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    Verfahren und Einrichtung zur zerstörungsfreien Oberflächen-Inspektion
    71.
    发明公开
    Verfahren und Einrichtung zur zerstörungsfreien Oberflächen-Inspektion 失效
    Verfahren und Einrichtung zurzerstörungsfreienOberflächen-Inspektion。

    公开(公告)号：EP0624787A1

    公开(公告)日：1994-11-17

    申请号：EP94104137.8

    申请日：1994-03-17

    Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

    Inventor： Marxer,Norbert

    IPC: G01N21/88

    CPC classification number: G01N21/9501

    Abstract: Solche Verfahren kommen hauptsächlich in einem Substrat-Oberflächen-Inspektionsgerät zur Inspektion von Wafern zur Anwendung. Neben kleinsten Partikeln (im Bereich von 100 nm) können mit derartigen Einrichtungen Kristallfehler, metallische Verunreinigungen, Polierfehler, Kratzer und andere Inhomogenitäten auf Wafern visualisiert werden.
    Dabei werden solche Wafer in sogenannten Waferkassetten ( 1, 2 ) vor bzw. nach der Inspektion in eine Inspektionseinrichtung eingeführt und auf genauen Lagerböcken ( 3, 4 ) einem Greifsystem zur Verfügung gestellt und von dort über roboterartig arbeitende Schwenkarme ( 5 ) auf eine Inspektionsbühne ( 7 ) geladen und ausgemessen, wobei das Ergebnis über eine aufwendige Elektronik ( 8 ) ermittelt und visulisiert wird.

    Abstract translation: 这种方法通常用在基片表面检查机中用于检查晶片。 除了非常小的颗粒（在100nm的范围内），可以使用这种类型的装置可视化晶体缺陷，金属杂质，抛光缺陷，划痕和晶片上的其它不规则性。 在这种情况下，在检查装置之前或之后将这样的晶片插入所谓的晶片盒（1,2）中，并将其呈现在精确的定位块（3,4）上的夹持系统上，并且从那里 使用机器人工作的旋转臂（5）装载到检查平台（7）上并测量，其结果被评估并使用复杂的电子设备（8）可视化。

    Cantilevered microtip
    72.
    发明公开
    Cantilevered microtip 失效
    Mikrospitze auf freitragendem Arm。

    公开(公告)号：EP0500980A1

    公开(公告)日：1992-09-02

    申请号：EP91102880.1

    申请日：1991-02-27

    Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

    Inventor： Neukermans, Armand P. ,  Berger, Josef

    IPC: G01B7/34 ,  G01N27/00

    CPC classification number: G01Q70/16 ,  G01Q70/10 ,  G01Q70/14 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  Y10S438/924

    Abstract: A method for fabricating a microtip, cantilevered from a base and having a controllably high aspect ratio, for use in microprobe microscopy to probe variations in materials at the atomic level. A two-layer semiconductor material structure is provided (13), one layer being n type (15) and the other layer being p type (17). A thin pencil of ions (22) of n type is implanted through the n type layer into the p type layer (17), through a small aperture in a mask layer (19) that overlies the n type layer. The p type material is then etched away, leaving the n type ion profile (23) and the n type layer as a cantilevered microtip. The n type semiconductor layer may be replaced by a layer of any material that resists etching by the selected etchant.

    Abstract translation: 用于制造从底部悬臂并具有可控高的纵横比的微尖端的方法，用于微探针显微镜以探测原子水平的材料变化。 提供两层半导体材料结构（13），一层为n型（15），另一层为p型（17）。 将n型离子（22）的薄铅通过n型层通过覆盖在n型层上的掩模层（19）中的小孔注入p型层（17）。 然后将p型材料蚀刻掉，留下n型离子轮廓（23）和n型层作为悬臂微尖。 n型半导体层可以由抗蚀刻所选择的蚀刻剂的任何材料的层代替。

    Verfahren zum Kalibrieren von Scannern und Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden
    73.
    发明公开
    Verfahren zum Kalibrieren von Scannern und Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden 失效
    一种用于校准扫描仪和布置用于产生散射光的振幅限定方法。

    公开(公告)号：EP0447848A2

    公开(公告)日：1991-09-25

    申请号：EP91102967.6

    申请日：1991-02-27

    Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

    Inventor： Malin, Cosmas ,  Hoyle, Philip

    IPC: G01N21/88 ,  G01N21/47

    CPC classification number: G01N21/93 ,  G01N21/4785

    Abstract: Die dargestellte Vorrichtung beinhaltet ein Verfahren zum Kalibrieren von Licht-Scannern und enthält eine Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden, speziell für die Messung von Partikeln und/oder die Oberflächeninspektion von Substraten, insbesondere von Wafers.
    Dabei gelangt das von einem Laser (20) ausgestrahlte und focusierte Licht auf ein Referenzmedium (27) das ausserhalb der Fokusebene (10) angeordnet ist. Durch Vergleich des Streulichtanteils zwischen zu inspizierenden Substrat und Referenzmedium mit Hilfe eines Photodetektors (7) wird die Oberfläche des Wafers analysiert.

    Abstract translation: 所示的装置包括用于光学扫描仪的校准的方法，包括对设备进行用于产生散射光的振幅限定，爱特别是对颗粒和/或衬底的表面的检查中，爱的特别的晶片的测量。 ... 在这种情况下，它是由一个激光（20）发射并聚焦的光的所有传递到其焦平面（10）的外部布置的参考介质（27）所有。 的晶片的表面是由被检查基板和参考媒体之间的散射光成分的比较由光电检测器（7）进行分析。 ... ...

