公开(公告)号：JPWO2015152197A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2015516368

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  榛原　照男 ,  照男 榛原 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: リーニング不良とスプリング不良をともに抑制するため、(1)ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面(ワイヤ中心断面)において長径aと短径bの比a/bが10以上でありさらに面積が15μm2以上である結晶粒(繊維状組織)が存在せず、(2)ワイヤ中心断面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位 の存在比率が面積率で10%以上50%未満であり、(3)ワイヤ表面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位 の存在比率が面積率で70%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。伸線工程中に減面率が15.5%以上の伸線加工を少なくとも1回行い、最終熱処理温度と最終前熱処理温度を所定範囲とする。

公开(公告)号：JP5840328B1

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：JP2015516369

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田 隆 ,  小田 大造 ,  大石 良 ,  榛原 照男 ,  宇野 智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111

Abstract: リーニング不良とスプリング不良をともに抑制するため、(1)ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面(ワイヤ中心断面)において、長径aと短径bの比a/bが10以上でありさらに面積が15μm 2 以上である結晶粒(繊維状組織)が存在せず、(2)ワイヤ中心断面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位 の存在比率が面積率で50%以上90%以下であり、(3)ワイヤ表面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位 の存在比率が面積率で50%以上90%以下であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。伸線工程中に減面率が15.5%以上の伸線加工を少なくとも1回行い、最終熱処理温度と最終前熱処理温度を所定範囲とする。

Abstract translation: 同时抑制倾斜不良和弹簧失效，（1）在丝长度方向平行部包括线中心（线的中心部分），长轴a和短轴B的比A / B为不低于10进一步区 上面有15μm2，其中谷物（纤维组织）不存在，（2）在导线的中心部分，测量相对于所述角度差于电线长度方向15□或更小的结晶方位结果的导线长度方向 和90％至在一个晶体取向<100>的存在比率面积率50％或更多或更少;（3）在金属丝表面上，测量的角度差相对于所述导线长度方向的晶体取向的结果的线长度方向 15？半导体装置接合线，其中，所述存在比为90％或以面积率小于50％处的结晶方位<100>或更小。 在拉丝步骤面积的减少的图超过15.5％，最终的热处理温度和最终热处理前的温度和预定的范围内进行至少一次。

公开(公告)号：JP2017500753A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2016547990

申请日：2014-10-14

Applicant: コーニング インコーポレイテッド ,  コーニング インコーポレイテッド

Inventor： ジーン エニックス，ダーウィン ,  ジーン エニックス，ダーウィン ,  タイラー キーチ，ジョン ,  タイラー キーチ，ジョン ,  ブルース ショリー，エイリック ,  ブルース ショリー，エイリック ,  パイプス サード トーマス，ウィンザー ,  パイプス サード トーマス，ウィンザー

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00

Abstract: 物品(2)を形成するために、表面修飾層(30)を介してキャリア(10)上に配置される、薄型シート(20)。上記物品は、FEOL半導体加工におけるような高温加工に供してよく、加工中に脱気せず、キャリアから分離しないように薄型シートをキャリア上に維持し、その一方で薄型シートは、室温での剥離力によってキャリアから分離でき、薄型シート及びキャリアのうちの薄い方は元の状態のまま残る。ビアホール(60)のアレイ(50)を有するインターポーザ(56)を薄型シート上に形成してよく、デバイス(66)をインターポーザ上に形成する。あるいは薄型シートは、FEOL加工中にその上に半導体回路が形成される基板であってよい。

Abstract translation: 制品，以形成（2），设置通过表面改性的层（30），薄片（20）的载体（10）上。 所述制品可经受高温处理，例如在FEOL半导体处理，在处理过程中不进行脱气，保持薄片，以便不从在载体上的载体分离，而薄片，在室温下 通过释放力从载体分离，薄片和载体的较薄者保持不变。 以及具有形成在薄片（56）的阵列（50），孔（60）内插器，所述装置（66）形成在所述插入。 或薄片可以是其上FEOL处理期间其上形成的半导体电路的基板。

公开(公告)号：JP5840327B1

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：JP2015516368

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田 隆 ,  小田 大造 ,  大石 良 ,  榛原 照男 ,  宇野 智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111

Abstract: リーニング不良とスプリング不良をともに抑制するため、(1)ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面(ワイヤ中心断面)において長径aと短径bの比a/bが10以上でありさらに面積が15μm 2 以上である結晶粒(繊維状組織)が存在せず、(2)ワイヤ中心断面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位 の存在比率が面積率で10%以上50%未満であり、(3)ワイヤ表面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位 の存在比率が面積率で70%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。伸線工程中に減面率が15.5%以上の伸線加工を少なくとも1回行い、最終熱処理温度と最終前熱処理温度を所定範囲とする。

