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公开(公告)号：KR101804254B1
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020110134949
申请日：2011-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 능동무선전력장치는무선통신장치예를들어, 무선센서장치나무선센서태그등에소정시간동안발사되는빛이나레이저또는소정주파수의무선신호를수신하고, 수신되는신호를충전하여소정레벨의전압신호를생성한다. 생성된전압신호는무선전력장치의바이어스전원과더불어무선통신장치를동작모드로전환시킨다.
Abstract translation: 有源无线电力设备从无线通信设备（例如，无线传感器设备或无线传感器标签）接收发射预定时间的预定频率的光，激光或无线电信号，对接收到的信号进行充电， 它产生。 所产生的电压信号与无线电力设备的偏压电源一起使无线通信设备进入工作模式。
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公开(公告)号：KR1020140075976A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120143856
申请日：2012-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04W12/06 , H04L63/0853 , H04W12/08 , Y02D70/144 , Y02D70/162 , Y02D70/166
Abstract: Disclosed are a terminal and an operation controlling method thereof. The terminal receives the information of a tag device from the tag device and performs an authentication process. If the tag device is a registered tag device in the authentication process, the terminal receives start data corresponding to a terminal control function from the tag device, while in a power saving mode or a locking mode, and performs a function corresponding to the start data.
Abstract translation: 公开了一种终端及其操作控制方法。 终端从标签装置接收标签装置的信息，进行认证处理。 如果标签装置是认证处理中的注册标签装置，则在省电模式或锁定模式下，终端从标签装置接收对应于终端控制功能的开始数据，并且执行与开始数据相对应的功能 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130119793A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020120042874
申请日：2012-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 강진영
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C14/00 , G11C16/02 , H01L27/115 , H01L27/11502
Abstract: In an EEPROM cell, it is performed to record or delete data of the EEPROM cell with a charging voltage stored in a memory capacitor after charging the memory capacitor in a relatively shorter time than the time required to record or delete the data of the EEPROM cell by adding the memory capacitor between a control plate and a tunneling plate. By using the EEPROM cell, recording or deleting the data of the EEPROM cell is processed in a short time, thereby improving overall productivity of the EEPROM. [Reference numerals] (AA) Word line;(BB) Bit line
Abstract translation: 在EEPROM单元中，执行以在记录或删除EEPROM单元的数据所需的时间相对更短的时间内，在存储电容器中存储的存储电容器中的充电电压之后，记录或删除EEPROM单元的数据 通过在控制板和隧道板之间加入存储电容器。 通过使用EEPROM单元，可以在短时间内对EEPROM单元的数据进行记录或删除，从而提高EEPROM的整体生产率。 （标号）（AA）字线;（BB）位线
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公开(公告)号：KR101087141B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020080131603
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/687
Abstract: 본 발명은 디척킹 능력을 증강시키고 디척킹 불량의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 디척킹 방법은, 정전압의 척킹 전압에 의해 정전척 상에 유지된 기판에 대한 플라즈마 처리 완료후, 플라즈마 발생을 중단시키고, 상기 정전척에 제1 역전압을 인가하는 단계; 상기 정전척에의 상기 제1 역전압 인가를 중단시키는 중간 턴오프 단계; 상기 중간 턴오프 단계 후, 상기 정전척에 상기 제1 역전압보다 작은 크기의 제2 역전압을 인가하는 단계; 및 상기 정전척에의 상기 제2 역전압 인가를 중단시키고 상기 기판을 접지시키는 접지 단계;를 포함한다.
플라즈마 식각, 디척킹, 리프트 핀-
公开(公告)号：KR101087139B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020080129602
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 버퍼 영역과 필라 간의 오정렬을 막을 수 있고 공정수를 줄일 수 있는 수퍼 접합형 TDMOS 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 TDMOS 소자 제조 방법은, 제1 도전형 기판상에 제1 도전형 층을 형성한 후 상기 제1 도전형 층을 관통하는 복수의 트렌치와 복수의 제1 도전형 필라를 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 필라의 측면에 산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 필라의 상면으로 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 제1 도전형 필라의 상부를 도핑하는 단계; 및 상기 제1 도전형 필라 측면의 산화막을 제거한 후 상기 트렌치를 매립하고 상기 제1 도전형 필라의 상면을 덮도록 제2 도전형 층을 형성함으로써, 상기 도핑된 제1 도전형 필라 상부로부터 불순물 확산에 의해 제1 도전형 버퍼 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
TDMOS, VDMOS, 트렌치 게이트 DMOS, 수퍼 접합, super junction-
公开(公告)号：KR1020100065766A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020080124277
申请日：2008-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing an organic thin-film transistor by self alignment is provided to improve device performance and production yield by preventing the misalignment between a gate and a source-drain electrode. CONSTITUTION: A sensitive film and a photo-bleaching film are laminated on a gate insulating layer. The sensitive film(104a) at a field region is selectively exposed through an exposure process. The photo-bleaching film(105) is removed, and the sensitive film on the gate electrode and the sensitized filed region has inverse pattern. And then, the exposure process over the whole region is performed, and the sensitive film of the source and drain region which has no inverse pattern is sensitized.
Abstract translation: 目的：提供通过自对准制造有机薄膜晶体管的方法，以通过防止栅极和源极 - 漏极之间的不对准来提高器件性能和生产率。 构成：在栅绝缘层上层压感光膜和光漂白膜。 场区域的敏感膜（104a）通过曝光工艺选择性曝光。 去除光漂白膜（105），栅极电极和敏化区域上的敏感膜具有反向图案。 然后，进行整个区域的曝光处理，并且没有反向图案的源极和漏极区域的敏感膜被致敏。
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公开(公告)号：KR1020100063577A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122151
申请日：2008-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B24B37/00 , B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing apparatus is provided to improve flatness and uniformity of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process by smoothly letting abrasive into the center of a workpiece. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing apparatus(1) comprises a movable device frame(10), a workpiece polishing unit(30), and workpiece holder unit(50). The movable device frame is movably installed in an equipment base(10a). The workpiece polishing unit is rotatably installed between the device frames to grind the workpiece. The workpiece holder unit is installed on the lower part of the workpiece polishing unit. The workpiece is mounted on the workpiece holder unit.
Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光装置，通过平滑地将研磨剂放入工件的中心来提高CMP（化学机械抛光）工艺的平整度和均匀性。 构成：化学机械抛光装置（1）包括可移动装置框架（10），工件抛光单元（30）和工件保持单元（50）。 可移动装置框架可移动地安装在设备基座（10a）中。 工件抛光单元可旋转地安装在装置框架之间以研磨工件。 工件保持单元安装在工件抛光单元的下部。 工件安装在工件支架单元上。
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