公开(公告)号：KR2019980005294U

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR2019960016778

申请日：1996-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이충재 ,  박순종 ,  윤종순 ,  박영호

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1019970030272A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950040864

申请日：1995-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영호 ,  윤여철

IPC: H01L21/203

Abstract: 본 발명은 웨이퍼상 금속막을 증착시키는 스퍼터링장치와 그의 작동방법에 관한 것으로서, 그 장치의 구성은 구진공상태의 스태퍼링 챔버(10)내에 양이온 발생용 가스를 포함한 상태에서 전압을 제공하여 플라즈마를 형성하고, 이 플라즈마에 의해서 상기 가스는 양이온으로 대전되며, 타게트홀더(11)에 의해서 지지되는 금속막 증착물질인 타게트(12)에 음의 전압을 제공하여 상기 대전된 가스입자가 상기 타게트(12)에 충돌되고, 이 충돌에 의해서 상기 타게트에서 튀어 나오는 방향성이 있는 금속원자중 직전성이 있는 원자만이 콜리메이터(14)에 통과되어 웨이퍼상에 금속막을 형성하고 그리고 그러하지 않는 원자는 상기 콜리메이터에 부착되는 구성을 갖고, 그리고 상기 금속막형성을 복수회 실행한 후 상기 콜리메이터(14)에 음의 전압을 제공하여 상 콜리메이터(14)와 상기 타케트(12)사이에 형성된 플라즈마에 의해서 상기 아르곤이온이 상기 콜리메이터(14)에 총돌되도록 하는 구성을 부가한다. 상술한 스퍼터링장치의 작동방법에 의하면, 콜리메이터에 부착된 증착물질이 주기적으로 제거할 수 있어서, 콜리메이션증착법을 계속해서 사용하여도 콜리메이터에 대한 증착물질의 부착율이 거의 변화되지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 작동방법이 적용된 스퍼터링장치는 양호한 금속막증착을 위하여 증착시간을 증가시킬 필요가 없을 뿐만아니라 이에 따라 전령증가를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 작동방법이 적용된 스퍼터링장치에 있어서 콜메이터의 수명을 연장시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970018354A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031810

申请日：1995-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영호 ,  윤여철

IPC: H01L21/74

公开(公告)号：KR1019960032600A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：KR1019950003897

申请日：1995-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두환 ,  조영주 ,  박영호 ,  황용운

IPC: H01L21/768

Abstract: 다층금속막 배선구조에서, 비아(via) 콘택의 신뢰성 향상을 위한 다층금속막 제작방법 및 rf 스퍼터 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 다층금속막 배선구조의 제작방법에서, 비아 콘택 형성후 비아 콘택 내의 제1금속막 위에 제2금속막을 증착하기 전에 제1금속막 위에 생성된 자연산화막을 식각하는 방법에 있어서, rf 스퍼터 장치의 전극 사이에 콜러메이터를 설치하여 삭각공정을 실시하는 rf 스퍼터 장치의 챔버에서 플라즈마 이온들중 상란된 이온들을 줄여서 상기 제1금속막의 표면에 수직한 방향으로 진행하는 이온들만이 반도체 기판의 표면에 도달할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 제작방법을 제공한다. 따라서, 상기 자연산화막 식각공정시 비아 콘택 내의 제1금속막 위에 형성되는 산화막의 생성을 막을 수 있어, 비아 콘택의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019920013033A

公开(公告)日：1992-07-28

申请号：KR1019900021686

申请日：1990-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤명식 ,  박영호 ,  유재문 ,  한승교

IPC: G03F7/26

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR101768122B1

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020110000548

申请日：2011-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 안태진 ,  안소연 ,  원성호 ,  김수현 ,  박태성 ,  이성영 ,  이승연 ,  연보라 ,  박영호

IPC: C12Q1/68 ,  G06F17/00 ,  G06F19/00

CPC classification number: G06F19/22

Abstract: 프로브맵을이용한유전자서열복원방법은표적서열에프로브가혼성화된결과에기초하여프로브를정렬하고, 정렬된위치들각각에대한대표값을결정하고, 결정된대표값과프로브의염기서열정보가매핑된프로브맵을이용하여표적서열의염기서열을복원한다.

