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    Verfahren zur Herstellung eines Subträgers und eines optoelektronischen Bauelements
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Subträgers und eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102007052821B4

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：DE102007052821

    申请日：2007-11-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  BARCHMANN BERND ,  GROETSCH STEFAN

    IPC: H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L31/024 ,  H01L33/00 ,  H01L33/64

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Subträgers, bei dem – ein elektrisch leitfähig dotierter Wafer (1) aus Halbleitermaterial an einer Oberseite mit voneinander getrennten Gräben (2) versehen wird, – ein elektrisch isolierendes Material in die Gräben (2) eingebracht wird und – der Wafer (1) gedünnt wird, sodass aus dem Halbleitermaterial Leiterblöcke (3, 33) und aus dem elektrisch isolierenden Material Isolatorblöcke (4, 34) gebildet werden, wobei die Leiterblöcke (3, 33) durch die Isolatorblöcke (4, 34) voneinander getrennt sind, wobei – in einer Abfolge von Leiterblöcken (3) und Isolatorblöcken (4) jeder zweite Isolatorblock (4) entfernt wird, sodass Elemente gebildet werden, die jeweils zwei von einem Isolatorblock (34) voneinander getrennte Leiterblöcke (33) umfassen.

    Optoelektronisches Bauelement
    3.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010045403A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：DE102010045403

    申请日：2010-09-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt.

    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND DECOUPLING LENS FOR AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
    5.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND DECOUPLING LENS FOR AN OPTOELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
    光电元件和输出耦合光电子COMPONENT

    公开(公告)号：WO2009039824A3

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：PCT/DE2008001511

    申请日：2008-09-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH RALPH ,  BARCHMANN BERND

    Inventor： WIRTH RALPH ,  BARCHMANN BERND

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/46 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component having the following features: - at least one semiconductor body (1) provided for emitting electromagnetic radiation of a first wavelength range, - a heat sink (2) on which the semiconductor body (1) and a mirror (3) are disposed, and - a wavelength-converting layer (4) disposed to the side of the semiconductor body (1) on the mirror (3), said layer comprising a wavelength-conversion material (8) that is suitable to convert at least a portion of the radiation of the first wavelength range emitted by the semiconductor body (1) into radiation of a second wavelength range different from the first wavelength range. The invention further relates to a decoupling lens (14) for an optoelectronic component.

    Abstract translation: 它具有以下特征的光电子器件中公开： - 其被提供给发射第一波长范围的电磁辐射的至少一个半导体本体（1）， - 散热器（2）在其上的半导体主体（1）和反射镜（ 3）被布置，以及 - 波长转换层设置在所述反射镜（4）（3）（在所述半导体主体1）和波长转换体的侧面（8），其能够至少的一部分（所述半导体主体的 转换1）所述第一波长范围的发射的辐射到的波长范围与所述第一第二波长范围内的不同的辐射。 此外，耦合输出透镜（14），用于光电装置进行说明。

    Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil
    6.
    发明专利
    Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102008038748B4

    公开(公告)日：2022-08-04

    申请号：DE102008038748

    申请日：2008-08-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL DR ,  WEGLEITER WALTER ,  MOOSBURGER JÜRGEN DR ,  BARCHMANN BERND ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ZEILER THOMAS

    IPC: H01L33/48 ,  H01L23/10 ,  H01L33/00

    Abstract: Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Montagefläche (10) an einer Bauteilunterseite,- einem um eine Ausnehmung (9) umlaufenden Gehäusegrundkörper (4), der einen Teil der Montagefläche (10) bildet,- mindestens zwei elektrischen Anschlussstücken (2a, 2b) je mit einer Anschlussstückoberseite (21) und einer dieser gegenüberliegenden Anschlussstückunterseite (20), sodass die Anschlussstückunterseiten (20) je einen Teil der Montagefläche (10) bilden und die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) den Gehäusegrundkörper (4) lateral nicht überragen, wobei die Ausnehmung (9) bis zu den elektrischen Anschlussstücken (2a, 2b) reicht,- mindestens einem Strahlung emittierenden, optoelektronischen Halbleiterchip (3), der sich in der Ausnehmung (9) befindet, über die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) elektrisch kontaktiert ist und vollständig auf der Anschlussstückoberseite (20) des größeren der elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) direkt mittels Löten oder Kleben aufgebracht ist und eine Lichtdurchtrittsfläche (30) des Halbleiterchips (3) dieser Anschlussstückoberseite (21) abgewandt ist, und- mindestens einem Abschirmkörper (5), der sich zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (4) befindet, wobei der Abschirmkörper (5) eine vom Halbleiterchip (2) emittierte Strahlung vom Gehäusegrundkörper (4) abschirmt, wobei- in Richtung parallel zu den Anschlussstückunterseiten (20) die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) ringsum von dem Gehäusegrundkörper (4) umgeben sind, sodass eine Gehäusegrundfläche (40) des Gehäusegrundkörpers (4) zusammen mit den Anschlussstückunterseiten (20) die Montagefläche (10) bildet und die Anschlussstückunterseiten (20) mindestens 75 % der Montagefläche (10) bilden, und- der Abschirmkörper (5) als geschlossener Ring ausgestaltet ist und in Draufsicht auf die Lichtdurchtrittsfläche (30) gesehen über jedes der elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) verläuft.

    Gehäuse, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
    8.
    发明专利
    Gehäuse, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses 未知

    公开(公告)号：DE102009055786A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：DE102009055786

    申请日：2009-11-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  BARCHMANN BERND

    IPC: H01L33/56 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein Gehäuse (1) für ein optoelektronisches Bauelement (7) angegeben, mit - einem Gehäusegrundkörper (2), der eine Ausnehmung (4) aufweist, - einer Beschichtung (3), die zumindest im Bereich der Ausnehmung (4) zumindest stellenweise mit dem Gehäusegrundkörper (2) verbunden ist und in direktem Kontakt mit dem Gehäusegrundkörper (2) steht, wobei - der Gehäusegrundkörper (2) mit einem ersten Kunststoffmaterial gebildet ist, - die Beschichtung (3) mit einem zweiten Kunststoffmaterial gebildet ist, - das erste Kunststoffmaterial vom zweiten Kunststoffmaterial verschieden ist, und - das erste Kunststoffmaterial und das zweite Kunststoffmaterial sich hinsichtlich zumindest einer der folgenden Material-Eigenschaften voneinander unterscheiden: Temperaturbeständigkeit, Beständigkeit gegenüber elektromagnetischer Strahlung.

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