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    Optoelektronisches Halbleiterbauelement
    61.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014101492A1

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：DE102014101492

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: – einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend – ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), – eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), – Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und – eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist – einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und – auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    62.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102014100773A1

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：DE102014100773

    申请日：2014-01-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK

    IPC: H01L33/62 ,  H01L23/60 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100) angegeben, bei dem ein Träger (1) mit einer ersten Isolierungsschicht (12), einer von der ersten Isolierungsschicht zumindest bereichsweise bedeckten Spiegelschicht (13) und einem Anschlusselement (41) bereitgestellt wird, wobei der Träger eine freiliegende, planare Montagefläche (11) aufweist und sich das Anschlusselement durch die erste Isolierungsschicht hindurch zur Montagefläche erstreckt. Des Weiteren wird ein Hauptkörper (2) mit einem Halbleiterkörper (20), einer zweiten Isolierungsschicht (22) und einem Kontaktelement (42) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers bereitgestellt, wobei der Hauptkörper eine freiliegende, planare Kontaktfläche (21) aufweist und sich das Kontaktelement durch die zweite Isolierungsschicht hindurch zur Kontaktfläche erstreckt. Der Hauptkörpers wird mit dem Träger verbunden, wobei die planare Kontaktfläche und die planare Montagefläche zur Bildung einer Verbindungsfläche (3) zusammen geführt werden und das Kontaktelement und das Anschlusselement elektrisch miteinander verbunden werden. Weiterhin wird ein solches Halbleiterbauelement angegeben, wobei die Spiegelschicht eben ausgebildet ist, in Draufsicht seitlich über den Hauptkörper hinaus ragt, und die Verbindungsfläche (3) frei von einem Verbindungsmaterial ist.

    Modul mit wenigstens zwei Halbleiterchips
    63.
    发明专利
    Modul mit wenigstens zwei Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102013103600A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：DE102013103600

    申请日：2013-04-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L25/075 ,  H01L23/14 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Modul mit wenigstens zwei Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht, mit einem Träger, wobei der Träger wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Trägerelemente aufweist, wobei die Trägerelemente über eine mechanische Verbindung flexibel miteinander verbunden sind, wobei jeweils ein Halbleiterchip auf einem Trägerelement angeordnet ist, und wobei eine Leiterbahn vorgesehen ist, die mit den zwei Halbleiterchips elektrisch verbunden ist, wobei sich die Leiterbahn über die zwei Trägerelemente erstreckt.

    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes optoelektronisches Bauelement
    65.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102012101463A1

    公开(公告)日：2013-08-29

    申请号：DE102012101463

    申请日：2012-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/62 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14

    Abstract: Es wird ein Herstellungsverfahren angegeben, bei dem ein substratloser Halbleiterchip (1) auf einem elektrisch isolierenden Träger (2) bereitgestellt wird. Der Träger (2) weist elektrisch leitende Kontaktmetallisierungen (3a, 3b) auf. Weiter wird ein elektrisch leitendes Trägersubstrat (4) und ein Abdecksubstrat (5) bereitgestellt. Das Abdecksubstrat (5) weist elektrisch leitende Kontaktstrukturen (5a, 5b) auf. Der Träger (2) wird auf dem Trägersubstrat (4) aufgebracht. Anschließend wird das Abdecksubstrat (5) auf dem Halbleiterchip (1) und/oder auf dem Träger (2) aufgebracht. Die elektrisch leitenden Kontaktstrukturen (5a, 5b) werden mit den elektrisch leitenden Kontaktmetallisierungen (3a, 3b) und dem elektrisch leitenden Trägersubstrat (4) elektrisch leitend verbunden. Weiter wird ein derart hergestelltes Halbleiterbauelement angegeben.

    Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels und Leuchtmittel
    66.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels und Leuchtmittel 未知

    公开(公告)号：DE102009033915A1

    公开(公告)日：2011-01-27

    申请号：DE102009033915

    申请日：2009-07-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HAHN BERTHOLD ,  MAUTE MARKUS ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L25/16 ,  F21S2/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41, 42, 43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41, 42, 43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41, 42, 43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, - Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist, - Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.

    67.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008057350A1

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：DE102008057350

    申请日：2008-11-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L33/00

    Abstract: A radiation-emitting component includes a carrier, a semi-conductor chip arranged on the carrier, wherein the semi-conductor chip includes an active layer to generate electromagnetic radiation and a radiation exit surface, a first and a second contact structure for the electrical contacting of the semi-conductor chip, a first and a second contact layer, wherein the semi-conductor chip is electrically conductively connected to the first contact structure via the first contact layer and to the second contact structure via the second contact layer, a passivation layer arranged on the semi-conductor chip.

    68.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008047579A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：DE102008047579

    申请日：2008-09-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  EISSLER DIETER

    IPC: H01S5/02 ,  H01L25/075

    Abstract: A luminous means includes a first group of semiconductor chips and a second group of semiconductor chips, each group includes at least one semiconductor chip, wherein the first and second groups of semiconductor chips are arranged laterally alongside one another at least in part with respect to a main emission direction of the luminous means, and a third group of semiconductor chips which includes at least one semiconductor chip and is disposed downstream of the first and the second group with respect to the main emission direction, wherein each group of semiconductor chips emits electromagnetic radiation in wavelength ranges that differ from one another in pairs, radiation emitted by the third group of semiconductor chips has the shortest-wave wavelength range, radiation emitted by the first and second group of semiconductor chips at least partly passes into the at least one semiconductor chip of the third group, and mixed radiation is emitted by an emission area of the luminous means.

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