Abstract translation: 同时抑制倾斜不良和弹簧失效，更多的面积是在长轴a和短轴B的比A / B为10以上在（1）平行于纵向方向的横截面的金属丝包括金属丝中心（线中心部分） 以上15μm2其中晶粒不存在（纤维组织）是，（2）在导线的中心部分，测量线材长度方向，相对于所述金属丝的纵向方向的角度差的晶体取向的结果是15或更小 晶体取向的存在比率<100>为大于10％小于50％（面积比），（3）在金属丝的表面，测量相对于角度差于导线的纵向方向15的结晶取向的结果的线长度方向 ？半导体器件接合线的特征在于，所述晶体取向<100>或更小的丰度比为70％或更高的面积比。 在拉丝步骤面积的减少的图超过15.5％，最终的热处理温度和最终热处理前的温度和预定的范围内进行至少一次。

公开(公告)号：KR1020100004341A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：KR1020080064455

申请日：2008-07-03

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사

Inventor： 이병준 ,  박중한 ,  임현택 ,  최원희 ,  최혜영

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3253 ,  H01L51/5231 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5259 ,  H01L23/53219 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5237 ,  H01L2924/201

Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent device, a substrate for the organic electroluminescent device and method of fabricating the same are provided to protect the deterioration of an organic electroluminescent layer by protecting the dispersion of calcium included in a cathode electrode. CONSTITUTION: A first electrode(253) is formed on a substrate. A buffer pattern(257) is formed on a first electrode. A barrier rip(260) is formed on the buffer pattern. A patterned spacer(263) is formed on the buffer pattern. An organic light-emitting layer(265) is formed on the first electrode. A second electrode(270) is formed on the organic light-emitting layer. A calcium layer is formed on the second electrode excluding a region corresponding to the patterned spacer. The calcium layer is transformed to a calcium oxide layer. A getter layer is formed on the calcium oxide layer excluding a region corresponding to the patterned spacer.

Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光器件，用于有机电致发光器件的衬底及其制造方法，以通过保护包含在阴极中的钙的分散来保护有机电致发光层的劣化。 构成：在基板上形成第一电极（253）。 缓冲图案（257）形成在第一电极上。 在缓冲器图案上形成屏障（260）。 在缓冲图案上形成有图案化间隔物（263）。 在第一电极上形成有机发光层（265）。 在有机发光层上形成第二电极（270）。 除了与图案化间隔物对应的区域之外，在第二电极上形成钙层。 将钙层转化为氧化钙层。 除了与图案化间隔物对应的区域之外，在氧化钙层上形成吸气剂层。

公开(公告)号：KR101633411B1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020157033969

申请日：2015-03-31

Applicant: 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

Inventor： 야마다다카시 ,  오다다이조 ,  오이시료 ,  하이바라데루오 ,  우노도모히로

IPC: H01L23/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  B21C1/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 리닝불량과스프링불량을모두억제하기위해서, (1) 와이어중심을포함해서와이어길이방향으로평행한단면(와이어중심단면)에있어서긴 직경(a)과짧은직경(b)의비(a/b)가 10 이상이며또한면적이 15㎛이상인결정립(섬유상조직)이존재하지않고, (2) 와이어중심단면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 10% 이상 50% 미만이고, (3) 와이어표면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 70% 이상인것을특징으로하는반도체장치용본딩와이어. 신선공정중에감면율이 15.5% 이상의신선가공을적어도 1회행하고, 최종열처리온도와최종전 열처리온도를소정범위로한다.

Abstract translation: 用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有 长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）在测定线中的晶体方向时 线中心横截面的长度方向，晶体方向<100>与线长度方向的角度差为15°以下的面积比为10％以上且小于50％，（ 3）当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>与线长度方向的角度差为15°以下的面积比为70％， 更多。 在拉伸步骤中，至少进行一次具有15.5％以上的面积减小率的拉拔操作。 将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

公开(公告)号：KR1020150023507A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020147036622

申请日：2013-06-05

Applicant: 소이텍

Inventor： 라두이오누트 ,  브뢰카르트마르셀 ,  카스텍스아르노 ,  고댕구엘타즈 ,  리우그레고리

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12653 ,  Y10T428/12674 ,  H01L21/28026

