公开(公告)号：KR1020120027484A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：KR1020127000467

申请日：2010-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4405 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 처리 용기 내에 기판이 존재하지 않는 상태에서 처리 용기 내를 Cl 및 F의 적어도 한쪽을 포함하는 가스에 노출시키는 전처리 공정(공정 1)과, 처리 용기 내에 기판을 반입하는 공정(공정 2)과, 상기 기판이 반입된 처리 용기 내에, 기체 상태의 Ge원료와, 기체 상태의 Sb원료와, 기체 상태의 Te원료를 도입하여 CVD에 의해 기판상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 로 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 공정(공정 3)을 갖는다.

Abstract translation: 步骤（步骤2），以使衬底的预处理步骤（步骤1），则处理容器暴露于含有所述处理容器Cl和F中的处理容器内部的至少一种的气体，同时所述衬底是不存在，并且 将气态的Ge原料，气态的Sb原料和气态的Te原料引入装载有基板的处理容器中，并将Ge

公开(公告)号：KR1020100116204A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020107019257

申请日：2009-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H05B6/105 ,  H05B6/365 ,  H05B6/44

Abstract: 복수의 서셉터에 각각 탑재된 기판을 한번에 가열할 때, 각 기판의 면내 온도의 균일성을 제어할 수 있도록 한다. 복수의 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 실시하는 반응관(104)과, 웨이퍼를 탑재하는 탑재면을 각각 갖고, 도전성 재료로 이루어지는 복수의 서셉터(112)와, 상기 각 서셉터를, 그 탑재면에 수직인 방향에 간격을 두고 배열해서 반응관 내에서 지지하는 회전 자유로운 석영 보트(110)와, 처리실의 측벽에 마련되고, 각 서셉터의 탑재면에 평행한 방향에 교류 자기장을 형성하여 각 서셉터를 유도 가열하는 하쌍의 전자석(120, 130)으로 이루어지는 자기장 형성부와, 이 자기장 형성부에 의해서 형성되는 교류 자기장을 제어하는 제어부(200)를 구비한다.

Abstract translation: 当安装在多个基座中的每一个基座上的基板同时被加热时，可以控制每个基板的平面内温度的均匀性。 由导电材料制成的多个基座112，每个基座具有用于在多个晶片上执行预定处理的反应管104和用于安装晶片的安装表面; 可旋转地设置在反应管中并且在与基座的表面垂直的方向上彼此间隔开的石英舟110以及AC磁场在与每个基座的安装表面平行的方向上形成， 磁场形成部分由用于感应加热基座的一对电磁铁120和130以及控制由磁场形成部分形成的交变磁场的控制部分200组成。

公开(公告)号：KR1020100115376A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020107021022

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O계 막의 성막 방법은 처리용기내에 Ru막이 형성된 기판을 배치하고, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 상기 처리용기내에 도입해서 Ru막 상에 두께 10㎚ 이하의 제 1 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막의 위에, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 처리용기내에 도입하고 그 위에 제 2 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 2 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080098387A

公开(公告)日：2008-11-07

申请号：KR1020087020955

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: A substrate is placed in a processing vessel and heated. Into the processing vessel are introduced a ruthenium pentadienyl compound gas, e.g., 2,4-dimethylpentadienylethylcyclo-pentadienylruthenium, and oxygen gas. These gases are reacted on the heated substrate to deposit a ruthenium film on the substrate. Alternatively, a substrate is placed in a processing vessel and heated. A ruthenium compound gas and a decompositing gas capable of decomposing this compound are introduced so that the flow rate of at least either of these changes periodically to form alternating steps which differ in gas composition. These gases are reacted on the heated substrate without purging the processing vessel between those steps to thereby deposit a ruthenium film on the substrate.

Abstract translation: 将基板放置在处理容器中并加热。 引入处理容器中的钌戊二烯基化合物气体，例如2,4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌和氧气。 这些气体在加热的衬底上反应，以在衬底上沉积钌膜。 或者，将基板放置在处理容器中并加热。 引入钌化合物气体和能够分解该化合物的分解气体，使得其中的至少任一种的流量周期性地变化，形成气体组成不同的交替步骤。 这些气体在加热的基板上反应而不在这些步骤之间吹扫处理容器，从而在基板上沉积钌膜。

公开(公告)号：KR1020080073336A

公开(公告)日：2008-08-08

申请号：KR1020087014405

申请日：2006-11-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아키야마고지 ,  야마자키가즈요시 ,  가와노유미코

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: On a Si substrate (1), i.e., a semiconductor substrate, a gate insulating film (2) is formed, and then a W film (3a) is formed on the gate insulating film (2) by CVD wherein a film forming gas including W(CO)6 gas is used. Then, the film is oxidized under existence of the reducing gas, and the W in the W film (3a) is not oxidized but only C is selectively oxidized to reduce the concentration of C contained in the W film (3a). Then, after performing heat treatment as needed, resist coating, patterning, etching and the like are performed, then, an impurity diffused region (10) is formed by ion implantation and the like, and a semiconductor device having a MOS structure is formed.

