公开(公告)号：KR101315473B1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：KR1020090120621

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 구재본 ,  안종현 ,  강승열 ,  무사라트 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 향상시키는 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판에 제 1 방향으로 연장된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 채널 영역을 형성하고, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 트렌치들을 형성하여, 상기 트렌치들사이의 활성 층을 정의하고, 상기 트렌치들 내부의 상기 제 1 기판을 비등방성 식각공정으로 식각하여 상기 트렌치들 사이의 상기 활성 층을 상기 제 1 기판으로부터 분리하고, 상기 활성 층을 제 2 기판 상에 접합하고, 상기 활성 층의 상기 채널 영역 상에 게이트 전극을 상기 제 1 방향으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible), 식각(etching)

公开(公告)号：KR101295888B1

公开(公告)日：2013-08-12

申请号：KR1020100043570

申请日：2010-05-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  유인규 ,  구재본 ,  정순원 ,  김강대 ,  노용영

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

Abstract: 본 발명은 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 장치에서는 전자채널층이 스웰링 공정 및 열처리 공정에 의해 형성되므로, 전자채널층 안에 전도성 나노 입자의 분포가 균일하게 형성된다. 이로써 신뢰성이 향상된 저항형 메모리 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이 방법에서는 프린팅 공정, 스웰링 공정 및 열처리 공정으로 전자채널층을 형성하므로, 제조 시간을 단축시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130039799A

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：KR1020110104377

申请日：2011-10-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  유인규 ,  구재본 ,  정순원

IPC: H01B3/22 ,  H01B13/06 ,  H01B19/00

CPC classification number: H01B3/307 ,  H01B13/14 ,  H01B13/141

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a cable is provided to evaporate a dielectric film to a first electrode, and to effectively form the dielectric film on a cable by not needing plasma or vacuum condition. CONSTITUTION: A cable comprises: a first electrode(100); a second electrode(120) which is arranged apart from the first electrode; and a dielectric film(110) which is arranged between the first and second electrodes, and has a xylene monomer. A manufacturing method of the cable comprises: a step of arranging the first electrode; a step of decomposing a xylene dimer, and providing the obtained monomers to the surface of the first electrode; a step of forming the dielectric film by forming a polymer using the xylene monomers on the surface of the first electrode; and a step of forming the second electrode on the surface of the dielectric film.

Abstract translation: 目的：提供电缆的制造方法以将电介质膜蒸发到第一电极，并且通过不需要等离子体或真空条件在电缆上有效地形成电介质膜。 构成：电缆包括：第一电极（100）; 与第一电极隔开布置的第二电极（120）; 和布置在第一和第二电极之间并具有二甲苯单体的电介质膜（110）。 电缆的制造方法包括：布置第一电极的步骤; 分解二甲苯二聚物的步骤，并将获得的单体提供到第一电极的表面; 通过在第一电极的表面上使用二甲苯单体形成聚合物来形成电介质膜的步骤; 以及在所述电介质膜的表面上形成所述第二电极的步骤。

公开(公告)号：KR101202734B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020090023364

申请日：2009-03-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안성덕 ,  유인규 ,  오지영 ,  김철암 ,  구재본 ,  이상석 ,  서경수 ,  조경익

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/046 ,  G06F3/01

Abstract: 본 발명은 터치 스크린 및 그 동작 방법을 제공한다. 이 터치 스크린은 물체의 접근 또는 접촉을 감지하는 감지부, 감지부의 신호를 입력받아 피드백 신호를 출력하는 제어부, 및 제어부의 피드백 신호를 입력받아 접촉된 위치에 자기력을 이용하여 촉각 피드백을 주는 촉각 피드백부를 포함하되, 촉각 피드백은 자기 쌍극자(magnetic dipole)의 자기력을 이용한다.
자기 쌍극자, 자기력, 터치 스크린, 피드백, 촉각

公开(公告)号：KR1020120055754A

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：KR1020100116324

申请日：2010-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구재본 ,  김민석 ,  김태엽 ,  유인규

IPC: B41F17/00 ,  B41C1/02 ,  B41F27/00

CPC classification number: B41N1/06 ,  G03F7/40

Abstract: PURPOSE: A cliche and a manufacturing device for the same are provided to form an ink absorption layer on a substrate exposed from photo resist patterns and the ink absorption layer and photo-resist patterns have a minute line width and a high step difference. CONSTITUTION: A cliche and a manufacturing device for the same are as follows. A substrate(10) is provided. Organic patterns are formed on the substrate. An ink absorption layer(30) is formed on the substrate which is exposed to the organic patterns or on the organic patterns. The organic patterns comprise a negative photo resist. The ink absorption layer comprises one or more metal layers.

Abstract translation: 目的：提供一种陈列纸及其制造装置，以在从抗蚀剂图案曝光的基板上形成墨吸收层，并且墨吸收层和光致抗蚀剂图案具有微小的线宽和高的台阶差。 规定：相同的陈词滥调和制造装置如下。 提供基板（10）。 在基板上形成有机图案。 在暴露于有机图案或有机图案的基板上形成墨吸收层（30）。 有机图案包括负光致抗蚀剂。 油墨吸收层包括一个或多个金属层。

公开(公告)号：KR100975913B1

公开(公告)日：2010-08-13

申请号：KR1020080107801

申请日：2008-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  광주과학기술원

Inventor： 노용영 ,  구재본 ,  유인규 ,  백강준 ,  김동유

IPC: C08L33/00 ,  C08K5/16 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0558 ,  C08F8/30 ,  C08F2810/20 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30 ,  C08F220/14

Abstract: 안트라세닐 그룹을 포함하는 물질 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터용 조성물(Composition for Manufacturing Organic Thin Film Transistor), 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 개시된다.
안트라세닐, 말레이미드, 유기 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 가교반응

公开(公告)号：KR1020100066285A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090027376

申请日：2009-03-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노용영 ,  강석주 ,  구재본 ,  유인규 ,  백강준

IPC: H01L29/786 ,  B32B27/28

CPC classification number: H01L51/052 ,  B32B27/28 ,  H01L51/0512

Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming a polymer insulating film with different material properties due to a one-time spin coating. CONSTITUTION: An organic insulating film(40) is formed on a substrate(10). A gate electrode(50) is formed near the organic insulating film. An active layer is symmetrical with the gate electrode while interposing the organic insulting film. A source/drain electrode(20) is located on both sides of the gate electrode. The organic insulating film comprises a diblock copolymer which forms a lamella structure.

Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过由于一次旋涂形成具有不同材料性质的聚合物绝缘膜来简化工艺。 构成：在基板（10）上形成有机绝缘膜（40）。 在有机绝缘膜附近形成栅电极（50）。 有源层与介电栅极对称，同时插入有机绝缘膜。 源极/漏极（20）位于栅电极的两侧。 有机绝缘膜包括形成薄片结构的二嵌段共聚物。

公开(公告)号：KR1020100066268A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090023364

申请日：2009-03-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안성덕 ,  유인규 ,  오지영 ,  김철암 ,  구재본 ,  이상석 ,  서경수 ,  조경익

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/046 ,  G06F3/01

CPC classification number: G06F3/0416 ,  G06F3/016

Abstract: PURPOSE: A touch screen and an operating method of the same are provided to locally provide pressure, a repulsive force, and vibrations when a user contacts the touch screen in a contract feedback unit using a magnetic force. CONSTITUTION: A sensing unit(150) senses the access or contact of an object. A control unit receives a signal from the sensing unit. The control unit outputs a feedback signal. A tactile feedback unit receives the feedback signal of the control unit. The tactile feedback unit applies tactile feedback using a magnetic force in a contacted position. A magnetic force of a magnetic dipole is used in the tactile feedback. The tactile feedback comprises a first magnetic unit(142) and a second magnetic unit(144).

Abstract translation: 目的：提供触摸屏及其操作方法，以在用户使用磁力在合同反馈单元中触摸触摸屏时局部地提供压力，排斥力和振动。 构成：感测单元（150）感测对象的访问或接触。 控制单元接收来自感测单元的信号。 控制单元输出反馈信号。 触觉反馈单元接收控制单元的反馈信号。 触觉反馈单元在接触位置使用磁力来应用触觉反馈。 在触觉反馈中使用磁偶极子的磁力。 触觉反馈包括第一磁性单元（142）和第二磁性单元（144）。

公开(公告)号：KR1020100065025A

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020090026256

申请日：2009-03-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구재본 ,  유인규 ,  안성덕 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor and a thin film transistor substrate are provided to improve a switching speed in an AC property and improve self-alignment. CONSTITUTION: A first doping area(121), a second doping area(122) and a channel area(123) are formed on a sacrificial layer of a first substrate and are formed as a semiconductor layer. The semiconductor layer is separated from the first substrate and is combined with a second substrate(201). An insulation layer(220) is formed on the second substrate and the semiconductor layer. A first photoresist layer is formed on the insulation layer. A first mask pattern is formed by exposing and developing the photo resist layer from the rear of the second substrate using the first doping area and the second doping area as a mask. A gate electrode(250) is overlapped with the channel area on the insulation layer using the first mask pattern as the mask. A source electrode(260) and a drain electrode(270) are connected to the first doping area and the second doping area.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜晶体管和薄膜晶体管基板的方法，以提高AC特性中的切换速度并改善自对准。 构成：在第一衬底的牺牲层上形成第一掺杂区域（121），第二掺杂区域（122）和沟道区域（123），并形成半导体层。 半导体层与第一衬底分离并与第二衬底（201）组合。 在第二基板和半导体层上形成绝缘层（220）。 在绝缘层上形成第一光致抗蚀剂层。 通过使用第一掺杂区域和第二掺杂区域作为掩模，从第二衬底的后部曝光和显影光致抗蚀剂层来形成第一掩模图案。 使用第一掩模图案作为掩模，将栅电极（250）与绝缘层上的沟道区域重叠。 源电极（260）和漏电极（270）连接到第一掺杂区域和第二掺杂区域。

公开(公告)号：KR1020100048576A

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：KR1020080107801

申请日：2008-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  광주과학기술원

Inventor： 노용영 ,  구재본 ,  유인규 ,  백강준 ,  김동유

IPC: C08L33/00 ,  C08K5/16 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0558 ,  C08F8/30 ,  C08F2810/20 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/052 ,  C08F220/14 ,  C08F220/30

Abstract: PURPOSE: A composition for organic thin film transistor is provided to form organic insulating film having excellent solvent resistance, durability, and insulating property. CONSTITUTION: A composition for organic thin film transistor comprises a material of chemical formula I or II and cross linking agent having a maleimide group. In chemical formula I or II, R' and R" are separately hydrogen atom, hydroxy group, ester group, amide group, or alkyl group or alkoxy group of 1-12 carbon atoms.

Abstract translation: 目的：提供用于有机薄膜晶体管的组合物，以形成具有优异的耐溶剂性，耐久性和绝缘性的有机绝缘膜。 构成：用于有机薄膜晶体管的组合物包括化学式I或II的材料和具有马来酰亚胺基团的交联剂。 在化学式I或II中，R'和R“分别是氢原子，羟基，酯基，酰胺基或1-12个碳原子的烷基或烷氧基。