Abstract: 복합 구조체의 제조방법이 개시된다. 본 제조방법은, 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 사이의 결합 인터페이스가 결합 웨이브의 전파 이후에 0.7J/m
2 이하의 결합 에너지를 가지는 결합 웨이브의 전파 개시 단계 및 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼의 결합 동안 유도된 스트레스 수준의 측정 단계로서, 스트레스 수준은 Ct = Rc/Ep 공식을 이용하여 계산되는 스트레스 변수 Ct에 기초하여 결정되고, 여기에서, Rc는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 어셈블리의 곡률 반경(km)에 대응하고, Ep는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 어셈블리의 두께(㎛)에 대응하고, 결정된 스트레스 수준 Ct가 0.07 이상일 때 결합을 유효화하는 단계를 포함하고, 결합 웨이브의 전파 개시 단계는, 20 mbar 미만의 압력의 환경 및 0.1 MPa 내지 33.3 MPa 사이의 기계적 압력을 두 웨이퍼 중 어느 하나에 적용하는 조건 중 적어도 하나의 조건 하에서 수행되는 것을 � ��징으로 한다.

公开(公告)号：KR101633414B1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020157034061

申请日：2015-03-31

Applicant: 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

Inventor： 야마다다카시 ,  오다다이조 ,  오이시료 ,  하이바라데루오 ,  우노도모히로

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/324 ,  C22F1/14 ,  C22F1/00 ,  C22C5/08 ,  C22C5/06

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005

Abstract: 리닝불량과스프링불량을모두억제하기위해서, (1) 와이어중심을포함해서와이어길이방향으로평행한단면(와이어중심단면)에있어서, 긴직경(a)과짧은직경(b)의비(a/b)가 10 이상이며또한면적이 15㎛이상인결정립(섬유상조직)이존재하지않고, (2) 와이어중심단면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하이고, (3) 와이어표면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하인것을특징으로하는반도체장치용본딩와이어. 신선공정중에감면율이 15.5% 이상의신선가공을적어도 1회행하고, 최종열처리온도와최종전 열처리온도를소정범위로한다.

Abstract translation: 用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有 长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）在测定线中的晶体方向时 线中心横截面的纵向方向，晶体方向<100>相对于导线纵向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％，（3） 当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>相对于线长度方向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％ 。 在绘制陡峭期间，至少进行一次具有15.5％以上的面积减小率的绘图操作。 将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

公开(公告)号：KR1020160070179A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020167012335

申请日：2014-10-14

Applicant: 코닝 인코포레이티드

Inventor： 에닉스다윈진 ,  키치존타일러 ,  쇼리아릭브루스 ,  토마스윈저파이프스3세

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00

Abstract: 물품(2)을형성하도록표면개질층(30)을통해캐리어(10) 상에배치된얇은시트(20)이며, 여기서물품은 FEOL 반도체가공에서와같이고온가공에적용될수 있고, 기체방출하지않고, 가공동안캐리어로부터분리되지않으면서캐리어상에유지되나얇은시트및 캐리어중 더얇은것을온전하게남아있게하는실온박리력에의해서는캐리어로부터분리되는얇은시트를갖는다. 비아(60)의어레이(50)를갖는인터포저(56)는얇은시트상에형성될수 있고, 장치(66)는인터포저상에형성될수 있다. 대안적으로, 얇은시트는 FEOL 가공동안그 위에반도체회로가형성된기판일수 있다.

公开(公告)号：KR1020160057765A

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：KR1020140158778

申请日：2014-11-14

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 홍경국 ,  노현우 ,  정영균 ,  천대환 ,  이종석 ,  강수빈

IPC: C04B37/00 ,  C04B37/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K35/025 ,  B23K35/264 ,  B23K35/3006 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/166 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13388 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본발명의일 실시예에따른은 페이스트의접합방법은복수개의은 분말및 복수개의비스무스분말을포함하는은 페이스트를반도체소자또는기판에도포하는단계, 상기반도체소자를상기기판위에배치하는단계, 그리고상기은 페이스트를가열하여접합층을형성하는단계를포함하고, 상기반도체소자및 상기기판은상기접합층을통하여접합된다.

Abstract translation: 根据本发明的实施方式的银膏接合方法包括：将具有多个银粉末和多个铋粉末的银膏施加到半导体器件或基板的步骤; 将半导体器件放置在衬底上的步骤; 以及通过加热棉条形成接合层的步骤。 半导体器件和衬底通过接合层接合。