公开(公告)号：US20090110951A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11924692

申请日：2007-10-26

Applicant: Hong-Shi Kuo ,  Ing-shouh Hwang ,  Tien T. Tsong ,  Tsu-Yi Fu

Inventor： Hong-Shi Kuo ,  Ing-shouh Hwang ,  Tien T. Tsong ,  Tsu-Yi Fu

IPC: B21G1/00 ,  C22F1/14 ,  C21D9/26

CPC classification number: G01Q60/16 ,  C21D9/26 ,  C21D2201/04 ,  C22F1/14 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/28 ,  H01J37/285 ,  H01J37/3056 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2209/0226 ,  H01J2237/06 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/3114 ,  Y10S977/848 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/949 ,  Y10S977/95 ,  Y10T428/12389

Abstract: A method for preparing an iridium tip with atomic sharpness. The method includes tapering an iridium wire to a needle shape and heating the iridium needle in an oxygen atmosphere. Also disclosed is an iridium needle having a pyramidal structure which terminates with a small number of atoms prepared by the methods.

Abstract translation: 一种制备原子锐度的铱尖的方法。 所述方法包括将铱丝丝逐渐变细为针状，并在氧气氛中加热铱针。 还公开了具有锥形结构的铱针，其以通过该方法制备的少量原子终止。

公开(公告)号：WO2017031004A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/US2016/046901

申请日：2016-08-12

Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： CHUANG, Yung-Ho Alex ,  XIAOLI, Yinying ,  LIU, Xuefeng ,  FIELDEN, John

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: G03F7/70008 ,  H01J1/304 ,  H01J1/34 ,  H01J35/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2237/0635

Abstract: An electron source is formed on a silicon substrate having opposing first and second surfaces. At least one field emitter is prepared on the second surface of the silicon substrate to enhance the emission of electrons. To prevent oxidation of the silicon, a thin, contiguous boron layer is disposed directly on the output surface of the field emitter using a process that minimizes oxidation and defects. The field emitter can take various shapes such as pyramids and rounded whiskers. One or several optional gate layers may be placed at or slightly lower than the height of the field emitter tip in order to achieve fast and accurate control of the emission current and high emission currents. The field emitter can be p-type doped and configured to operate in a reverse bias mode or the field emitter can be n-type doped.

Abstract translation: 在具有相对的第一和第二表面的硅衬底上形成电子源。 在硅衬底的第二表面上制备至少一个场致发射体以增强电子的发射。 为了防止硅的氧化，使用最小化氧化和缺陷的工艺将薄的连续的硼层直接设置在场致发射体的输出表面上。 场发射器可以采取各种形状，例如金字塔和圆形晶须。 一个或几个可选的栅极层可以放置在或稍低于场发射极尖端的高度，以便实现对发射电流和高发射电流的快速和准确的控制。 场发射极可以是p型掺杂的并且被配置为以反偏压模式操作，或者场发射极可以是n型掺杂的。

公开(公告)号：WO2014105472A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/US2013/075282

申请日：2013-12-16

Applicant: SCHLUMBERGER CANADA LIMITED ,  SERVICES PETROLIERS SCHLUMBERGER ,  SCHLUMBERGER HOLDINGS LIMITED ,  SCHLUMBERGER TECHNOLOGY B.V. ,  PRAD RESEARCH AND DEVELOPMENT LIMITED ,  SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： REIJONEN, Jani ,  PERKINS, Luke ,  PFUTZNER, Harold

IPC: H01J33/02 ,  G01V5/04

CPC classification number: H01J27/205 ,  G01V5/085 ,  H01J1/3044 ,  H01J3/04 ,  H01J2201/30411

Abstract: An ion source for use in a particle accelerator includes at least one cathode. The at least one cathode has an array of nano-sized projections and an array of gates adjacent the array of nano-sized projections. The array of nano-sized projections and the array of gates have a first voltage difference such that an electric field in the cathode causes electrons to be emitted from the array of nano-sized projections and accelerated downstream. There is a ion source electrode downstream of the at least one cathode, and the at least one cathode and the ion source electrode have the same voltage applied such that the electrons enter the space encompassed by the ion source electrode, some of the electrons as they travel within the ion source electrode striking an ionizable gas to create ions.

