51/5036 , H01L51/5246 , H01L51/525
Abstract: 본 발명은 백색 유기 발광 소자 및 풀 칼러(full color) 구현을 위한 컬러 필터(color filter)로 이루어지는 디스플레이 판넬에 관한 것으로, 유기 발광 소자가 형성된 기판과 컬러 필터가 접착제 패턴을 사이에 두고 서로 마주보도록 합체 및 접착되며, 접착제 패턴 내측의 기판과 컬러 필터 사이에는 외부로부터의 수분이나 산소의 침투를 막기 위한 액상 오일이 채워진다. 이와 같이 유기 발광 소자와 컬러 필터 부분이 액상 오일로 엔캡슐레이션됨으로써 수분이나 산소의 침투로 인한 발광 특성의 열화가 방지되어 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상된다. 본 발명의 엔캡슐레이션 공정은 비교적 간단한 단계와 저렴한 비용으로 구현이 가능하다.
유기 발광 소자, 컬러 필터, 엔캡슐레이션, 접착제 패턴, 액상 오일
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