公开(公告)号：KR100149129B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950034145

申请日：1995-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성수 ,  송민규 ,  강승구 ,  이희태 ,  김동구

IPC: H01S5/022

Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 전송선위에 직접 레이저 다이오드를 접합하는 공정과, 레이저 다이오드의 p-축 전극을 넓은 접지면에 와이어 본딩하는 공정과, 레이저 다이오드의 온도 감지를 위해 서미스터를 넓은 접지면에 접합하는 공정을 포함하는 것으로, 초고속 전송용 레이저 다이오드 모듈의 제조시 보다 조립공정을 단순화시켜 간편하게 작업을 할 수 있고, 고주파 특성의 향상 및 열 특성을 개선하며, 작업 도중에 제품의 신뢰도를 간편하게 측정할 수 있도록 하므로써 제품의 품위를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970048657A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052688

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 강승구 ,  송민규 ,  이희태 ,  황남 ,  박성수

IPC: G02B6/38

Abstract: 본 발명은 레이저웰딩 방법을 이용하여 광통신용 반도체 레이저 모듈에 광섬유를 부착하는 패키지 설계 및 공정에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 광전송용 반도체 레이저 모듈에 사용되는 단일모드 광섬유를 부착시킬 때 웰딩 후의 변위를 줄이고 웰딩공정을 간편하게 할 수 있는 레이저웰딩을 이용한 고속 광통신용 송신모듈의 제작공정에 관한 것이다. 종래의 이러한 모듈 제작공정중 최종적으로 수행하는 광섬유페룰 및 페룰하우징을 고정시키는 공정은 매우 복잡하였다. 본 발명에서는 광섬유 페룰하우징을 변경하고 공정을 개발하므로서 제작이 보다 쉽고 성능이 보다 우수한 레이저웰딩을 이용한 고속광통신용 송신모듈의 제작공정을 제공하기 위한 것으로 특수하게 고안된 광섬유 페룰하우징을 이용하며 레이저웰더의 내부 콜렛은 전혀 사용하지 않고 상부 외부 콜렛으로만 광섬유페룰을 잡은 상태에서 횡방향(x,y,각도) 및 종 방향(z)을 자유롭게 조절하여 집속된 광이 광섬유에 최대로 도달되도록 정열한 후 페룰 접합부위를 레이저웰딩방법을 이용하여 순차적으로 고정시켜 궁극적으로 레이저 다이오드, 렌즈 및 광섬유의 광축을 일치시켜 최대의 광결합 효율을 얻을 수 있는 방법을 특징으로 하는 것임.

公开(公告)号：KR1019950021806A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026783

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  박형호 ,  이희태 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 몰성분방법중에서 반도체소자의 몰성분용 슬릿의 제조방법 및 슬릿을 이용한 미소부위 엑스선 회절분석방법에 관한 것이다.
종래의 엑스선 회절분석방법은 분석하고자 하는 시료가 작거나 분석영역이 미소부위일 경우 사용되는 엑스선빔외 크기를 감안한다면 회절피크를 통해 소재의 결정성이나 결정구조를 파악한다는 것은 거의 불능하였다.
본 발명은 이러한 문제점을 극복하기 위한 것으로 엑스선 회절분석시 시료로 전달되는 빔의 크기를 조절할 수 있는 반도체소자의 몰성분석용 슬릿의 제조방법과 이 슬릿을 이용해서 시료의 미소부위까지 분석할 수 있는 슬릿을 이용한 엑스선 회절분석방법이다.

