公开(公告)号：DE10203164B4

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：DE10203164

申请日：2002-01-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Electrode unit (4) comprises at least two electrically separate electrodes (10, 11) An Independent claim is included for the method of manufacture.

公开(公告)号：DE10334797B3

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：DE10334797

申请日：2003-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/70

Abstract: The device (1A) has a spatial charging zone area (5) and a field stop layer (4) with at least part of a p or n channel transistor for limiting a spatial charging zone that can be formed in the spatial charging zone area. The transistor's gate (14,19) is in direct contact with the spatial charging zone area. It is arranged so that a large enough potential exists between the gate and the bounding part of the spatial charging zone area to switch the p or n channel (15,16) of the transistor to cause a current to flow via the channel through the field stop layer.

公开(公告)号：DE10246960A1

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：DE10246960

申请日：2002-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06

Abstract: An FE power transistor comprises two semiconductor regions (10,12) with MOS channels, source/drain connections, gate control contacts (10',12') and a control connection (16). An overvoltage protection unit (13) between the second gate and drain connects to the second semiconductor region if a gate/drain threshold voltage is exceeded.

公开(公告)号：DE10104264C2

公开(公告)日：2003-03-13

申请号：DE10104264

申请日：2001-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861

公开(公告)号：DE10126308A1

公开(公告)日：2002-12-05

申请号：DE10126308

申请日：2001-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/749 ,  H01L29/78

Abstract: A doped region (10) for a first mode of conductivity opposite to a second mode of conductivity subdivides a drift track (3) into source (3a) and drain (3b) areas and has a gate (9b) under it linked to a gate (9a) for a power semiconductor component. The drain-side area (3b) of the drift track has a doping concentration between 2E16 charged particles/cm and 1E14 charged particles/cm as well as a layer thickness of between 2 mu m and 100 mu m. An Independent claim is also included for a method for producing a power semiconductor component.

公开(公告)号：DE10122362A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：DE10122362

申请日：2001-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  WILLMEROTH ARMIN ,  AUERBACH FRANZ ,  DEBOY GERALD ,  AHLERS DIRK ,  WEBER HANS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: Semiconductor element arranged in a semiconductor body (1) and controlled by field effect comprises a source zone (6) and a drain zone (4a, 4b) of first conductivity; a body zone (5) arranged between the source and drain zones; and a gate electrode (8) via which a current-introducing channel zone (10) is formed in the body zone by applying a gate potential to the gate electrode. The body zone has a first dopant and a second dopant (16) of second conductivity which are partially ionized at room temperature and have a degree of ionization which increases with increasing temperature. Preferred Features: A first region with the first dopant is provided within the body zone and a second region with a second dopant with the second dopant is provided within the body zone.

公开(公告)号：DE10100802C1

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：DE10100802

申请日：2001-01-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  AUERBACH FRANZ

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

公开(公告)号：AU7414900A

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：AU7414900

申请日：2000-08-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

公开(公告)号：DE10026924A1

公开(公告)日：2001-12-20

申请号：DE10026924

申请日：2000-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: Compensation element has a drift path between two active zones and a stack of p- and n-conducting regions (3, 4) and a trough-like trench (2). The drift path is lead around the side surfaces and the base surface of the trench. An Independent claim is also included for the production of a compensation element comprising: (a) inserting a trench (2) into a semiconductor body (1) by anisotropic etching; (b) providing the base surface and the side surfaces with p- and n-conducting layers; (c) removing the layers on the surface of the semiconductor body in a planarizing step; and (d) filling the remaining trench on the layers with an insulating material (5) or silicon. The trench is preferably provided with an oxide filling in addition to the p- and n-conducting regions. The walls of the side surfaces are inclined at 55 degrees .

公开(公告)号：DE102019125007B4

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE102019125007

申请日：2019-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  PFIRSCH FRANK ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: RC-IGBT (1) umfassend:- ein aktives Gebiet (1-2) mit einem IGBT-Bereich (1-21), einem Diodenbereich (1-22) und einem Übergangsbereich (1-23) zwischen dem IGBT-Bereich (1-21) und dem Diodenbereich (1-22), wobei der IGBT-Bereich (1-21) und der Diodenbereich (1-22) aus entgegengesetzten Lateralrichtungen an den Übergangsbereich (1-23) angrenzen;- ein das aktive Gebiet (1-2) umgebendes Randabschlussgebiet (1-3);- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (110) und einer Rückseite (120), wobei eine Dicke (d) des Halbleiterkörpers (10) als die Distanz entlang einer Vertikalrichtung (Z) zwischen der Vorderseite (110) und der Rückseite (120) definiert ist, wobei eine gesamte Lateralerstreckung (TLE) des Übergangsbereichs (1-23) zumindest 30 % der Halbleiterkörperdicke (d) beträgt;- mehrere Gräben (14, 15, 16), die jeweils im IGBT-Bereich (1-21), im Diodenbereich (1-22) und im Übergangsbereich (1-23) angeordnet sind, wobei sich jeder Graben (14, 15, 16) von der Vorderseite (110) entlang der Vertikalrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und eine durch einen Grabenisolator (142, 152, 162) vom Halbleiterkörper isolierte Grabenelektrode (141, 151, 161) umfasst, wobei zwei benachbarte Gräben einen betreffenden Mesa-Abschnitt (17) im Halbleiterkörper (10) definieren;- einen ersten Lastanschluss (11) an der Halbleiterkörpervorderseite (110) und einen zweiten Lastanschluss (12) an der Halbleiterkörperrückseite (120), wobeioder IGBT-Bereich (1-21) zum Leiten eines Vorwärtslaststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) ausgelegt ist; undoder Diodenbereich (1-22) zum Leiten eines Rückwärtslaststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) ausgelegt ist;- einen Steueranschluss (13) zum Steuern des Vorwärtslaststroms, wobei im IGBT-Bereich (1-21) die mittlere Dichte von elektrisch mit dem Steueranschluss (13) verbundenen Grabenelektroden (141) zumindest doppelt so groß ist wie die mittlere Dichte von mit dem Steueranschluss (13) verbundenen Grabenelektroden (141) im Übergangsbereich (1-23),- ein im Halbleiterkörper (10) ausgebildetes und sich jeweils in den IGBT-Bereich (1-21), den Diodenbereich (1-22) und den Übergangsbereich (1-23) erstreckendes Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps;- ein in den Mesa-Abschnitten des Halbleiterkörpers (10) ausgebildetes und sich jeweils in den IGBT-Bereich (1-21), den Diodenbereich (1-22) und den Übergangsbereich (1-23) erstreckendes Bodygebiet (102) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei zumindest Abschnitte des Bodygebiets (102) elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (11) verbunden sind, und wobei das Bodygebiet (102) pn-Übergänge mit Teilbereichen der Mesa-Abschnitte (17) des ersten Leitfähigkeitstyps zumindest im Übergangsbereich (1-23) ausbildet;wobei:◯ zumindest im Übergangsbereich (1-23) zumindest in Abschnitten der Mesa-Teilabschnitte ein Sperrgebiet (107) der ersten Leitfähigkeit angeordnet ist, das eine Spitzen-Dotierstoffkonzentration aufweist, die zumindest 100-mal größer ist als eine mittlere Dotierstoffkonzentration des Driftgebiets (100), und◯ die mittlere Dotierstoffdosis der Mesa-Teilabschnitte im Übergangsbereich (1-23) um zumindest einen Faktor 1,2 höher als die mittlere Dotierstoffdosis von Mesa-Teilabschnitten im Diodenbereich (1-22) ist.