Abstract translation: 在Si衬底（1）即半导体衬底上形成栅极绝缘膜（2），然后通过CVD在栅极绝缘膜（2）上形成W膜（3a），其中成膜气体包括 使用W（CO）6气体。 然后，在存在还原气体的情况下，膜被氧化，并且W膜（3a）中的W不被氧化，而仅选择性地氧化C以降低W膜（3a）中所含的C的浓度。 然后，根据需要进行热处理后，进行抗蚀剂涂布，图案化，蚀刻等，然后通过离子注入等形成杂质扩散区域（10），形成具有MOS结构的半导体器件。

公开(公告)号：KR1020080039514A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020087007208

申请日：2006-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

Abstract: This invention provides a method for treating a substrate by a film forming apparatus comprising a holding table with heating means for holding a substrate to be treated and a treatment container having the holding table in its interior. The method is characterized by comprising a film formation step of feeding a film forming gas into the treatment container to form a film on the substrate, a cleaning step of feeding a cleaning gas excited by plasma into the treatment container after the film formation step to clean the inside of the treatment container, and a coating step of forming a coating within the treatment container after the cleaning step, the cleaning step comprising a high pressure step of regulating the pressure within the treatment container so that cleaning with molecules of plasma excited recombined radicals contained in the cleaning gas is dominative, the coating step comprising a low-temperature film formation step of forming the coating film at a holding table temperature below the temperature at which the film formation on the substrate in the film formation step is carried out.

Abstract translation: 本发明提供一种通过成膜装置处理基板的方法，该成膜装置包括具有用于保持待处理基板的加热装置的保持台和在其内部具有保持台的处理容器。 该方法的特征在于包括将成膜气体供给到处理容器中以在基板上形成膜的成膜步骤，在成膜步骤之后将清除气体供给到处理容器中的清洗步骤 处理容器的内部以及在清洁步骤之后在处理容器内形成涂层的涂布步骤，所述清洁步骤包括调节处理容器内的压力的高压步骤，以便用等离子体激发的重组基团的分子 包含在清洁气体中的涂布步骤是主要的，所述涂布步骤包括在保持台温度以下的低温成膜步骤，所述保持台温度低于在成膜步骤中在基材上形成膜的温度。

公开(公告)号：KR100788056B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020077019006

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 박막이 웨이퍼의 처리면에 증착되고 웨이퍼가 처리실의 외부로 분출된 후에, 클램프의 접촉 돌출부가 서섭터와 접촉하여 클램프를 가열한다. 그 후에, 박막이 증착되지 않은 웨이퍼가 반입될 때 클램프를 상승시키는 것에 의해서 웨이퍼가 서셉터상에 배치된다. 그 후에, 클램프는 웨이퍼와 접촉하게 되고 웨이퍼는 소정 온도로 안정화된다. 그 후에, 웨이퍼의 처리면에 박막이 증착된다.

公开(公告)号：KR1020070058497A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077005723

申请日：2005-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코 ,  루진크게릿제이 ,  맥필리펜튼알 ,  제미슨폴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: A method for forming a passivated metal layer that preserves the properties and morphology of an underlying metal layer during subsequent exposure to oxygen-containing ambients. The method includes providing a substrate (50, 302, 403, 510) in a process chamber (1), exposing the substrate (50, 302, 403, 510) to a process gas containing a rhenium-carbonyl precursor to deposit a rhenium metal layer (304, 408, 508) on the substrate (50, 302, 403, 510) in a chemical vapor deposition process, and forming a passivation layer (414, 590) on the rhenium metal layer (304, 408, 580) to thereby inhibit oxygen-induced growth of rhenium-containing nodules (306) on the rhenium metal surface.

Abstract translation: 用于形成钝化金属层的方法，其在随后暴露于含氧环境期间保持下面的金属层的性质和形态。 该方法包括在处理室（1）中提供衬底（50,302,403,510），将衬底（50,302,403,510）暴露于含有铼 - 羰基前体的工艺气体中以沉积铼金属 在化学气相沉积工艺中在衬底（50,302,403,510）上形成钝化层（304,408,508），以及在铼金属层（304,408,580）上形成钝化层（414,590）至 从而抑制铼金属表面上含铼结核（306）的氧诱导生长。

公开(公告)号：KR100691758B1

公开(公告)日：2007-03-12

申请号：KR1020057024820

申请日：2002-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기내에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)상에 공급된다. 층간 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화된 산소 기체에 노출된다. 그 후, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020070026378A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020067015601

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  와즈다코리 ,  모스카엔리코 ,  루싱크거트 ,  멕펠리펜톤알 ,  가와노유미코 ,  말호트라산드라지

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/16

Abstract: A method for processing a substrate (25, 620, 720) on a ceramic substrate heater (20, 600, 700) in a process chamber (10). The method includes forming a protective coating (730, 790) on the ceramic substrate heater (20, 600, 700) in the process chamber (10) and processing a substrate (25, 620, 720) on the coated substrate heater. The processing can include providing a substrate (25, 620, 720) to be processed on the coated ceramic substrate heater, performing a process on the substrate (25, 620, 720) by exposing the substrate (25, 620, 720) to a process gas, and removing the processed substrate from the process chamber (10). ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种用于在处理室（10）中的陶瓷衬底加热器（20,600,700）上处理衬底（25,620,720）的方法。 该方法包括在处理室（10）中的陶瓷衬底加热器（20,600,700）上形成保护涂层（730,790）并且处理涂覆的衬底加热器上的衬底（25,620,720）。 该处理可以包括提供在被涂覆的陶瓷基板加热器上待处理的基板（25,620,720），通过将基板（25,620,720）暴露于基板（25,620,720）到基板 处理气体，以及从所述处理室（10）去除所述经处理的基板。 ®KIPO＆WIPO 2007