Abstract translation: 用于粒子加速器的离子源包括至少一个阴极。 所述至少一个阴极具有纳米尺寸突起的阵列和邻近纳米尺寸突起阵列的门阵列。 纳米尺寸突起阵列和栅极阵列具有第一电压差，使得阴极中的电场使电子从纳米尺寸突起阵列发射并加速下游。 在至少一个阴极的下游存在离子源电极，并且至少一个阴极和离子源电极施加相同的电压，使得电子进入由离子源电极包围的空间中，一些电子就像它们 在离子源电极内行进进入可电离气体以产生离子。

公开(公告)号：WO2011159012A3

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/KR2011001250

申请日：2011-02-23

Applicant: UNIV SEOUL NAT R & DB FOUND ,  KIM YONG HYUP ,  KIM WAL JUN

Inventor： KIM YONG HYUP ,  KIM WAL JUN

IPC: H01B1/04 ,  H01B1/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J9/025 ,  B23H9/00 ,  H01B1/04 ,  H01B1/08 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30469

Abstract: The present invention relates to a conductive nanostructure, to a method for molding same, and to a method for manufacturing a field emitter using same. More particularly, the present invention relates to a field-emitting nanostructure comprising: a conductive substrate; a conductive nanostructure arranged on the conductive substrate; and a conductive interface compound disposed in the interface between the conductive substrate and the conductive nanostructure, as well as to a method for molding same, and to a method for manufacturing a field emitter using same.

Abstract translation: 本发明涉及导电纳米结构，其成型方法，以及使用该场合的场致发射体的制造方法。 更具体地说，本发明涉及一种场发射纳米结构，包括：导电基片; 布置在导电基板上的导电纳米结构; 以及设置在导电基板和导电纳米结构之间的界面中的导电界面化合物，以及其成型方法以及使用其的场致发射体的制造方法。

公开(公告)号：WO2009156242A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/EP2009/056595

申请日：2009-05-29

Applicant: TSUJINO, Soichiro ,  KIRK, Eugenie ,  PAUL SCHERRER INSTITUT

Inventor： TSUJINO, Soichiro ,  KIRK, Eugenie

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2209/0223

Abstract: A methodof manufacturing field-emitter arrays by a molding technique is described, wherein the shape of the mold holes (113) is uniformly controlled to obtain field emitter tips having diameters below 100 nm and blunted side edges. The method utilizes the repeated oxidation and etching of the mold substrate (101) consisting of single-crystal semiconductor mold wafers, where the mold holes (110) for individual emitters are fabricated by utilizing the crystal orientation dependence of the etching rate.

Abstract translation: 描述了通过模制技术制造场发射器阵列的方法，其中模孔（113）的形状被均匀地控制，以获得直径小于100nm的场发射器尖端和钝边侧边缘。 该方法利用由单晶半导体模具晶片组成的模具基板（101）的反复氧化和蚀刻，其中通过利用蚀刻速率的晶体取向依赖性来制造各个发光体的模具孔（110）。

公开(公告)号：WO2014088730A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013/067559

申请日：2013-10-30

Applicant: FOMANI, Arash Akhavan ,  AKINWADE, Akintunde Ibitayo ,  VELASQUEZ-GARCIA, Luis Fernando

Inventor： FOMANI, Arash Akhavan ,  AKINWADE, Akintunde Ibitayo ,  VELASQUEZ-GARCIA, Luis Fernando

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30411 ,  H01L21/00 ,  H01T19/04 ,  H01T23/00

Abstract: Methods for fabrication of self-aligned gated tip arrays are described. The methods are performed on a multilayer structure that includes a substrate, an intermediate layer that includes a dielectric material disposed over at least a portion of the substrate, and at least one gate electrode layer disposed over at least a portion of the intermediate layer. The method includes forming a via through at least a portion of the at least one gate electrode layer. The via through the at least one gate electrode layer defines a gate aperture. The method also includes etching at least a portion of the intermediate layer proximate to the gate aperture such that an emitter structure at least partially surrounded by a trench is formed in the multilayer structure.

Abstract translation: 描述了自对准浇口尖端阵列的制造方法。 该方法在包括衬底，包括设置在衬底的至少一部分上的介电材料的中间层以及设置在中间层的至少一部分上的至少一个栅电极层的多层结构上进行。 该方法包括通过至少一个栅极电极层的至少一部分形成通孔。 通过至少一个栅极电极层的通孔限定栅极孔径。 该方法还包括蚀刻靠近栅极孔的中间层的至少一部分，使得在多层结构中形成至少部分被沟槽包围的发射极结构。

公开(公告)号：WO2014007121A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/JP2013/067491

申请日：2013-06-26

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： ザン　ハン ,  唐　捷 ,  秦　禄昌 ,  ユエン　ジンシ ,  新谷　紀雄 ,  山内　泰

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/073 ,  H01J37/285 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2237/06341

Abstract: 　先端に金属終端（１００）面が形成されたＬａＢ ６ 等の六ホウ化金属ナノワイヤーは、仕事関数が小さいことにより、この（１００）面から非常に細い電子ビームを放射することができるが、低温で使用すると、ごく短時間に汚染されて出力電流が大きく低下してしまう。そこで、先端の金属終端（１００）面を低温で水素に曝露する安定化処理を施すことで、長時間安定動作する冷電界エミッターとした。