公开(公告)号：KR1020170070922A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：KR1020150178371

申请日：2015-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영호

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16

CPC classification number: G06F11/1044 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0679 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349

Abstract: 본발명에따른불휘발성메모리시스템의동작방법은복수의메모리블록들중 소스블록을선택하는단계, 적어도하나의기준전압을사용하여상기선택된소스블록에대한셀-카운팅을수행하는단계, 및상기셀-카운팅결과를기반으로상기소스블록에대한리클레임동작을수행하는단계를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的操作非易失性存储器系统的方法包括以下步骤：选择多个存储器块的源块，使用至少一个参考电压对所选择的源块执行单元计数， 并根据计数结果对源块执行回收操作。

公开(公告)号：KR1020060003262A

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020040052080

申请日：2004-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임종길 ,  박영호 ,  채희선 ,  신동화 ,  오경환 ,  채승기

IPC: G03F7/16

Abstract: 본 발명은 이동 가능한 포토레지스트 디스펜스 시스템에 관한 것으로, 이동 수단이 장착되어 이동 가능한 바디와; 상기 바디에 내장되어, 외부로 포토레지스트를 외부로 토출시키는 디스펜스부와; 상기 바디에 내장되어, 상기 디스펜스부에 의해 외부로 토출되는 포토레지스트의 온도를 조절하는 온도 제어부와; 상기 바디에 내장되어, 상기 디스펜스부와 상기 온도 제어부의 동작을 제어하고, 포토 공정 설비와는 포토레지스트 디스펜스에 관련된 신호를 주고 받는 컨트롤러부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 반도체 포토 공정중 포토레지스트 코팅 및 현상을 진행하는 스피너 설비에서 포토레지스트를 웨이퍼 상에 코팅하기 위해 분사하는 장치를 이동이 용이한 별도의 포토레지스트 디스펜스 시스템으로 대체할 수 있다. 따라서, 포토레지스트를 장착하고 준비하는 사전과정중 메인 설비를 사용하지 못하는 손실을 방지할 수 있어 반도체 소자의 생산량을 향상시킬 수 있게 되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050051906A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085579

申请日：2003-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임종길 ,  박영호 ,  오경환 ,  신동화

IPC: H01L21/027

Abstract: 회전척에 배치된 웨이퍼는 이송부에 의하여 수평방향으로 이동된다. 웨이퍼의 제2 주변부는 제2 광원으로부터 발생되는 제2 광을 점차적으로 많이 간섭한다. 웨이퍼에 의하여 간섭되는 제2 광은 검출부에 검출된다. 검출부는 검출된 제2 광을 전기적 신호를 변환하여 제어부에 제공한다. 제어부는 전기적 신호를 이용하여 웨이퍼의 위치를 계산한다. 제어부는 계산된 위치 데이터와 기 설정된 위치 데이터를 실시간으로 비교하여 이송부를 제어함으로써 웨이퍼의 위치를 보정한다. 이후, 제1 광원로부터 웨이퍼의 제1 주변부로 제1 광이 조사된다. 제어부는 회전되는 웨이퍼에 대해서도 실시간으로 위치를 계산한다. 제어부는 계산된 웨이퍼의 위치 데이터 따라 이송부를 제어하여 웨이퍼의 위치를 보정한다. 웨이퍼에 의한 제2 광의 간섭을 계산하여 웨이퍼 위치를 산출하고, 이에 따라 웨이퍼의 위치를 보정함으로써 웨이퍼 주변부를 균일한 폭으로 노광할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050022990A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：KR1020030059991

申请日：2003-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임종길 ,  신동화 ,  박영호 ,  이명근 ,  오경환

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An apparatus for exposing a wafer edge is provided to simplify exposing processes and to improve the reliability of exposure by checking easily the width of an exposed portion of the wafer edge using a CCD(Charge Coupled Device) and an arithmetic unit. CONSTITUTION: An apparatus(1) for exposing a wafer edge includes a wafer chuck(11) for loading a wafer(W), a light source(13) over the chuck, an optical fiber(15) for guiding a beam of the light source to an edge of the wafer, a CCD and an arithmetic unit. The CCD(17) is used for recognizing an image of the exposed width of the wafer edge by using the beam reflected from the wafer edge. The arithmetic unit(19) is used for calculating the value of the exposed width based on data of the CCD.

Abstract translation: 目的：提供一种用于暴露晶片边缘的设备，以简化曝光过程并通过使用CCD（电荷耦合器件）和运算单元容易地检查晶片边缘的暴露部分的宽度来提高曝光的可靠性。 构成：用于曝光晶片边缘的装置（1）包括用于将晶片（W）加载的晶片卡盘（11），卡盘上方的光源（13），用于引导光束的光纤（15） 源到晶片的边缘，CCD和算术单元。 CCD（17）用于通过使用从晶片边缘反射的光束来识别晶片边缘的曝光宽度的图像。 算术单元（19）用于基于CCD的数据计算曝光宽度的值。