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公开(公告)号：KR1019950021905A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027633
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 소자 제조에 있어서 다공질 규소를 이용한 광 펌핑 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 소자에 관한 것으로서, 다양한 파장영역에서 발광특성을 갖는 다공질 규소를 유전체의 브레그 반사판(4,5), 금속 거울층(6) 등을 이용하여 다공질 규소인 이득층(1)과 집적시키고, 난 반사를 막는 무 난반사층(2)으로 구성되어 가시광선을 포함하는 다양한 파장영역에서 레이저 발진특성을 제공함으로써 디스플레이 및 광 메모리등에 사용될 수 있는 핵심소자로서의 사용이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1019950021818A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029620
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광스윗치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중 양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작동하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019950021801A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026307
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 외부 인가전압 없이도 광 시스템에서 실용가능한 정도의 광 쌍안정을 실현 할 수 있는 광 논리소자의 창출을 그 내용으로 한다.
혼합물 반도체로 이루어진 얕은 다중양자 우물(Shal1ow Mutiple Quantum Well, SMQW)의 저전계흡수(low field electroabsoption) 특성과 비대칭 페브리 페롯(ASymmetric Fabry Perot, ASFP)공명 구조를 결합함으로써 이를 창출하였다.
ASFP공명구조로 이루어진 PIN다이오드 SEED는 그 구조특성상 광 흡수층인 다중양자 우물로 이루어진 진성영역의 두께를 일반적인 SEED구조보다 크게 줄여 줄 수 있다는 점에 착안하였다.
이는 일정한 내재전위(built in potential)를 가정할때, SMQW ASFP S-SEED회로에서의 인가전압 VAP=0일 경우의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이가 일반적인 SMQW S-SEED회로에서의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이보다 크게 된다는 것을 뜻한다.
즉 각 SEED소자의 광 흡수율의 차이가 크게되고 광 쌍안정의 반사율 차이와 폭(width)이 증가된다는 것이다.
본 발명에 의한 적절한 소자설계는 Self-Biased SMQW ASFP S-SEED(VAP=D)의 두 다이오드 전계차이가 일반적인 SMQW S-SEED의 동작전압 VAP=5Volt일때의 두 다이오드 전계차이정도가 되도록 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019950021171A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028672
申请日：1993-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제작하는데 있어 필수적인 미세 식각 패턴 형식을 STM을 이용하여 제작하는 방법에 관한 것으로써, 종래의 전자빔이나 불활성 기체 이온빔을 사용하는 방법에 비해 선폭이 훨씬 작고(수 Å), 식각부분의깊이를 원자 scale에서 조절할 수 있다. 본 발명에서는 si표면을 불소(F)나염소(Cl)등으로 패시베이트(passivate)되게 하고(단계a), 흡착된 원자들이 Si과 반응을 일으킬 수 있도록 표면온도를 유지하면서 STM의 금속탐침을 원하는 위치에 접근시킨후 짧은 시간동안 전압을 가해 SiCl
x (x=1,2,3,4)나 SiF
x (x=1,2,3,4)의 탈착에 의한 Si표면의 식각을 유도한다(단계b). 다시 같은 공정을 반복하여 Si의 두 번째 층을 식각한 패턴의 형성하는 공정(단계 c와단계 d)을 거쳐 저가의 장비로, 낮은 에너지 빔을 이용하여 표면결함이 적은 원자단위에서 넓이와 높이조절이 가능한 미세 식각 패턴의 제작이 가능하다. 이러한 식각방법은 Si과 GaAs 등의 화합물 반도체에도 적용 가능하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940014929A
公开(公告)日：1994-07-19
申请号：KR1019920024318
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/42
Abstract: 본 발명은 ALE와 UHVCVD을 이용하여 다공성 실리콘기판 위에 갈륨비소의 이종에피택시층을 성장시키는 방법에 관한 것으로 불순물이 함유된 실리콘기판 상에 전기화학적 방법에 의해 다공질층을 형성하는 공정과, ALE와 UHVCVD성장장치에 의해 트리메틸갈륨과 AsH
3 가스를 원료기체로 사용하여 상기 실리콘기판의 다공질층으로 교대분사하여 에피택시층인 갈륨비소박막을 형성한 것이다.-
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公开(公告)号：KR1019930007028B1
公开(公告)日：1993-07-26
申请号：KR1019910009213
申请日：1991-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/26
Abstract: The method comprises (a) causing the photoinduced anisotropy uniformly on a non-linear optical thin film (8) by exposing the thin film (8) to the light which is linearly polarized when the recording light source (9) passes through the polariscope (10), and (b) selectively forming a 90≦̸-rotated light axis with respect to the photoinduced light axis using a 90≦̸polariscope (11) and a binary photomask (3). The method provides the real-time (0,π) phase shift for non-linear optical materials only by a containuous 2- step photolighography exposing process without several etching steps needed in the conventional method.
Abstract translation: 该方法包括：（a）通过将薄膜（8）暴露于记录光源（9）通过偏振镜（8）的线性偏振光，使非线性光学薄膜（8）均匀地引起光致各向异性 10），和（b）使用90＆amp;极化极化（11）和二元光掩模（3），相对于光诱导的光轴选择性地形成90°旋转光轴。 该方法仅通过具有传统方法所需的几个蚀刻步骤的紧密的2-步摄影曝光工艺，为非线性光学材料提供实时（0，π）相移。
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