Abstract translation: 由于诸如LaB 6的六硼化物金属的纳米线，在其前端形成有金属端子（100）的表面，具有小的功函数，可以从该端子（100）面辐射非常窄的电子束 。 然而，如果在低温下使用，污染就会在很短的时间内积累，输出电流大大下降。 提供一种冷场发射器，其通过前端的金属端子（100）面的稳定化处理在长时间内稳定地工作，其中所述金属端子（100）面在低温下暴露于氢。

公开(公告)号：WO2009008305A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：PCT/JP2008/061986

申请日：2008-07-02

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  独立行政法人科学技術振興機構 ,  日新イオン機器株式会社 ,  石川 順三 ,  辻 博司 ,  後藤 康仁 ,  竹内 光明 ,  酒井 滋樹

Inventor： 石川 順三 ,  辻 博司 ,  後藤 康仁 ,  竹内 光明 ,  酒井 滋樹

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/3048

Abstract: 　電界放出型電子源の製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ（１８）の形成後に少なくともエミッタ（１８）の先端部に炭素イオン（４０）を注入するイオン注入工程を備えている。この炭素イオン（４０）のエネルギー（単位はｋｅＶ）を一方の軸、注入量（単位は×１０ 17 ｉｏｎｓ／ｃｍ 2  ）を他方の軸とする直交座標上の点Ｐ 1  ～Ｐ 6  の座標を（エネルギー，注入量）でそれぞれ表すと、Ｐ 1  （５，０．８）、Ｐ 2  （５，１．５）、Ｐ 3  （１０，２．５）、Ｐ 4  （１５，３．０）、Ｐ 5  （１５，２．０）およびＰ 6  （１０，１．６）の６点間を直線で結んで囲まれる範囲内にある条件で炭素イオン（４０）を注入する。

Abstract translation: 用于制造场发射电子源的方法包括离子注入步骤，用于在主要由硅形成发射极（18）之后至少在发射极（18）的尖端部分中注入碳离子（40）。 当将具有碳离子（40）的能量（单位：keV））作为一个轴的正交坐标上的点P1-P6的坐标分别表示为（能量，注入量）和注入量（单位：×1017 离子/ cm 2）作为另一个轴，碳离子（40）被注入在通过连接六个点（即P1（5,0.8），P2（5,1.5），P3（10,2.5），P4 （15,3.0），P5（15,2.0）和P6（10,1.6）。

公开(公告)号：WO2008035662A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/JP2007/068058

申请日：2007-09-18

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  植田 暁彦 ,  山本 喜之 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

Inventor： 植田 暁彦 ,  山本 喜之 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

Abstract:   電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。柱状ダイヤモンド単結晶（１０）片端を研磨して滑らかな平面（１１）を形成し、滑らかな平面（１１）上にセラミック層（１２）を形成する。このセラミック層（１２）上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層（１４）を堆積した後、この薄膜層（１４）をマスクとして、エッチングによりセラミック層（１２）をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶（１０）の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。

Abstract translation: 本发明提供了一种金刚石电子源，其包括一个尖锐部分作为用于电子束设备如电子显微镜的电子发射点，在具有难以涂覆的尺寸的柱状金刚石单晶的一端 在微细加工过程中抗蚀剂及其制造方法。 抛光柱状金刚石单晶（10）的一端，以形成光滑的平坦表面（11），并且在光滑平坦表面（11）上形成陶瓷层（12）。 通过使用聚焦离子束装置在陶瓷层（12）上沉积具有预定形状的薄膜层（14）。 此后，使用薄膜层（14）作为掩模，通过蚀刻对陶瓷层（12）进行图案化。 通过使用形成的陶瓷掩模的干蚀刻，在柱状金刚石单晶（10）的一端形成一个尖锐部分。

公开(公告)号：EP3066680B1

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：EP14860789.8

申请日：2014-11-07

Applicant: HIRSCH, Gregory

Inventor： HIRSCH, Gregory

IPC: H01J49/04 ,  H01J37/08 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/08 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/0805

Abstract: A method of producing field emitters having improved brightness and durability relying on the creation of a liquid Taylor cone from electrically conductive materials having high melting points. The method calls for melting the end of a wire substrate with a focused laser beam, while imposing a high positive potential on the material. The resulting molten Taylor cone is subsequently rapidly quenched by cessation of the laser power. Rapid quenching is facilitated in large part by radiative cooling, resulting in structures having characteristics closely matching that of the original liquid Taylor cone. Frozen Taylor cones thus obtained yield desirable tip end forms for field emission sources in electron beam applications. Regeneration of the frozen Taylor cones in-situ is readily accomplished by repeating the initial formation procedures. The high temperature liquid Taylor cones can also be employed as bright ion sources with chemical elements previously considered impractical to implement.