公开(公告)号：DE102016112162A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016112162

申请日：2016-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  MEISER ANDREAS

IPC: H03K17/06

Abstract: Beschrieben wird eine elektronische Schaltung. Die elektronische Schaltung umfasst ein erstes Transistorbauelement, wenigstens ein zweites Transistorbauelement und eine Ansteuerschaltung. Das erste Transistorbauelement ist in einem ersten Halbleiterkörper integriert, umfasst eine erste Lastanschlussfläche an einer ersten Oberfläche des ersten Halbleiterkörpers und eine Steueranschlussfläche und eine zweite Lastanschlussfläche an einer zweiten Oberfläche des ersten Halbleiterkörpers und ist dazu ausgebildet, abhängig von einer zwischen der Steueranschlussfläche und der ersten Lastanschlussfläche erhaltene ersten Ansteuerspannung ein- oder auszuschalten. Das wenigstens eine zweite Transistorbauelement ist in einem zweiten Halbleiterkörper integriert, umfasst eine erste Lastanschlussfläche an einer ersten Oberfläche des zweiten Halbleiterkörpers und eine Steueranschlussfläche und eine zweite Lastanschlussfläche an einer zweiten Oberfläche des zweiten Halbleiterkörpers und ist dazu ausgebildet, abhängig von einer zwischen der Steueranschlussfläche und der ersten Lastanschlussfläche erhaltenen zweiten Ansteuerspannung ein- oder auszuschalten. Die Ansteuerschaltung ist dazu ausgebildet, die erste Ansteuerspannung und die zweite Ansteuerspannung zu erzeugen. Die erste Lastanschlussfläche des ersten Transistorbauelements und die erste Lastanschlussfläche des wenigstens einen zweiten Transistorbauelements sind an einem elektrisch leitenden Träger befestigt, so dass die Laststrecken des ersten Transistorbauelements und des wenigstens einen zweiten Transistorbauelements in Reihe geschaltet sind.

公开(公告)号：DE102017113952A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113952

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  BARRENSCHEEN JENS ,  MAUDER ANTON

IPC: H03K17/687 ,  G01R31/27 ,  H01L23/62

Abstract: Ein Schalter ist bereitgestellt, der einen Schaltertransistor sowie eine Überwachungskomponente zum Überwachen eines Steuersignals, das an den Schaltertransistor angelegt wird, aufweist. Mit der Überwachungskomponente kann eine Überwachung des Steuersignals bei manchen Implementierungen unabhängig von einem Lastpfad möglich sein.

公开(公告)号：DE102017113715A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113715

申请日：2017-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  BARRENSCHEEN JENS ,  MAUDER ANTON

IPC: H03K17/51 ,  H03K17/687

Abstract: Es werden Schaltervorrichtungen unter Verwendung von Schalttransistoren mit doppelten Gates bereitgestellt. Die doppelten Gates können unabhängig voneinander durch eine erste und zweite Gatetreiberschaltung gesteuert werden.

公开(公告)号：DE102015119771A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE102015119771

申请日：2015-11-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen ersten Transistor (20) und einen zweiten Transistor (30) in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110). Der erste Transistor (20) umfasst einen ersten Drainkontakt, der mit einem ersten Drainbereich (205) elektrisch verbunden ist, wobei der erste Drainkontakt einen ersten Drainkontaktabschnitt (206) und einen zweiten Drainkontaktabschnitt (130a) umfasst. Der zweite Drainkontaktabschnitt (130a) ist bei einer zweiten Hauptoberfläche (120) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet. Der zweite Transistor (30) umfasst einen zweiten Sourcekontakt, der mit einem zweiten Sourcebereich (301) elektrisch verbunden ist. Der zweite Sourcekontakt umfasst einen ersten Sourcekontaktabschnitt (302) und einen zweiten Sourcekontaktabschnitt (130b), wobei der zweite Sourcekontaktabschnitt (130b) bei einer zweiten Hauptoberfläche (120) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016104317A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102016104317

申请日：2016-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Transistor (10) in einem Halbleiterkörper, der eine Hauptoberfläche (110) hat. Der Transistor umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) bei dem Bodybereich (220). Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der Hauptoberfläche (110) ist. Die Gateelektrode (210) ist in einem Trench (212) angeordnet, der sich in der ersten Richtung erstreckt. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen Sourcekontakt (202), der elektrisch mit dem Sourcebereich (201) und einem Sourceanschluss (271) verbunden ist. Der Sourcekontakt ist in einer Sourcekontaktöffnung (112) in der Hauptoberfläche (110) angeordnet. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst weiterhin einen Bodykontaktteil (225), der elektrisch mit dem Sourceanschluss (271) und dem Bodybereich (220) verbunden ist. Der Bodykontaktteil (225) überlappt vertikal mit dem Sourcebereich (201).

