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    PROCEDE ET DISPOSITIF D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE D'UN SIGNAL RADIOFREQUENCE
    61.
    发明专利
    PROCEDE ET DISPOSITIF D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE D'UN SIGNAL RADIOFREQUENCE 未知

    公开(公告)号：FR2948513A1

    公开(公告)日：2011-01-28

    申请号：FR0955197

    申请日：2009-07-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

    Inventor： BELOT DIDIER ,  LEYSSENNE LAURENT ,  KERHERVE ERIC ,  DEVAL YANN

    IPC: H03F1/02 ,  H03F3/21 ,  H03G3/30

    Abstract: Circuit d'amplification de puissance d'un signal radiofréquence comprenant une entrée de signal (2) pour recevoir le signal radiofréquence, un étage d'amplification (4) couplé à l'entrée de signal (2) et possédant au moins un transistor de puissance, et un étage de polarisation (5) pour délivrer une tension de polarisation à l'étage d'amplification (4), un étage de traitement (6) comportant une entrée de traitement (13) couplée à l'entrée de signal (2), une sortie de traitement (15) pour délivrer un courant de polarisation modulé au moins en amplitude à l'étage de polarisation (5) et des moyens de modulation en amplitude (17) couplés entre l'entrée (13) et la sortie de traitement (15) et configurés pour déterminer un signal d'enveloppe représentatif de l'enveloppe du signal radiofréquence, pour moduler l'amplitude du signal d'enveloppe à partir d'une consigne de tension variable et pour élaborer le courant de polarisation modulé en amplitude à partir du signal d'enveloppe modulé.

    RESONATEUR A ONDES DE LAMB
    62.
    发明专利
    RESONATEUR A ONDES DE LAMB 未知

    公开(公告)号：FR2922696A1

    公开(公告)日：2009-04-24

    申请号：FR0758470

    申请日：2007-10-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

    Inventor： BELOT DIDIER ,  CATHELIN ANDREIA ,  SHIRAKAWA ALEXANDRE ,  PHAM JEAN MARIE ,  JARY PIERRE ,  KERHERVE ERIC

    IPC: H03H9/02 ,  H01L41/083 ,  H03H9/54

    Abstract: Résonateur à ondes de Lamb (100), comportant au moins une couche piézoélectrique (102) et une première électrode (106) disposée contre une première face de la couche piézoélectrique et dont le motif, dans un plan parallèle au plan de la première face de la couche piézoélectrique, comporte au moins deux doigts (108) et un bras de contact (110), chacun des doigts comportant un premier côté en contact avec ledit bras et deux autres côtés parallèles l'un par rapport à l'autre et espacés l'un de l'autre d'une distance W égale à : avec n ∈ Nvalatéral : vitesse de propagation acoustique des ondes de Lamb,n : ordre du mode de résonance,f : fréquence de résonance du résonateur,des portions (114) de la couche piézoélectrique se trouvant au niveau du plan de la première face, entre les doigts de la première électrode étant gravées au moins partiellement.

    BOUCLE A ASSERVISSEMENT DE PHASE
    66.
    发明专利
    BOUCLE A ASSERVISSEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR2884372A1

    公开(公告)日：2006-10-13

    申请号：FR0503480

    申请日：2005-04-07

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： BADETS FRANCK ,  BELOT DIDIER ,  LAGARESTE VINCENT

    IPC: H03L7/093

    Abstract: Une boucle à asservissement de phase (PLL) comprend un oscillateur commandé (14) pour délivrer un signal de sortie (Sout) à une fréquence de sortie (Fout) déterminée, et un diviseur de fréquence variable (15) pour convertir le signal de sortie en un signal (Sdiv) à fréquence divisée. La PLL est dite composite en ce qu'elle comprend au moins une première boucle (L1) ayant un filtre de boucle (13) pour générer un premier signal de commande (Vc1) de l'oscillateur à partir du signal à fréquence divisée, et une seconde boucle (L2) ayant un filtre de boucle (23), distinct du filtre de boucle de la première boucle, pour générer, à partir du signal à fréquence divisée, un second signal (Vc2) de commande additionnelle de l'oscillateur. Le filtre de boucle de la première boucle et le filtre de boucle de la seconde boucle ont des fréquences de coupure respectives distinctes. La bande passante de la première boucle, peut être adaptée pour assurer la convergence et la stabilité de la PLL, alors que la seconde boucle peut apporter un complément de bande passante augmentant la rapidité d'adaptation de la PLL en cas de modification de la valeur de consigne pour la fréquence de sortie.

    SYNTHETISEUR DE FREQUENCE A PLL
    67.
    发明专利
    SYNTHETISEUR DE FREQUENCE A PLL 未知

    公开(公告)号：FR2875972A1

    公开(公告)日：2006-03-31

    申请号：FR0410367

    申请日：2004-09-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： OUSTALOUP ALAIN YVES ,  DEVAL YANN ,  BELOT DIDIER ,  MELCHIOR PIERRE ,  BEGUERET JEAN BAPTISTE ,  BADETS FRANCK ,  LAGARESTE VINCENT

    IPC: H03L7/093 ,  H03B5/12

    Abstract: Un synthétiseur de fréquence comprend une boucle à asservissement de phase (PLL). La PLL comprend un oscillateur commandé (44) pour délivrer un signal de sortie (Sout) à une fréquence de sortie (Fout) déterminée, un diviseur de fréquence variable (45) pour convertir le signal de sortie en un signal (Sdiv) à fréquence divisée, un comparateur de phase (41,42) pour produire un signal de mesure (Ip) d'un écart de phase entre le signal à fréquence divisée et un signal de référence (Sref) à une fréquence de référence, et un filtre de boucle (43) pour commander l'oscillateur à partir du signal de mesure. Pour augmenter la rapidité de convergence du synthétiseur en cas de modification de la consigne, le filtre de boucle de la PLL est un filtre passe-bas d'ordre fractionnaire, i.e., non entier.

    70.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE60200894D1

    公开(公告)日：2004-09-16

    申请号：DE60200894

    申请日：2002-02-04

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： BELOT DIDIER

    IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

    Abstract: Structure for protection of an area of a semiconductor wafer including a lightly doped substrate (11) of first conductivity type against high frequency noise likely to be injected from components formed in the upper section of a second region of the wafer comprises a very heavily doped, segmented wall (21) of first conductivity type and having the depth of the upper section. Each wall segment is connected to a ground plane through a flip-chip type assembly. Preferred Features: The first conductivity type is type P. The impedance between two successive segments of the wall is higher than the impedance of connection of each segment to the ground plane. The wall surrounds a moderately doped region (25) of the first conductivity type.

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