公开(公告)号：KR100497840B1

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020020083751

申请日：2002-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  김성일 ,  홍선의 ,  이희태 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 기판위에 복수의 층을 가진 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT : heterojunction bipolar transistor) 제조용 웨이퍼를 식각하여 위로부터 에미터, 베이스 및 콜렉터를 갖는 HBT를 제조하는 방법에 있어서, HBT 제조용 웨이퍼는 에미터 층 및 베이스층 사이에 에미터 층과는 다른 재질의 제1식각 정지층을 가지며, 콜렉터 층 및 서브 콜렉터층 사이에 콜렉터 층과는 다른 재질의 제2식각 정지층을 가지고, 콜렉터 층과 제1식각 정지층에 대하여 선택적 식각 능력을 가진 식각 용액을 사용하여 콜렉터층을 식각함으로써 베이스 금속 전극 하부에 언더컷(undercut)을 형성시키고, 그 후 제1식각정지층을 식각하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 HBT의 제조 방법, 그 방법에 제조된 HBT 및 상기 HBT의 제조에 사용될 수 있는 다층 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명에 따른 HBT는 제 2식각정지층을 이용하여 충분한 언더컷 확보로 인한 에미터 전극에 자기정렬된 베이스 금속 상에 콜렉터 금속 증착시 콜렉터 금속의 증착으로 인한 베이스 금속층의 두꺼워짐 및 에미터-베이스간의 거리 감소로 인하여 베이스 저항을 감소시키고, 제 1 식각정지층을 이용하여콜렉터 금속전극을 베이스 금속전극에 자기정렬시키므로써 베이스와 콜렉터간의 접합면적을 감소시켜 베이스-콜렉터의 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있으며, 이로 인하여 고주파 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040053486A

公开(公告)日：2004-06-24

申请号：KR1020020080045

申请日：2002-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  임종원 ,  김성일 ,  이희태 ,  남은수

IPC: H03F3/45

Abstract: PURPOSE: A transimpedance amplifier for high-speed optical receiver is provided to enlarge a frequency band and lower the loss of the input/output reflection by performing an amplifying process twice and feeding back the amplified signal. CONSTITUTION: A transimpedance amplifier for high-speed optical receiver includes the first amplifier, the second amplifier, a feedback circuit, and a buffer. The first amplifier(110) is used for converting an optical current to a voltage and amplifying the converted voltage. The second amplifier(120) is used for amplifying an output of the first amplifier. The feedback circuit(130) feeds back an output of the second amplifier to the first amplifier. The buffer(140) buffers an output signal of the feedback circuit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于高速光接收机的跨阻放大器，通过进行两次放大处理并反馈放大信号来放大频带并降低输入/输出反射损耗。 构成：用于高速光接收器的跨阻放大器包括第一放大器，第二放大器，反馈电路和缓冲器。 第一放大器（110）用于将光电流转换成电压并放大转换的电压。 第二放大器（120）用于放大第一放大器的输出。 反馈电路（130）将第二放大器的输出反馈到第一放大器。 缓冲器（140）缓冲反馈电路的输出信号。

公开(公告)号：KR100423721B1

公开(公告)日：2004-03-22

申请号：KR1020010062698

申请日：2001-10-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  김성진 ,  백규하 ,  이희태 ,  이상균 ,  박성수

IPC: C25D17/06

Abstract: PURPOSE: A plating apparatus having electrode ring is provided to form a plating film having a uniformed thickness by adhering the electrode ring to the upper end of a plating tank so that an electric field is uniformly distributed on the surface of wafers during electroplating. CONSTITUTION: The plating apparatus comprises a plating tank; a plural first polarity contact point rods and a second polarity contact point rod formed on the plating tank; a loop shaped electrode ring(200) which is connected to the plural first polarity contact point rods, and on the inner surface of which a plurality of stepped projections(220) are formed so that the bodies to be plated are rested on the stepped projections with the circumference of the edge of various bodies to be plated having different size being contacted with the plurality of stepped projections(220), wherein the plating apparatus further comprises a metal box arranged at the lower part of the electrode ring to be connected to the second polarity contact point rod; and a sprayer arranged at the lower part of the metal box to spray a plating solution, wherein the plating tank comprises first plating tank on which the electrode ring and metal box are mounted, and second plating tank on which the sprayer is mounted, the first and second plating tanks are separately connected to each other, wherein the plating apparatus further comprises a plating tank of which outer wall covers the plating tank, and the upper part of which is opened, and a lid installed to open or close an opening part of the plating tank outer wall, wherein a power supply terminal connected to the first and second polarity contact point rods is installed on the lower surface of the lid, wherein the residual surface of the electrode ring is coated with a chemical resistant coating material(210) except a surface on which the bodies to be plated are rested and supported and a part of the electrode ring which comes in contact with the first polarity contact point rods, and wherein the coating material(210) is Teflon or polyethylene.