公开(公告)号：DE102015121429A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102015121429

申请日：2015-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASAM MICHAEL ,  MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: G01R19/00

Abstract: Schaltungen, Schalter mit Überstromschutz und Verfahren zum Messen eines Stroms werden hier beschrieben. Eine Schaltung (101), die dazu konfiguriert ist, einen Strom von einer Versorgungsspannung zu einer Last zuzuführen, umfasst einen ersten Transistor (T1), einen zweiten Transistor (T2) und eine Detektionsschaltung (102). Der erste Transistor (T1) weist eine größere aktive Fläche auf als der zweite Transistor (T2). Die Detektionsschaltung (102) ist dazu konfiguriert, einen Strom durch den zweiten Transistor (T2) zu detektieren. Eine gleiche Spannung wird zwischen einem Steueranschluss des ersten Transistors (T1) und einem ersten gesteuerten Anschluss des ersten Transistors (T1) angelegt und wird zwischen einem Steueranschluss des zweiten Transistors (T2) und einem ersten gesteuerten Anschluss des zweiten Transistors (T2) angelegt. Die Detektionsschaltung (102) ist mit dem zweiten gesteuerten Anschluss des zweiten Transistors (T2) gekoppelt und ist mit der Versorgungsspannung gekoppelt.

公开(公告)号：DE102014114184A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102014114184

申请日：2014-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer einen Transistor aufweisenden Halbleitervorrichtung umfasst ein Bilden von Feldplattentrenches (S400) in einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats, wobei eine Driftzone zwischen benachbarten Feldplattentrenches definiert ist, ein Bilden einer Felddielektrikumschicht (S410) in den Feldplattentrenches, danach ein Bilden von Gatetrenches (S420) in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats, wobei ein Kanalbereich zwischen benachbarten Gatetrenches definiert ist, und ein Bilden eines leitenden Materials (S430) in wenigstens einigen der Feldplattentrenches und in wenigstens einigen der Gatetrenches. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden (S440) eines Sourcebereiches und ein Bilden eines Drainbereiches in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats.

公开(公告)号：DE102012210153B4

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102012210153

申请日：2012-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ

IPC: H03K17/08 ,  H01L23/62 ,  H02H5/04 ,  H02H7/20 ,  H02H9/04 ,  H03K17/695

Abstract: Elektronische Schaltung, die aufweist: einen Transistor (1) mit einem Steueranschluss (G) zum Zuführen eines Ansteuersignals (VGS) und einer Laststrecke (D-S) zwischen einem ersten und einem zweiten Lastanschluss (D, S); eine Spannungsschutzschaltung (3) die an den Transistor (1) gekoppelt ist und die einen Steuereingang aufweist, wobei die Spannungsschutzschaltung (3) dazu ausgebildet ist, einen aktivierten Zustand oder einen deaktivierten Zustand abhängig von einem dem Steuereingang zugeführten Steuersignal (S3) anzunehmen, und dazu ausgebildet ist, eine Spannung (VDG) zwischen den Lastanschlüssen (D, S) oder zwischen einem der Lastanschlüsse (D, S) und dem Steueranschluss (G) zu begrenzen; und eine Steuerschaltung (4), die an den Steuereingang der Spannungsschutzschaltung (3) gekoppelt ist, die dazu ausgebildet ist, einen Wert wenigstens eines Betriebsparameters (S4) mit einem Schwellenwert zu vergleichen und die Spannungsschutzschaltung (3) abhängig von dem Vergleichsergebnis zu deaktivieren, und die dazu ausgebildet ist eine Temperatur des Transistors (1) zu detektieren, wobei der Schwellenwert abhängig von der detektierten Temperatur ist.

公开(公告)号：DE112013005770T5

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE112013005770

申请日：2013-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEIS ROLF ,  IRSIGLER PETER ,  MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  VIELEMEYER MARTIN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor, der in einem Halbleiterkörper gebildet ist, der eine erste Hauptoberfläche hat. Der Transistor umfasst einen Sourcebereich, einen Drainbereich, einen Kanalbereich, eine Driftzone, einen Sourcekontakt, der elektrisch mit dem Sourcebereich verbunden ist, einen Drainkontakt, der elektrisch mit dem Drainbereich verbunden ist, und eine Gateelektrode an dem Kanalbereich. Der Kanalbereich und die Driftzone sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Kanalbereich hat eine Gestalt eines ersten Kammes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Ein Kontakt aus dem Sourcekontakt und dem Drainkontakt ist benachbart zu der ersten Hauptoberfläche, und der andere Kontakt aus dem Sourcekontakt und dem Drainkontakt ist benachbart zu einer zweiten Hauptoberfläche, die entgegengesetzt zu der ersten Hauptoberfläche ist.

公开(公告)号：DE102014114836A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014114836

申请日：2014-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Transistor (200), der in einem Halbleitersubstrat (100) gebildet ist, das eine Hauptoberfläche (110) aufweist. Der Transistor (200) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Kanalbereich (220) und eine Gateelektrode (210). Der Sourcebereich (201) und der Drainbereich (205) sind längs einer ersten Richtung angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der Hauptoberfläche (110) ist. Der Kanalbereich (220) hat eine Gestalt eines Kammes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, wobei der Kamm eine Oberseite (220c) sowie eine erste und eine zweite Seitenwand (220b, 220a) umfasst. Die Gateelektrode (210) ist an der ersten Seitenwand (220b) des Kanalbereiches (220) angeordnet, und die Gateelektrode (210) ist an der zweiten Seitenwand (220a) des Kanalbereiches (220) nicht vorhanden.