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公开(公告)号：KR1019960026434A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036015
申请日：1994-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 또는 이종접합 바이폴라트랜지스터(HBT) 등과 같은 갈륨비소 화합물반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 게이트의 구성방법을 개선하여 소자의수명 및 열적안정성을 향상시킬 수 있는 다중게이트 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해 제작된 다층구조의 게이트는 계면접착층(Ti)/확산장벽층(Pt)/전기전도층(Au)으로 구성된 게이트에 있어서, 확산장벽층의 구성물질과 두께를 최적화하여 금 원자의 내부확산으로 인한 채널층의 퇴화를 방지한다.-
公开(公告)号：KR1019960002090B1
公开(公告)日：1996-02-10
申请号：KR1019930005959
申请日：1993-04-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: The power FET is manufactured by (a) covering a dual tone photoresist (7) on the substrate(1), and light-exposing the covered photoresist by the use of a mask, (b) developing the photoresist to form a positive profile, (c) etching a wafer by the positive profile, (d) covering a dual tone photoresist(7a) on the wafer, light-exposing the covered wafer, and heat treating it to form a negative profile(7a'), and (e) depositing an anticorrosive metal on the wafer by the use of the profile(7a') to form a metal film pattern. The power FET is used for the amplification of an output signal in the microwave unit.
Abstract translation: 功率FET通过（a）覆盖基板（1）上的双色光致抗蚀剂（7）并通过使用掩模曝光所覆盖的光致抗蚀剂来制造，（b）显影光致抗蚀剂以形成正型， （c）通过正轮廓蚀刻晶片，（d）覆盖晶片上的双色光致抗蚀剂（7a），对被覆盖的晶片进行曝光，并对其进行热处理以形成负廓线（7a'），并且（e ）通过使用轮廓（7a'）在晶片上沉积防锈金属以形成金属膜图案。 功率FET用于放大微波单元中的输出信号。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940002397B1
公开(公告)日：1994-03-24
申请号：KR1019910010539
申请日：1991-06-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: The metallic semiconductor transistor production processes comprise: (a) plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride (or silicon dioxide as an insulating material for enhancing breakdown and threshold voltages) (6) having a source and a drain (5), forming a photosensitive film (7) having an over-hang structure at a gate part by curing the photosensitive film with monochlorobenzene, dry etching silicon nitirde exposed at a gate (8) part, and wet etching (the 1st self aligned recess) gallium arsenide layer of N positive layer (4); (b) lateral etching by dry etching silicon nitride under the photosensitive film; (c) wet etching (the 2nd or wide recess) the N negative (3) and N positive (4) layers with silicon nitride as a mask; (d) after vacuum depositing metal for the gate, removing the photosensitive film with an organic component remover, acetone etc., and eliminating the metallic layer deposited on the photosensitive film.
Abstract translation: 金属半导体晶体管的制造方法包括：（a）具有源极和漏极（5）的氮化硅（或二氧化硅作为用于增强击穿和阈值电压的绝缘材料）的等离子体增强化学气相沉积，形成光敏 通过用一氯苯固化感光膜，在栅极部分具有过悬挂结构的膜（7），在栅极（8）部分暴露的干蚀刻硅氮化物，以及N（N第一自对准凹槽）砷化镓层 正层（4）; （b）通过在感光膜下干蚀刻氮化硅进行横向蚀刻; （c）用氮化硅作为掩模的N阴性（3）和N（4）层的湿蚀刻（第二或宽凹槽） （d）真空沉积金属为栅极，用有机成分去除剂丙酮等去除感光膜，并消除沉积在感光膜上的金属层。
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公开(公告)号：KR1019940003064A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019920006117
申请日：1992-07-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs)화합물 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 초고주파 특성 및 트랜지스터의 동작특성을 향상시키기 위해 게이트-소오스, 게이트-드래인 사이의 공기중에 노출된 전자 채널층인 표면부위에 유황보호막을 형성시킨, 갈륨비소 화합물 반도체 장치에 관한 것이다.
공기중에 노출되는 전자 채널층을 갖는 화합물 반도체 장치에 있어서, 상기 전자채널층 상에 유황막(110)을 형성한 다음, 이 유황막(110) 상에 보호막(104)이 형성된 것을 특징으로 한다.
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