Abstract translation: 目的：提供具有电极环的电镀设备，通过将电极环粘附到电镀槽的上端以形成具有均匀厚度的电镀膜，从而在电镀期间电场均匀分布在晶片的表面上。 构成：电镀设备包括电镀槽; 形成在所述镀槽上的多个第一极性接点棒和第二极性接点棒; 一个与多个第一极性接触点杆连接的环形电极环（200），在其内表面上形成多个阶梯状突起（220），以使待电镀的物体靠在阶梯状突起 其中待镀的各种物体的边缘的周边具有与多个阶梯状突起（220）接触的不同尺寸，其中电镀装置还包括布置在电极环的下部以连接到 第二极性接触点杆; 以及布置在所述金属盒的下部以喷射电镀液的喷雾器，其中所述电镀槽包括其上安装有所述电极环和金属箱的第一电镀槽和其上安装所述喷雾器的第二电镀槽，所述第一电镀槽 以及第二电镀槽彼此分开连接，其中，所述电镀设备还包括电镀槽，所述电镀槽的外壁覆盖所述电镀槽并且其上部被打开;以及盖，其被安装以打开或关闭所述电镀槽的开口部 电镀槽外壁，其中连接到第一和第二极性接触点杆的电源端子安装在盖的下表面上，其中电极环的残留表面涂覆有耐化学腐蚀涂层材料（210） 除了待电镀的物体被搁置和支撑的表面以及与第一极性接触点杆接触的电极环的一部分之外，并且其中， 涂层材料（210）是聚四氟乙烯或聚乙烯。

公开(公告)号：KR100404319B1

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：KR1020000083260

申请日：2000-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성진 ,  주철원 ,  백규하 ,  이희태 ,  박성수 ,  송민규

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명은 구리 교차오염을 방지할 수 있는 고 밀도/ 고 균일성 솔더 범프(solder bump) 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게 설명하면 고 밀도/고 균일성을 갖는 솔더 볼 형성방법 및 구리 교차오염문제의 해결방법에 관한 것이다.
상기한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 대규모 집적회로 칩 기판위에 전기도금용 전극을 스퍼터링(sputtering)한 후, 다중코팅방법으로 감광제막 코팅을 하여 비아(via)를 형성한 다음에 솔더(solder) 도금을 위한 구리 씨드(Cu seed)를 스퍼터링(sputtering)하여 솔더 볼(solder ball)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성방법이 제공된다.

Abstract translation: 目的：制造能够防止硅实验室中铜交叉污染的焊料凸块的方法是通过充分使用常规装置来降低制造成本，从而形成高球和高密度焊球。 构成：用于电镀的电极（4）溅射在高集成电路芯片衬底（1）上。 涂覆光致抗蚀剂层以形成通孔。 用于焊接电镀的铜种子被溅射以形成焊球。 用于防止铜和焊料镀覆的铜/钛晶种在光致抗蚀剂层上被薄的溅射。 光致抗蚀剂层通过多涂层技术形成。

公开(公告)号：KR100395489B1

公开(公告)日：2003-08-25

申请号：KR1020000083173

申请日：2000-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성진 ,  주철원 ,  백규하 ,  박성수 ,  이희태 ,  송민규

IPC: H01L21/60

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a bump is provided to minimize stress generated by the difference of a thermal expansion coefficient between a chip and a substrate, by forming the bump of a high aspect ratio. CONSTITUTION: Photoresist is coated several times to form a relatively thick photoresist. An exposure and development process is selectively performed regarding the photoresist to form a plurality of vias. A bump material is plated on the via. The photoresist is stripped. The plated bump material is reflowed to a spherical bump by a reflow method.

