-
公开(公告)号：KR1020170068372A
公开(公告)日：2017-06-19
申请号：KR1020160104492
申请日：2016-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 메타소자를제공한다. 본메타소자는이격배치되어있으면서입사된광 중적어도일부를반사시키는복수개의메타구조및 이격배치된복수개의전극을포함하고, 상기복수개의전극에인가되는전압에의해반사되는광의위상변이를제어하는제어부을포함한다.
Abstract translation: 它提供了一个meta元素。 所述元元件，其包括多个元结构的和分开布置用于反射一部分即使假定光普遍入射间隔开，并且控制由施加到所述多个电极的电压反射的光学相移的多个电极 和一个控制单元。
-
公开(公告)号：KR1020170036508A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150135767
申请日：2015-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03H1/04 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B6/005 , G02B6/00 , G02B6/0055 , G02B6/0066 , G02B27/01
Abstract: 홀로그래픽디스플레이용백 라이트유닛(BLU)에관해개시되어있다. 개시된홀로그래픽디스플레이용 BLU는도파관에부착된제1 회절격자와, 상기제1 회절격자에광을공급하는제2 회절격자와, 상기제2 회절격자에광을공급하는광원과, 상기도파관후방으로방출되는광을상기제1 회절격자를향해반사시키는광 반사수단을포함한다. 상기도파관의전방에렌즈가더 구비될수 있다. 상기광 반사수단은상기도파관의뒷면에평행하게배치될수 있다. 상기광 반사수단은상기도파관과경사지게배치될수 있다. 상기광 반사수단은미러또는프리즘어레이일수 있다.
Abstract translation: 揭示用于全息显示的背光单元（BLU）。 通过第二衍射光栅，和一个光源所公开的，波导回光提供到所述第二光栅，用于向第一衍射光栅提供光，并且所述第一衍射光栅单独，用于图形显示的BLU附着到波导 以及用于将发射的光朝第一衍射光栅反射的光反射装置。 可以在波导前面进一步提供透镜。 光反射装置可以平行于波导的后表面设置。 光反射装置可以倾斜于波导布置。 光反射装置可以是镜子或棱镜阵列。
-
公开(公告)号：KR101672343B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020090122539
申请日：2009-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/0386
Abstract: 광민감성투명산화물트랜지스터를이용한광터치패널및 그구동방법을개시한다. 개시된광터치패널은디스플레이장치의화소내에일체로배열된다수의광센싱영역및 그구동회로를구비할수 있다. 또는, 개시된광터치패널은디스플레이장치의화소와별도로제작되어, 디스플레이장치의표면에부착될수도있다. 개시된광터치패널에따르면, 광민감성투명산화물트랜지스터로광센싱영역을구성함으로써, 레이저등과같은간단한광원장치를이용하여대형디스플레이장치를손쉽게제어할수 있다.
Abstract translation: 光学触摸面板可以包括多个感光区域。 多个感光区域可以与显示面板中的像素一体地形成，或者可以形成在显示面板上，以便感测来自光学触摸面板外部的入射光。 驱动光学触摸面板的方法可以包括在两个时间点之间感测多个光感测区域的输出的变化，并且当输出的变化大于或等于第一时间点时确定存在光学输入 提前定义的参考值。 光感测区域可以与显示面板中的像素一体地形成或形成在显示面板的表面上，用于感测来自光学触摸面板外部的入射光。
-
公开(公告)号：KR101632315B1
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020100012032
申请日：2010-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02B27/22
Abstract: 능동렌즈및 이를채용한입체영상디스플레이장치가개시된다. 개시된능동렌즈는제1 나노전극부가형성된제1기판; 상기제1 나노전극부와마주하는제2 나노전극부가형성된제2기판; 상기제1기판과상기제2기판사이에마련된액정층;을포함하며, 상기제1 및제2 나노전극부에인가되는전압에의해형성된전기장에따라상기액정층을이루는액정분자들이정렬되어굴절력을형성한다.
-
公开(公告)号：KR101603775B1
公开(公告)日：2016-03-18
申请号：KR1020090033846
申请日：2009-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 채널층및 그를포함하는트랜지스터에관해개시되어있다. 개시된채널층은다층구조일수 있다. 상기채널층을구성하는층들은이동도(mobility) 및/또는캐리어밀도(carrier density)가서로다를수 있다. 상기채널층은하부층과상부층으로갖는이중층구조일수 있고, 상기하부층과상부층은서로다른산화물층일수 있다. 상기하부층및 상부층의물질및 두께등에따라트랜지스터의특성이제어될수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160017490A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140101102
申请日：2014-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01T1/24 , H01L27/14612 , H01L27/14676 , H01L27/14692 , H01L31/0272 , H01L31/032
Abstract: 엑스선검출기가개시된다. 개시된엑스선검출기는박막트랜지스터부및 캐패시터부를포함할수 있으며, 캐패시터부는다중스토리지캐패시터를포함하는구조로형성될수 있다. 상부전극을통하여광전자물질층에조사된엑스선에의해전자-홀쌍이생성될수 있으며, 생성된전자를다중스토리지캐패시터에저장할수 있다. 공통전극과스토리지전극및 공통전극과집전전극사이에각각스토리지캐패시터를형성할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种X射线检测器。 X射线检测器可以包括：薄膜晶体管（TFT）单元; 和电容器单元。 电容器单元可以形成为具有多存储电容器的结构。 可以通过通过上电极照射到光电导材料层的X射线产生电子 - 空穴对，并且所产生的电子可以存储在多存储电容器中。 可以在公共电极和存储电极之间以及公共电极和收集电极之间分别形成存储电容器。
-
公开(公告)号：KR1020150093090A
公开(公告)日：2015-08-17
申请号：KR1020140056983
申请日：2014-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/14
Abstract: 다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치는 정보를 표시하기 위한 제 1 디스플레이; 및 상기 제 1 디스플레이에 대한 위치 변경이 가능한 제 2 디스플레이를 포함하고, 상기 제 2 디스플레이는 상기 정보의 적어도 일부 정보에 대한 가시 상태(visibility)의 조절이 가능한 투명 디스플레이 영역을 포함할 수 있다. 다른 실시예들이 가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，电子设备包括：用于显示信息的第一显示器; 以及可以改变相对于第一显示器的位置的第二显示器。 第二显示器可以包括能够调整至少部分信息的可视性的透明显示区域。 也可以实现本发明的其它实施例。
-
公开(公告)号：KR101513601B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020080021567
申请日：2008-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , G02F1/136
Abstract: 트랜지스터에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 트랜지스터는 채널층, 상기 채널층의 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인, 상기 채널층과 이격된 게이트전극, 상기 채널층과 상기 게이트전극 사이에 구비된 게이트절연층, 및 상기 채널층과 상기 게이트절연층 사이에 구비된 것으로 상기 채널층과 일함수가 다른 삽입층을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR101413658B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020090038461
申请日：2009-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101413657B1
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020080119942
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件可以是包括p型氧化物薄膜晶体管和n型氧化物薄膜晶体管的互补装置。 例如，所公开的半导体器件可以是诸如反相器，NAND器件，NOR器件等的逻辑器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
178
records
(took 0.066 seconds)
