公开(公告)号：KR101068014B1

公开(公告)日：2011-09-26

申请号：KR1020090011592

申请日：2009-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마소이치로 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 부식성이 높은 처리 가스의 사용을 억제할 수 있는 동시에, 원하는 형상의 패턴을 정밀도 높게 형성할 수 있는 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 컴퓨터 기억 매체를 제공한다. 피처리 기판상에 형성된 폴리 실리콘층(104)을, 소정 형상으로 패터닝된 포토 레지스트층(102)을 마스크층으로 해서 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭할 때에, 적어도 CF
3 I 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하고, 플라즈마중의 이온을 피처리 기판에 가속하는 셀프 바이어스 전압 Vdc가 200V 이하가 되도록, 피처리 기판을 탑재하는 하부 전극에 고주파 전력을 인가한다.

公开(公告)号：KR1020110025142A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020100085685

申请日：2010-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  하나오카히데토시 ,  히라노타이치 ,  미무라타카노리 ,  이와타마나부 ,  오카죠타케토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A chamber cleaning method is provided to efficiently remove deposits attached to the outer surface of an electrostatic chuck by selectively radiating plasma generated from mixed gas to the outer surface of the electrostatic chuck. CONSTITUTION: Mixed gas of O2 gas and F containing gas is supplied to an outer surface(24a) of an ESC(24) with 400 to 800 mTorr. Plasma generated from the mixed gas is selectively radiated to the outer surface of the ESC. O2 gas is supplied to the upper surface except for the outer surface of the ESC as masking gas. A shoulder deposit(50) is decomposed and removed from the outer surface while preventing the upper surface except for the outer surface of the ESC from being exposed to F radical.

Abstract translation: 目的：提供一种室内清洁方法，通过从静电卡盘的外表面选择性地辐射从混合气体产生的等离子体，有效地除去附着在静电吸盘外表面的沉积物。 构成：将含有O 2气体和F气体的混合气体供给到具有400至800mTorr的ESC（24）的外表面（24a）。 从混合气体产生的等离子体选择性地辐射到ESC的外表面。 向作为掩蔽气体的ESC的外表面以外的上表面供给氧气。 肩部沉积物（50）从外表面分解除去，同时防止ESC的外表面以外的上表面暴露于F基团。

公开(公告)号：KR1020090087426A

公开(公告)日：2009-08-17

申请号：KR1020090011592

申请日：2009-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마소이치로 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: A plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium are provided to suppress the use of the process gas of high corrosive by plasma etching of the silicon layer. The photoresist layer(102) patterned to the pattern of the space and predetermined line is formed on the surface of the silicon substrate(101). The anti-reflective coating layer(103), the polysilicon layer(104), and the TEOS layer(105) are formed at the lower layer of the silicon substrate. The electrostatic chuck is interposed between electrodes and. The electrodes are connected to the DC power supply. The coolant flow is formed inside the support stand. The refrigerant entrance piping, and the coolant outlet piping are connected in the coolant flow. The electrostatic chuck for the semiconductor wafer is prepared at the upper side of the main chuck.

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法，等离子体蚀刻装置和计算机可读存储介质，以通过等离子体蚀刻硅层来抑制高腐蚀性的工艺气体的使用。 在硅衬底（101）的表面上形成图案化为空间和预定线的图案的光致抗蚀剂层（102）。 在硅衬底的下层形成有抗反射涂层（103），多晶硅层（104）和TEOS层（105）。 静电卡盘夹在电极之间。 电极连接到直流电源。 冷却剂流动形成在支撑架内部。 制冷剂入口管道和冷却剂出口管道连接在冷却剂流中。 用于半导体晶片的静电卡盘在主卡盘的上侧准备。

公开(公告)号：KR1020090087423A

公开(公告)日：2009-08-17

申请号：KR1020090011185

申请日：2009-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마소이치로 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: A plasma etching method and computer-readable storage medium are provided to form the desired pattern of high precision by suppressing the generation of striation. The mounting platform(2) supporting the semiconductor wafer(W) is prepared within the process chamber(1). The mounting platform is made of aluminum and supports the support stand(4) of conductor. The focus ring(5) is prepared in the outer periphery of the upside of the main chuck. The inner wall member(3a) of cylindrical shape surrounds the surrounding of the support stand and main chuck. The mounting platform is connected to the first RF power(10a) through the first adapter(11a) and is connected to the second RF power(10b) to the second adapter(11b).

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质以通过抑制条纹的产生来形成高精度的期望图案。 在处理室（1）内制备支撑半导体晶片（W）的安装平台（2）。 安装平台由铝制成，并支撑导体的支撑架（4）。 在主卡盘的上侧的外周准备聚焦环（5）。 圆筒形的内壁构件（3a）围绕支架和主卡盘的周围。 安装平台通过第一适配器（11a）连接到第一RF电源（10a），并且连接到第二RF电源（10b）到第二适配器（11b）。

公开(公告)号：KR100891754B1

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：KR1020070010312

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 처리실 내 부품의 표면에 있어서의 산화막의 형성을 방지할 수 있는 기판 처리실의 세정 방법을 제공한다.
본 발명에서는, 상부 전극판(38)의 표면에 반응 생성물이 부착된 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 웨이퍼 W를 기판 처리실(11)로부터 반출한 후, 처리 공간 S에 산소 가스를 도입하고, 처리 공간 S의 압력을 26.7㎩~80.0㎩로 설정하며, 전극판 표면-공간 전위차를 0eV로 설정하고, 40㎒의 고주파 전력의 크기를 500W 이하로 설정하며, 40㎒ 고주파 전력에 의해 플라즈마를 생성하여 드라이 클리닝 처리를 실행하고, 또한, 처리 공간 S에 4불화탄소 가스를 도입하고, 40㎒ 및 2㎒의 고주파 전력에 의해 플라즈마를 생성하여 산화물 제거 처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR100889433B1

公开(公告)日：2009-03-23

申请号：KR1020070028048

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 RF 전극과, 처리 공간에 DC 전압을 공급하는 DC 전극과, 처리 공간에 노출되는 접지 전극을 갖는다. 접지 전극 및 RF 전극은 절연부를 그 사이에 두고 인접하고, 접지 전극과 RF 전극 사이의 거리는 0 내지 10㎜의 범위 내로 설정된다.

公开(公告)号：KR1020070095806A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020070027578

申请日：2007-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to properly remove polymer from a second electrode by determining the value of a DC voltage applied to the second voltage according to the quantity of attachment attached to an exposure part. A substrate processing chamber(11) has a process space into which a substrate is loaded wherein a plasma treatment is performed on the substrate in the process space. A first electrode is disposed in the substrate processing chamber, connected to an RF power source(20,46). A second electrode has an exposure part exposed to the process space, electrically insulated from the substrate processing chamber and the first electrode. The second electrode is connected to a DC power source(49). A control part(52) can control the value of the DC voltage applied to the second electrode. The control part can determine the value of the applied DC voltage according to the quantity of the attachment attached to the exposure part.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，通过根据附着于曝光部分的附着量确定施加到第二电压的直流电压的值，从第二电极适当地去除聚合物。 衬底处理室（11）具有加工衬底的工艺空间，其中对工艺空间中的衬底进行等离子体处理。 第一电极设置在衬底处理室中，连接到RF电源（20,46）。 第二电极具有暴露于处理空间的曝光部分，与基板处理室和第一电极电绝缘。 第二电极连接到直流电源（49）。 控制部分（52）可以控制施加到第二电极的直流电压的值。 控制部可以根据附着于曝光部的附件的数量来确定所施加的直流电压的值。