    Verfahren und Vorrichtung zum Halten und Transportieren von plattenförmigen Substraten
    74.
    发明公开
    Verfahren und Vorrichtung zum Halten und Transportieren von plattenförmigen Substraten 失效
    用于保持和输送板状衬底的方法和装置。

    公开(公告)号：EP0445651A2

    公开(公告)日：1991-09-11

    申请号：EP91102968.4

    申请日：1991-02-27

    Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

    Inventor： Malin, Cosmas ,  Sawatzki, Harry

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/68707 ,  Y10S414/141

    Abstract: Die Vorrichtung zeigt eine Substrathalterung (70), die sich speziell für das Greifen und Halten von Wafers eignet.
    Dabei ist dann ein solcher Wafer (31) in der planen Ebene gegenüberliegend zwischen einem Tragelement (29) und entsprechenden Klemmpinns (63,64) eingespannt. Die Einspannkraft wird einerseits durch eine Feder (61) gegen einen Pneumatikzylinder (60) erzeugt und andererseits über Dämpfungselemente (72) gesteuert.
    Auf der einen Einspannseite -beim Tragelement (29)- ist dabei eine fixe Positionierung vorgesehen und auf der Gegenseite -bei den Klemmpinns (63, 64)- ist eine flexible Positionierung vorgesehen. Die ganze Vorrichtung lässt sich über optische Mittel (66, 67, 68) entsprechend positionieren.

    Abstract translation: 该装置具有保持器基板（70），所有这些是爱特别适合用于拾取并保持晶片。 ... 这样的晶片（31）然后在平面夹紧相对位于支撑元件（29）和相应的夹紧销（63，64）之间。 夹紧力产生时，在一方面，通过在对立的弹簧（61）的气动缸（60）并且被控制，另一方面，由阻尼元件（72）的装置。 ... 一个固定的定位被设置在一个夹紧侧（在所述支撑元件（29）的情况下）和在相对侧上的柔性定位（在夹紧销（63，64）的情况下）。 完整的设备可以使用光学装置（66，67，68）被适当地定位。 ... ...

    A dual stage instrument for scanning a specimen
    78.
    发明公开
    A dual stage instrument for scanning a specimen 失效
    仪器mit Doppeltisch zum Abtasten einesProbenkörpers

    公开(公告)号：EP1574815A2

    公开(公告)日：2005-09-14

    申请号：EP05011576.5

    申请日：1997-02-07

    Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

    Inventor： Samsavar, Amin ,  Wheeler, William R. ,  Eaton, Steven Glen ,  Zhuang, Jian-Ping

    IPC: G01B7/34 ,  G01N27/00

    CPC classification number: G01Q10/04 ,  G01B3/008 ,  G01B7/34 ,  G01Q10/02 ,  G01Q30/02 ,  G01Q70/06 ,  Y10S977/834 ,  Y10S977/849 ,  Y10S977/852 ,  Y10S977/867 ,  Y10S977/868 ,  Y10S977/872 ,  Y10S977/874

    Abstract: A dual stage scanning instrument includes a sensor (60) for sensing a parameter of a sample (90) and coarse and fine stages (80,70) for causing relative motion between the sensor (60) and the sample (90). The coarse stage (80) has a resolution of about 1 micrometer and the fine stage (70) has a resolution of 1 nanometer or better. The sensor (60) is used to sense the parameter when both stages cause relative motion between the sensor assembly (60) and the sample (90). The sensor (60) may be used to sense height variations of the sample surface as well as thermal variations, electrostatic, magnetic, light reflectivity or light transmission parameters at the same time when height variation is sensed. By performing a long scan at a coarser resolution and short scans at high resolution using the same probe tips at fixed relative positions, data obtained from the long and short scans can be correlated accurately.

    Abstract translation: 双级扫描仪器包括用于感测样品（90）的参数的传感器（60）和用于引起传感器（60）和样品（90）之间的相对运动的粗细级（80,70）。 粗级（80）具有约1微米的分辨率，细级（70）的分辨率为1纳米或更好。 当两个阶段在传感器组件（60）和样本（90）之间引起相对运动时，传感器（60）用于感测参数。 传感器（60）可以用于在感测到高度变化的同时感测样品表面的高度变化以及热变化，静电，磁性，光反射率或光透射参数。 通过使用相同的探针尖端在固定的相对位置以较粗分辨率和高分辨率的短扫描进行长扫描，可以准确地相关联从长扫描和短扫描获得的数据。

    OPTICAL WAFER POSITIONING SYSTEM
    80.
    发明公开
    OPTICAL WAFER POSITIONING SYSTEM 失效
    光学基片定位系统

    公开(公告)号：EP0804713A4

    公开(公告)日：1999-03-24

    申请号：EP95916365

    申请日：1995-04-13

    Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

    Inventor： NIKOONAHAD MEHRDAD ,  RIGG PHILIP R ,  WELLS KEITH B ,  CALHOUN DAVID S

    IPC: G01B11/02 ,  G01B11/30 ,  G01N21/88 ,  G01N21/94 ,  G01N21/95 ,  G01N21/956 ,  H01L21/66 ,  G01B11/00

    CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/94 ,  G01N21/956

    Abstract: A surface height detection and positioning device for use in a surface inspection system. A light beam (25) impinges obliquely upon the surface (22), and a position detector (38) with a mechanical window (45) defining an aperture (46) receives specularly reflected light (33) producing a plurality of electrical signals. The aperture's width (46), along a scan direction, is of sufficient size to create a train of signals from each of the plurality of signals, having a frequency equal to the scan frequency. These signals carry information responsive to the position of the reflected beam (33) impinging on the detector and the beam's intensity. To abrogate information responsive to intensity variations at the detector, an electronic circuit (100) determines the sum and the difference of the plurality of signals, producing a summed signal and a difference signal, respectively. The difference signal is divided by the summed signal, thereby producing a normalized signal which represents the height of the surface.

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