Abstract translation: 目的：通过形成高纵横比的凸点，提供一种用于制造凸点的方法，以最小化由于芯片和衬底之间的热膨胀系数的差异而产生的应力。 构成：光致抗蚀剂被多次涂覆以形成相对厚的光致抗蚀剂。 关于光致抗蚀剂选择性地执行曝光和显影工艺以形成多个通孔。 通孔上镀有凸块材料。 光刻胶被剥离。 电镀凸点材料通过回流方法回流成球形凸点。

公开(公告)号：KR100384896B1

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：KR1020000087545

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허진 ,  현석봉 ,  박성수 ,  이희태 ,  백규하

IPC: H04B7/00

CPC classification number: H04W48/16 ,  H04W28/06 ,  H04W48/18 ,  H04W48/20

Abstract: In the adaptive wireless network system having a central optimizer and a method thereof, and in the record medium capable of being read through a computer having a writing of a program to realize the inventive method, in which information for a use wave environment of a corresponding subnet is gained from an access point regardless of a sort of wireless communication instruments so as to apply an optimum transmission/reception type of the corresponding subnet thereto; the system includes an optimizing unit for selecting optimum transmission/reception types of sub networks and transmitting them; an access point determining unit for providing node activity representative data and activity representative data of access point itself, to the optimizing unit, and determining it as the optimum transmission/reception type; and a communication node determining unit for re-determining its own transmission/reception type according to a requirement of the access point determining unit.

Abstract translation: 在具有中央优化器及其方法的自适应无线网络系统中，以及在能够通过具有程序写入的计算机读取的记录介质中实现本发明的方法，其中相应的使用波形环境的信息 子网是从接入点获得的，而不管哪种无线通信设备，以便向其应用相应子网的最佳发送/接收类型; 该系统包括优化单元，用于选择子网络的最优发送/接收类型并发送它们; 接入点确定单元，用于向优化单元提供节点活动代表性数据和接入点自身的活动代表性数据，并将其确定为最优发送/接收类型; 以及通信节点确定单元，用于根据接入点确定单元的需求重新确定其自己的发送/接收类型。

公开(公告)号：KR100353839B1

公开(公告)日：2002-09-28

申请号：KR1020000083251

申请日：2000-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현석봉 ,  박성수 ,  허진 ,  이희태

IPC: H03L7/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 고효율의 아날로그 주파수 판별회로에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 아날로그 곱셈기와 저역 통과 특성을 갖는 차동 증폭기로 구성되어, CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, 이하 CMOS 라 함)집적회로 공정으로 제작 가능한 고효율의 아날로그 주파수 판별회로를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 아날로그 주파수 판별기에 있어서, 외부로부터 FM(Frequency Modulation)-IF(intermediate Frequency) 신호를 입력받는 입력 수단; 상기 입력 수단으로부터 신호를 전달받아 위상차를 90 도 되는 신호를 출력하는 위상 변위 수단; 상기 입력 수단 및 상기 위상 변위 수단으로부터 신호를 입력받고, 입력받은 두 신호를 곱하여 출력하는 곱셈 수단; 상기 곱셈 수단의 입력 바이어스를 제어하는 바이어스 제어 수단; 상기 곱셈 수단의 출력을 입력받아 전달하는 버퍼링 수단; 및 상기 버퍼링 수단에 연결되어 아날로그 곱셈기에서 출력되는 고조파 성분을 증폭하는 증폭수단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 아날로그 / 디지탈 혼성 신호 집적 회로에 이용됨.